公开(公告)号：CN101131919B

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN200710142216.1

申请日：2007-08-20

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 广濑隆之 ,  江户雅晴 ,  佐藤启

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02118 ,  H01L21/312 ,  H01L23/522 ,  H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种形成绝缘膜的方法。该方法减少与周边电极相邻的器件元件之上抗蚀膜的高度差(隆起)，并限制器件元件端部的凸起部分上的抗蚀膜厚度的减小。在此方法中，虚拟图案4形成于周边环形电极2与器件元件6的凸起部分3a之间的区域中。根据这种方法，凸起部分3a上的抗蚀膜在位置G处的厚度被制成近似等于凸起部分3b上抗蚀膜在位置K处的厚度。