公开(公告)号：CN101931007A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010207349.4

申请日：2010-06-18

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 北村睦美 ,  武井学

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够在活性区和终端区改变单位单元的间距的情况下在其过渡区的单位单元内实现电荷平衡，从而能够防止耐压降低。将过渡区(22)的p隔离区域的形状相对于活性区(21)和终端区(23)改变，在活性区(21)、过渡区(22)和终端区(23)的各p隔离区域(4a)、(4b)、(4c)和n漂移区域(3)取得电荷平衡，由此实现防止耐压降低。

公开(公告)号：CN101567373B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200910136307.3

申请日：2004-08-12

Applicant: 富士电机系统株式会社

Inventor： 北村睦美 ,  藤岛直人

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66666 ,  H02J7/0031

Abstract: 本发明提供双方向元件及其制造方法，该元件具有：基于沟槽的第一、二分割区；沟槽底面形成的第一导电型第一区；第一、二分割区中形成的、与沟槽侧壁和第一区连接的第二导电型第二、三区；在第一、二分割区与沟槽侧壁连接且分别与第二、三区连接形成的第一导电型第四、五区；在第一分割区的沟槽侧壁上从第一区至第四区形成的第一控制电极和从第一区至第五区形成的第二控制电极；在第四、五区上分别形成的第一、二主电极；在第一、二区之间与第一、三区之间具有杂质浓度比第一区低的第六区，在每一控制电极的内侧具有经层间绝缘膜到达第一区的导电体，具有在沟槽底面形成的、与第二、三区连接的第二导电型第七区，导电体通过层间绝缘膜到达第七区。