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公开(公告)号:CN107035596B
公开(公告)日:2021-01-08
申请号:CN201611076287.1
申请日:2016-11-29
申请人: 富士电机株式会社
发明人: 宫沢繁美
IPC分类号: F02P3/055
摘要: 本发明提供在检测到功率半导体器件的异常状态的情况下,能够可靠地中断或停止动作的驱动功率半导体器件的半导体装置。本发明提供的半导体装置具备:功率半导体元件,其栅极根据控制信号被控制;切断条件检测部,检测是否满足了预定的切断条件;复位部,在输入了使功率半导体元件导通的控制信号时,输出指示在预定的期间内复位的复位信号;锁存部,根据复位信号进行复位,并在复位后对表示检测到切断条件的产生的信息进行锁存;切断电路,在锁存部对表示检测到切断条件的产生的信息进行了锁存时,将功率半导体元件的栅极控制为关断电位;以及防止电路,在锁存部的复位期间内,无论切断条件是否成立都防止功率半导体元件的栅极成为导通电位。
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公开(公告)号:CN111953331A
公开(公告)日:2020-11-17
申请号:CN202010240593.4
申请日:2020-03-31
申请人: 富士电机株式会社
发明人: 宫沢繁美
IPC分类号: H03K17/567
摘要: 本发明提供半导体装置,即使将功率半导体元件导通控制时的控制信号的电压因噪声混入而急剧下降,也能够可靠地维持导通控制。设定功率半导体元件的阈值的阈值设定部构成为,通过二极管向电阻与切断信号生成部的电源端子之间的连接部供给蓄积于功率半导体元件的栅极电容的电荷,电阻将输入到输入端子的控制信号Vin的电压降低为电压信号Vs,切断信号生成部将电压信号Vs作为动作电源。即使控制信号Vin的电压在功率半导体元件的导通控制中急剧下降,电压信号Vs也接受蓄积于功率半导体元件的栅极电容的电荷的供给,由此避免电压下降,防止切断信号生成部的误动作。
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公开(公告)号:CN106958502B
公开(公告)日:2020-05-15
申请号:CN201611060621.4
申请日:2016-11-25
申请人: 富士电机株式会社
发明人: 宫沢繁美
IPC分类号: F02P3/055
摘要: 本发明涉及一种能够稳定地动作、具有简便的制造工艺以及能够以低成本形成的单芯片点火器。本发明提供一种半导体装置,具备:功率半导体元件,连接于高电位侧的第一端子和低电位侧的第二端子之间,根据栅极电位而被控制为导通或关断;开关元件,连接于输入用于控制功率半导体元件的控制信号的控制端子和功率半导体元件的栅极之间,根据栅极电位而被控制为导通或关断;导通电位供给部,连接于第一端子和开关元件的栅极之间,向开关元件的栅极提供导通电位;以及关断电位供给部,连接于基准电位和开关元件的栅极之间,根据满足了预定的中断条件的情况,而将开关元件的栅极电位设为关断电位。
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公开(公告)号:CN107725248A
公开(公告)日:2018-02-23
申请号:CN201710506670.4
申请日:2017-06-28
申请人: 富士电机株式会社
发明人: 宫沢繁美
IPC分类号: F02P3/05
CPC分类号: H02H3/08 , F02P3/0435 , F02P3/053 , F02P9/002 , F02P11/06 , H02H1/0007 , H02H3/087 , F02P3/051
摘要: 本发明提供半导体装置,包括将功率半导体器件切实地切换为截止的驱动电路。该半导体装置具备:功率半导体元件,连接于高电位侧的第一端子与低电位侧的第二端子之间,根据栅极电位被控制为导通或截止;第一栅极控制部,根据从控制端子输入的、控制功率半导体元件的控制信号来控制功率半导体元件的栅极电位;放电电路,连接于功率半导体元件的栅极与基准电位之间,使充电到功率半导体元件的栅极的电荷放出;第二栅极控制部,根据功率半导体元件的集电极电流来控制功率半导体元件的栅极电位;反馈部,根据功率半导体元件的集电极电位向功率半导体元件的栅极反馈电荷;以及电流切断部,根据控制信号将从第一端子流向功率半导体元件的栅极的电流切断。
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公开(公告)号:CN107035596A
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201611076287.1
申请日:2016-11-29
申请人: 富士电机株式会社
发明人: 宫沢繁美
IPC分类号: F02P3/055
摘要: 本发明提供在检测到功率半导体器件的异常状态的情况下,能够可靠地中断或停止动作的驱动功率半导体器件的半导体装置。本发明提供的半导体装置具备:功率半导体元件,其栅极根据控制信号被控制;切断条件检测部,检测是否满足了预定的切断条件;复位部,在输入了使功率半导体元件导通的控制信号时,输出指示在预定的期间内复位的复位信号;锁存部,根据复位信号进行复位,并在复位后对表示检测到切断条件的产生的信息进行锁存;切断电路,在锁存部对表示检测到切断条件的产生的信息进行了锁存时,将功率半导体元件的栅极控制为关断电位;以及防止电路,在锁存部的复位期间内,无论切断条件是否成立都防止功率半导体元件的栅极成为导通电位。
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公开(公告)号:CN107725248B
公开(公告)日:2021-06-25
申请号:CN201710506670.4
申请日:2017-06-28
申请人: 富士电机株式会社
发明人: 宫沢繁美
IPC分类号: F02P3/05
摘要: 本发明提供半导体装置,包括将功率半导体器件切实地切换为截止的驱动电路。该半导体装置具备:功率半导体元件,连接于高电位侧的第一端子与低电位侧的第二端子之间,根据栅极电位被控制为导通或截止;第一栅极控制部,根据从控制端子输入的、控制功率半导体元件的控制信号来控制功率半导体元件的栅极电位;放电电路,连接于功率半导体元件的栅极与基准电位之间,使充电到功率半导体元件的栅极的电荷放出;第二栅极控制部,根据功率半导体元件的集电极电流来控制功率半导体元件的栅极电位;反馈部,根据功率半导体元件的集电极电位向功率半导体元件的栅极反馈电荷;以及电流切断部,根据控制信号将从第一端子流向功率半导体元件的栅极的电流切断。
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公开(公告)号:CN107612361A
公开(公告)日:2018-01-19
申请号:CN201710532705.1
申请日:2017-07-03
申请人: 富士电机株式会社
发明人: 宫沢繁美
CPC分类号: F02P3/0435 , F02P3/053 , F02P3/0554 , F02P9/002 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H03K17/042 , H03K17/06 , H03K17/302 , H03K2017/066 , H03K2217/0081
摘要: 本发明提供在半导体装置接收将功率半导体设备断路的控制信号的情况下,能够可靠地断路的驱动功率半导体设备的半导体装置。半导体装置具备:功率半导体元件,其连接在高电位侧的第1端子和低电位侧的第2端子之间,响应于栅极电位而被控制为导通或关断;切断条件检测部,其检测从控制端子接收并控制所述功率半导体元件的控制信号是否满足预先确定的切断条件;以及切断电路,其响应于所述切断条件检测部检测到满足所述切断条件的情况,将所述功率半导体元件的所述栅极电位控制为关断电位,所述切断条件检测部具有与所述第1端子和所述控制端子连接的输入端子,并将从所述输入端子输入的电信号作为电源使用。
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公开(公告)号:CN107070438A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201611069072.7
申请日:2016-11-28
申请人: 富士电机株式会社
发明人: 宫沢繁美
IPC分类号: H03K17/082
CPC分类号: H02H3/20 , F02P3/0552 , F02P11/00 , F02P15/00 , F02P17/00 , H01L27/0255 , H01L27/0266 , H01L29/866 , H02H3/202 , H03K17/082 , H03K17/0822 , H03K17/0826 , H03K17/0828 , H03K2017/0806
摘要: 本发明涉及一种防止芯片尺寸扩大,并且在电源电压变得过大时将电源电压截断的半导体装置。本发明提供一种半导体装置,具备:功率半导体元件,其栅极根据控制信号而被控制;过电压检测部,对功率半导体元件的集电极端子侧的电压成为过电压的情况进行检测;以及截断部,根据检测到过电压的情况,将功率半导体元件的栅极控制为关断电压。还可以进一步具备复位部,根据使功率半导体元件导通的控制信号被输入的情况,在预定的期间内,输出复位信号。
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