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发明公开
半导体装置失效转让

公开(公告)号：CN101931007A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010207349.4

申请日：2010-06-18

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 北村睦美 , 武井学

IPC: H01L29/78 , H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够在活性区和终端区改变单位单元的间距的情况下在其过渡区的单位单元内实现电荷平衡，从而能够防止耐压降低。将过渡区(22)的p隔离区域的形状相对于活性区(21)和终端区(23)改变，在活性区(21)、过渡区(22)和终端区(23)的各p隔离区域(4a)、(4b)、(4c)和n漂移区域(3)取得电荷平衡，由此实现防止耐压降低。

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