公开(公告)号：CN104733810B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201410673640.9

申请日：2014-11-21

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 岸本健

IPC分类号： H01P1/15 ,  H03K17/693 ,  H04B1/44

CPC分类号： H03K17/302

摘要： 本发明提供一种不易受谐振频率的影响，且能抑制隔离特性的变动的开关电路以及包括该开关电路的高频模块。开关电路(10)包括：第一输出输入端子(T1)、第二输入输出端子(T2)、第三输入输出端子(T3)、第一晶体管(11)、第二晶体管(12)、电感器(14)、电阻(16)。第一晶体管(11)电连接在第一输入输出端子(T1)和第二输入输出端子(T2)之间。第二晶体管(12)电连接在第一输入输出端子(T1)和第三输入输出端子(T3)之间。电感器(14)及电阻(16)串联电连接在第二输入输出端子(T2)和第三输入输出端子(T3)之间。

公开(公告)号：CN109560690A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201810063992.0

申请日：2018-01-23

申请人： 戴洛格半导体(英国)有限公司

发明人： 克里斯托夫·N·纳格尔 ,  雷伯加·杰拉卡 ,  霍斯特·克内德根

IPC分类号： H02M1/08

CPC分类号： H03K17/302 ,  G11C27/024 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H03K17/08122 ,  H03K17/08142 ,  H03K17/145 ,  H02M1/08

摘要： 本发明公开了基于III/V族半导体的电路及运行该电路的方法。提供了设置有III/V族半导体区域的电子电路以及运行这种电路的方法。具体地，本申请涉及基于氮化镓(GaN)半导体的电子电路。必须以确保在广泛的GaN参数变化范围内的适当工作的方式来控制GaN部件。存在包括耦合到第二区域的第一区域的电路，第一区域基于III/V族半导体；其中，第一区域包括第一部件和第二部件。第二部件代表第一部件的电特性。第二区域包含适于感测第二部件的电气参量的传感器以及耦合到传感器的输入发生器。输入发生器适于基于电气参量向第一区域提供至少一个输入。

公开(公告)号：CN109327211A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201710644371.7

申请日：2017-07-31

申请人： 恩智浦有限公司

发明人： 万明亮 ,  恽廷华 ,  卿健 ,  彼得·克里斯蒂亚安斯

IPC分类号： H03K17/042 ,  H03K17/687

CPC分类号： H02M1/32 ,  H01L27/0285 ,  H02H3/18 ,  H02H7/1225 ,  H02H9/04 ,  H03K17/04 ,  H03K17/04106 ,  H03K17/063 ,  H03K17/16 ,  H03K17/302 ,  H03K2017/066 ,  H03K2017/307 ,  H03K2217/0063 ,  H03K17/04206 ,  H03K17/6871 ,  H03K17/6877

摘要： 一种负载开关包括：开关元件与第一、第二控制电路。开关元件具有接收输入电压的输入端、提供输出电压的输出端、以及接收开关信号的控制端。开关信号将所述开关元件导通或关断。第一控制电路具有接收第一控制信号的输入端、耦接到所述开关元件的控制端的输出端。第一控制电路响应于第一控制信号处于关断电平而向开关元件的控制端提供开关信号以关断开关元件。第二控制电路具有接收第二控制信号的输入端、耦接到开关元件的控制端的输出端。第二控制电路响应于第二控制信号处于保持关断电平而向开关元件的控制端提供开关信号，以在第一控制电路提供开关信号而关断开关元件之后保持开关元件关断。

公开(公告)号：CN105958632A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610423151.7

申请日：2016-06-16

申请人： 苏州微控智芯半导体科技有限公司

发明人： 贾金辉 ,  周毅 ,  孙进军 ,  陈冬冬

IPC分类号： H02J9/06 ,  H03K17/30

CPC分类号： H02J9/061 ,  H03K17/302

摘要： 本发明公开了一种电源切换电路，包括比较器、第一反相器、第二反相器、第一缓冲器、第二缓冲器、第一PMOS开关管、第二PMOS开关管、第三PMOS开关管、第四PMOS开关管，比较器包括片外输入电源的电阻串联采样电路、偏置电流产生电路、比较器主体、备份电源的电阻串联采样电路，本发明还公开了一种电源切换电路的信号传输方法，采用本发明，具有如下技术效果：1.切换阈值精准；本发明的切换逻辑是需要通过判定片外输入电源和备份电源的高低得到。2电源切换的可靠性；本发明的正反馈电路避免了电源电压在阈值点附近时造成的比较器输出的抖动引起的整个电源切换电路的抖动和不稳定。

公开(公告)号：CN103051161B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201110317087.1

申请日：2011-10-12

申请人： 昂宝电子(上海)有限公司

发明人： 杨吉庆 ,  李萌 ,  罗强 ,  方烈义

IPC分类号： H02M1/088

CPC分类号： H03K17/302 ,  H03K17/063 ,  H03K2217/0081

摘要： 本发明公开了用于驱动具有高阈值电压的晶体管的系统和方法。该系统包括浮动电压生成器、第一驱动电路和第二驱动电路。浮动电压生成器被配置为接收第一偏置电压并且生成浮动电压，该浮动电压生成器还被配置为当第一偏置电压改变时改变该浮动电压，并且维持浮动电压的大小比第一偏置电压低第一预定值。第一驱动电路被配置为接收输入信号、第一偏置电压和浮动电压。第二驱动电路被配置为接收输入信号、第二偏置电压和第三偏置电压，第一驱动电路和第二驱动电路被配置为生成用以驱动晶体管的输出信号。

公开(公告)号：CN104467862A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410437874.3

申请日：2014-08-29

申请人： 富士通半导体股份有限公司

发明人： 扬·朱索·德迪克 ,  绍尔·达齐 ,  加文·兰伯特斯·艾伦

IPC分类号： H03M1/66 ,  H03M1/12

CPC分类号： H03K17/145 ,  H03K17/162 ,  H03K17/302 ,  H03M1/0617 ,  H03M1/662 ,  H03M1/687 ,  H03M1/745 ,  H03M1/747

摘要： 本公开涉及一种用在数模转换器中的开关电路。根据本公开的开关电路包括：公共节点；第一和第二输出节点；以及多个开关，连接在公共节点与第一和第二输出节点之间并且能够基于输入数据在一系列时钟周期中的每个时钟周期中操作，以沿多个路径中的一个给定路径将公共节点传导地连接到第一或第二输出节点，其中该电路被布置成使得沿从公共节点到第一或第二输出节点的每个所述路径串联设置数据控制开关和时钟控制开关。

公开(公告)号：CN104467775A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410471704.7

申请日：2014-09-16

申请人： 富士通株式会社

发明人： 广濑达哉 ,  常信和清

IPC分类号： H03K17/687

CPC分类号： H03K17/302 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H03K17/102 ,  H03K17/162 ,  H03K17/567 ,  H03K2017/6875 ,  H03K2217/0036 ,  H03K2217/0054

摘要： 提供了一种共源共栅晶体管和控制共源共栅晶体管的方法。该共源共栅晶体管包括：第一开关；第二开关，其耐电压高于第一开关的耐电压，并且第二开关级联耦合至第一开关的漏极；以及电路，在该电路中第三开关和电容器彼此串联耦合，该电路被设置在连接节点与第一开关的源极之间，该连接节点是第一开关和第二开关彼此耦合的节点。

公开(公告)号：CN101826810B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201010107969.0

申请日：2010-01-28

申请人： BCD半导体制造有限公司

发明人： 方邵华 ,  陈宝箴 ,  宗强 ,  朱亚江

IPC分类号： H02M7/217

CPC分类号： H02M3/33592 ,  H02M3/33561 ,  H02M3/33576 ,  H02M7/217 ,  H03K5/08 ,  H03K17/133 ,  H03K17/302 ,  H03K2017/307 ,  Y02B70/1475

摘要： 本发明公开了一种用于开关电源的同步整流电路，包括：功率管，连接于变压器副边绕组和输出电容之间；控制电路，根据功率管两端的电压状态产生控制信号；该控制信号被用来控制功率管的开关状态。功率MOSFET的背栅与源或漏构成寄生体二极管，此二极管被连接成与MOSFET的源漏两端并联。当此二极管由反向偏置向正向偏置转换时，控制电路使MOSFET导通；当MOSFET导通后，二极管的正偏电压减小到低于设定的阈值时，控制电路使MOSFET关断一段设定的时间；当二极管由正向偏置转变为反向偏置后，控制电路使功率MOSFET关断。根据本发明，通过降低整流管的损耗来改善电源的转换效率，同时简化了电路设计从而降低了成本。

公开(公告)号：CN104009741A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201310375389.3

申请日：2013-08-26

申请人： 株式会社东芝

发明人： 寺口贵之

IPC分类号： H03K17/567 ,  H03K17/693

CPC分类号： H03K17/302 ,  H03K17/007 ,  H03K17/693

摘要： 根据一个实施方式，半导体开关电路具有：第1半导体开关部，一端与共通端子分别连接，且具有第1阈值；以及第2半导体开关部，一端与所述第1半导体开关部的另一端分别连接，且具有小于所述第1阈值的第2阈值。

公开(公告)号：CN103262415A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201080070842.4

申请日：2010-12-22

申请人： 惠普发展公司 ,  有限责任合伙企业

发明人： R.多明戈 ,  M.贝马特

IPC分类号： H03K17/56 ,  H02M1/08

CPC分类号： H03K17/302 ,  G06F2213/0038 ,  H03K17/0822 ,  H03K17/122

摘要： 栅极驱动器（100）、高侧MOSFET开关系统（200）和对MOSEFT进行脉冲驱动开关的方法（300）采用密勒电容阈值。栅极驱动器（100）包括用以向MOSFET（102）的栅极提供第一电压达第一时间段的栅极放电部分（110）。第一电压小于MOSFET的接通阈值电压。栅极驱动器还包括用以向MOSFET栅极提供第二电压达第二时间段的栅极充电部分（120）。第二电压大于MOSFET接通阈值电压。第二时间段小于用于MOSFET的栅极-源极电压超过密勒电容阈值的时间段。MOSFET的脉冲驱动开关的方法（300）包括施加（310）第一电压并施加（320）第二电压。