公开(公告)号：CN108768358A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810920906.3

申请日：2018-08-14

申请人： 广州奥格智能科技有限公司

发明人： 陈石平 ,  陈顺清 ,  郑彩霞 ,  彭进双

IPC分类号： H03K17/08 ,  H03K17/74

CPC分类号： H03K17/08 ,  H03K17/74 ,  H03K2017/0806

摘要： 本发明涉及二极管技术领域，尤其是一种超低损耗理想二极管，包括组合逻辑控制电路和第一P沟道MOS管，组合逻辑控制电路包括第二P沟道MOS管、第三P沟道MOS管、第一电阻和第二电阻，第一P沟道MOS管的漏极连接第二P沟道MOS管的源极，第一P沟道MOS管的源极电连接第三P沟道MOS管的源极，第一P沟道MOS管的栅极电连接第三P沟道MOS管的漏极，第二P沟道MOS管的栅极连接第二P沟道MOS管的漏极和第三P沟道MOS管的栅极，第二P沟道MOS管的漏极通过第一电阻接地，第三P沟道MOS管的漏极通过第二电阻接地。本发明有益效果：具有防止倒灌功能，可以保护前级电路；整个电路具有非常低的损耗，静态电流损耗小于100nA；使用组合逻辑控制电路，电路简单，成本很低，实用性强。

公开(公告)号：CN104465554B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201410523987.5

申请日：2014-07-23

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： F·科尔蒂贾尼 ,  A·德奇科

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L27/02 ,  H02H7/20

CPC分类号： G01K1/026 ,  H02H3/07 ,  H02H5/04 ,  H02H6/00 ,  H03K17/0822 ,  H03K2017/0806

摘要： 本发明涉及功率开关的热观测器以及过载保护。本发明提出嵌入到功率半导体器件中的温度传感器的放置。这样，至少一个该嵌入的温度传感器被放置在功率半导体电路的热源、有源区或沟道内，或者被放置为靠近功率半导体电路的热源、有源区或沟道，并且至少一个该嵌入的温度传感器被放置为更进一步远离该功率半导体电路的该热源、有源区或沟道。此外，提供一种新的温度测量方法，该方法采用温度测量的定时以及调节测量参数为合适的阈值。

公开(公告)号：CN107949986A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201780002988.7

申请日：2017-01-30

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 清水直树

IPC分类号： H03K17/14 ,  H03K17/28 ,  H03K17/56 ,  H02M1/08

CPC分类号： H03K17/14 ,  H02M1/08 ,  H03K17/18 ,  H03K17/28 ,  H03K17/56 ,  H03K17/567 ,  H03K2017/0806

摘要： 提供一种能够抑制因驱动能力、温度引起的开关动作时间的变化的半导体元件的驱动装置。具备：半导体芯片(10)，其形成有电压控制型半导体元件(11)；温度检测部(21)，其检测该半导体芯片(10)的温度；驱动能力调整部(22)，其根据该温度检测部的温度检测值来调整电压控制型半导体元件的驱动能力；以及定时调整部(23)，其根据温度检测部的温度检测值来调整电压控制型半导体元件的开关动作时间。

公开(公告)号：CN107810596A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201580081305.2

申请日：2015-07-10

申请人： 株式会社日立产机系统

发明人： 田边启辅 ,  荒尾祐介 ,  江岛伸悟

IPC分类号： H02M7/48

CPC分类号： H02M7/48 ,  B60L3/003 ,  B60L2240/525 ,  H02M2001/327 ,  H02P27/08 ,  H02P29/68 ,  H03K17/082 ,  H03K2017/0806

摘要： 本发明提供一种电力转换装置、及其温度降低方法，目的在于提供一种能够使电力转换装置的温度降低方法适合用户环境地进行应对的电力转换装置。为了达成上述目的，电力转换装置的温度降低方法构成为：对于多个温度控制要素设定进行减效运转控制的优先度；电力转换装置的温度高于温度异常判定值的情况下，按设定的优先度执行优先度最高的温度控制要素的减效运转控制，优先度最高的温度控制要素的控制量达到了最大值的情况下，将控制要素的控制量保持为最大值，进行优先度次高的温度控制要素的减效运转控制。

公开(公告)号：CN107800414A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710795576.5

申请日：2017-09-06

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： 安东·毛德 ,  奥利弗·黑尔蒙德 ,  彼得·伊尔西格勒 ,  塞巴斯蒂安·施密特 ,  汉斯-约阿希姆·舒尔策 ,  马丁纳·赛德尔-施密特

IPC分类号： H03K17/081 ,  H03K17/567

CPC分类号： H03K17/567 ,  H03K17/0822 ,  H03K17/14 ,  H03K17/168 ,  H03K2217/0063 ,  H03K2217/0072 ,  H03K17/081 ,  H03K2017/0806

摘要： 提供了开关器件和用于控制开关的方法，其中，根据操作状况的指定范围内的操作状况来设定晶体管器件的控制端子电阻。

公开(公告)号：CN107359155A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710187607.9

申请日：2017-03-27

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 沼部英雄 ,  立野孝治 ,  小岛勇介 ,  横井芳彦 ,  石田慎哉 ,  松浦仁

IPC分类号： H01L25/16 ,  G01K7/01

CPC分类号： H01L23/34 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/823412 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/53271 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/74 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/861 ,  H03K17/16 ,  H03K2017/0806 ,  H03K2217/0027 ,  H03K2217/0063 ,  H03K2217/0072 ,  H01L25/16 ,  G01K7/01

摘要： 本发明提供一种半导体器件和半导体装置，所述半导体器件包括功率器件和温度检测二极管。所述半导体器件具有被配置成使功率器件的电力线与温度检测二极管之间绝缘的器件结构。

公开(公告)号：CN107041166A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201580060832.5

申请日：2015-08-28

申请人： 新电元工业株式会社

发明人： 小林义则

IPC分类号： H02M1/00 ,  G01K7/01 ,  G01K7/16 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H03K17/14 ,  H03K17/687

CPC分类号： H01L27/0629 ,  G01K7/22 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M3/158 ,  H02M7/003 ,  H03K17/0822 ,  H03K17/14 ,  H03K19/1732 ,  H03K2017/0806

摘要： 电力转换装置，包括：配置在基板上的半导体元件；热敏电阻元件，配置在基板上，其一端与接地侧节点相连接，其另一端与基板的检测节点相连接，用于检测基板的温度；电流检测用电阻，其一端与接地侧节点相连接，其另一端接地；第一电压检测部，对电流检测用电阻的另一端的第一电位以及接地侧节点的第二电位进行检测，并且输出第一检测信号；控制部，基于第一检测信号，对半导体元件进行控制；温度检测用电阻，其一端与基准电位相连接，其另一端与检测节点相连接；以及温度检测部，基于检测节点的第三电位对温度进行检测，并且输出包含检测出的温度信息的温度信息信号。

公开(公告)号：CN106876392A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201610104766.3

申请日：2016-02-25

申请人： 力智电子股份有限公司

发明人： 柯圣安

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L23/34 ,  G01K7/01 ,  H01L27/0266 ,  H01L27/088 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7815 ,  H03K3/0231 ,  H03K2017/0806

摘要： 本发明提供一种具热感测功能的功率金氧半晶体管晶粒以及集成电路。功率金氧半晶体管晶粒具有控制端、相位端、接地端以及热信号输出端，且还包括开关部以及温度感测部。开关部具有：第一电极，耦接控制端；第二电极，耦接接地端；以及第三电极，耦接相位端。温度感测部具有：第一电极；第二电极，耦接热信号输出端；以及第三电极，耦接开关部的第三电极。开关部与温度感测部配置为相同制程所制造的金氧半晶体管。本发明的功率金氧半晶体管晶粒能够准确地感测温度。

公开(公告)号：CN106411313A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610619537.5

申请日：2016-07-29

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： R·V·博古希维茨

IPC分类号： H03K19/0175

CPC分类号： H03K17/567 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/18 ,  H03K2017/0806 ,  H03K2217/0045 ,  H03K19/017545

摘要： 本公开的实施例涉及在高压侧和低压侧驱动器之间传达信息。提供了一种用于从发送器部件向接收器部件传达信息的电路。发送器部件是高压侧部件并且接收器部件是低压侧部件，或者发送器部件是低压侧部件并且接收器部件是高压侧部件。低压侧部件被布置成驱动半桥的第一电子开关，高压侧部件被布置成驱动半桥的第二电子开关。电路包括第一电压去耦合器件和第二电压去耦合器件，第一电压去耦合器件和第二电压去耦合器件被布置成使得从发送器部件向接收器部件传达的电压通过发送器部件被调制并且取决于该信息而跨第一电压去耦合器件和第二电压去耦合器件传达。

公开(公告)号：CN106411114A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201611028229.1

申请日：2016-11-18

申请人： 美的集团股份有限公司 ,  广东美的制冷设备有限公司

发明人： 刘东子 ,  冯宇翔

IPC分类号： H02M1/32 ,  H03K17/08

CPC分类号： H02M1/32 ,  H03K17/08 ,  H03K2017/0806

摘要： 本发明提供了一种栅极保护电路和电力电子设备，其中，栅极保护电路包括：主传输线路，连接于栅极驱动模块和MOS管的栅极之间；参考信号模块，用于生成参考信号；比较模块，比较模块的两个输入端分别连接至栅极驱动模块和参考信号模块；压控模块，连接于主传输线路的输出端与地线之间，压控模块的驱动端连接于比较模块的输出端，其中，在栅极驱动信号大于或等于参考信号时，比较模块向压控模块输出导通信号，以控制压控模块导通，压控模块的分压信号作为保护信号输出至MOS管的栅极，分压信号小于栅极驱动信号。通过本发明技术方案，提高了栅极保护电路的可靠性，降低栅极过压失效的可能性。