公开(公告)号：CN103477421A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201280018240.3

申请日：2012-11-12

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 富泽浩 ,  古市卓也

IPC: H01L21/3065 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L22/14 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00563 ,  B81C2201/0132 ,  H01L22/26 ,  H01L22/30

Abstract: 本发明提供一种蚀刻完成检测方法，不论开口宽度多大都可正确检测SOI基板蚀刻完成位置。该方法在绝缘层上配置有导电性硅层的SOI基板的所述硅层中、蚀刻到达所述绝缘层的开口部时，检测蚀刻的完成，在由所述蚀刻形成的环状开口部围绕的条状区域的表面配置第一电极部，并在所述岛状区域的外侧区域配置第二电极部，构成蚀刻完成检测部，测量所述第一电极部和所述第二电极部之间的电阻，当该电阻超过预先设定的阈值时，判定到达蚀刻完成位置。