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公开(公告)号：CN111684575B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201980011921.9
申请日：2019-01-18
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明提供一种对过渡金属含有物具有优异的蚀刻性能，且具有优异的缺陷抑制性能的药液、上述药液的制造方法及基板的处理方法。本发明的药液为包含选自由高碘酸及其盐组成的组中的一种以上的高碘酸类、选自由Ti及Zr组成的组中的一种以上的第1金属成分及水的药液，药液包含一种第1金属成分时，一种第1金属成分的含量相对于高碘酸类总质量为1质量ppt～100质量ppm，药液包含两种第1金属成分时，两种第1金属成分的含量分别相对于高碘酸类总质量为100质量ppm以下，两种第1金属成分中的至少一种成分的含量相对于上述高碘酸类总质量为1质量ppt以上。
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公开(公告)号：CN102242025A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110122345.0
申请日：2011-05-09
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/5004
Abstract: 本发明提供一种可以抑制半导体基板的金属的腐蚀、且半导体基板上的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣的除去性优异的清洗组合物、以及使用所述清洗组合物的半导体装置的制造方法及清洗方法。一种清洗组合物、以及使用所述清洗组合物的半导体装置的制造方法及清洗方法，其特征在于，所述组合物为用于除去形成于半导体基板上的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣的清洗组合物，其包括(成分a)水、(成分b)胺化合物、(成分c)羟胺及/或其盐、(成分d)季铵化合物、(成分e)有机酸、以及(成分f)水溶性有机溶剂，且pH为6～9。
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公开(公告)号：CN102206559A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110078415.7
申请日：2011-03-24
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L21/02076 , C11D7/261 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D11/0047 , H01L21/02063 , H01L21/02071
Abstract: 本发明提供不损伤布线结构、层间绝缘结构而能够将半导体基板上的等离子体蚀刻残渣充分除去的洗涤组合物、洗涤方法和使用了上述洗涤组合物的半导体装置的制造方法。提供用于除去在半导体基板上形成的等离子体蚀刻残渣的洗涤组合物、洗涤方法以及包含通过上述洗涤组合物洗涤在半导体基板上形成的等离子体蚀刻残渣的工序的半导体装置的制造方法，所述洗涤组合物的特征在于，含有57～95重量％的(成分a)水、1～40重量％的(成分b)具有仲羟基和/或叔羟基的羟基化合物、(成分c)有机酸、以及(成分d)季铵化合物，pH为5～10。
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公开(公告)号：CN115989314B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202180051654.5
申请日：2021-08-18
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/027 , C11D7/50 , C11D7/38 , C11D7/36 , C11D7/34 , C11D7/32 , C11D7/28 , C11D7/26 , C11D7/22 , C11D7/18 , C11D7/16 , C11D7/10 , C11D7/08 , C11D7/06 , C11D3/43 , C11D3/39 , C11D3/37 , C11D3/36 , C11D3/34 , C11D3/30 , C11D3/28 , C11D3/26 , C11D3/20 , C11D3/06 , C11D3/04 , C11D1/34 , C11D1/29 , C11D1/12 , C11D1/06 , C11D1/04 , C23F1/14 , C11D17/08
Abstract: 本发明的课题在于提供一种半导体器件用处理液，所述处理液对于含金属的层的耐腐蚀性及去除对象物的去除性优异并且在后处理液中的溶解性优异。并且，本发明的课题在于提供一种使用上述处理液的基板的处理方法。本发明的处理液为半导体器件用处理液，其含有水、去除剂及共聚物，共聚物具有第1重复单元及与第1重复单元不同的第2重复单元，所述第1重复单元具有选自伯氨基、仲氨基、叔氨基及季铵阳离子中的至少1种基团。
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公开(公告)号：CN111033697B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201880052428.7
申请日：2018-08-10
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/32 , C11D7/50 , C11D17/08
Abstract: 本发明提供一种处理液，其为半导体器件用处理液，且对处理对象物的防腐性、残渣物去除性及缺陷抑制性优异。并且，提供一种试剂盒及对使用上述处理液的基板进行清洗的方法。一种处理液，其为半导体器件用处理液，且包含水、有机溶剂及2种以上的含氮芳香族杂环化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114364780A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202080063322.4
申请日：2020-08-04
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种半导体器件用处理液，所述处理液相对于金属层的耐腐蚀性优异。并且，本发明的课题在于提供一种试剂盒、上述处理液的制造方法、使用上述处理液的基板的清洗方法及使用上述处理液的基板的处理方法。本发明的处理液为半导体器件用处理液，其包含水及有机溶剂，有机溶剂为由有机溶剂A及有机溶剂B构成的组合，且至少包含特定的组合1～6中的任一个组合，pH为5以上。
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公开(公告)号：CN102206559B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201110078415.7
申请日：2011-03-24
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L21/02076 , C11D7/261 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D11/0047 , H01L21/02063 , H01L21/02071
Abstract: 本发明提供不损伤布线结构、层间绝缘结构而能够将半导体基板上的等离子体蚀刻残渣充分除去的洗涤组合物、洗涤方法和使用了上述洗涤组合物的半导体装置的制造方法。提供用于除去在半导体基板上形成的等离子体蚀刻残渣的洗涤组合物、洗涤方法以及包含通过上述洗涤组合物洗涤在半导体基板上形成的等离子体蚀刻残渣的工序的半导体装置的制造方法，所述洗涤组合物的特征在于，含有57～95重量％的(成分a)水、1～40重量％的(成分b)具有仲羟基和/或叔羟基的羟基化合物、(成分c)有机酸、以及(成分d)季铵化合物，pH为5～10。
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公开(公告)号：CN104152297A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410424866.5
申请日：2011-05-09
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/5004
Abstract: 本发明提供一种可以抑制半导体基板的金属的腐蚀、且半导体基板上的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣的除去性优异的清洗组合物、以及使用所述清洗组合物的半导体装置的制造方法及清洗方法。一种清洗组合物、以及使用所述清洗组合物的半导体装置的制造方法及清洗方法，其特征在于，所述组合物为用于除去形成于半导体基板上的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣的清洗组合物，其包括(成分a)水、(成分b)胺化合物、(成分c)羟胺及/或其盐、(成分d)季铵化合物、(成分e)有机酸、以及(成分f)水溶性有机溶剂，且pH为6～9。
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公开(公告)号：CN118931673A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411009157.0
申请日：2020-08-04
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种半导体器件用处理液，所述处理液相对于金属层的耐腐蚀性优异。并且，本发明的课题在于提供一种试剂盒、上述处理液的制造方法、使用上述处理液的基板的清洗方法及使用上述处理液的基板的处理方法。本发明的处理液为半导体器件用处理液，其包含水及有机溶剂，有机溶剂为由有机溶剂A及有机溶剂B构成的组合，且至少包含特定的组合1～6中的任一个组合，pH为5以上。
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公开(公告)号：CN111630632B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201880085870.X
申请日：2018-12-19
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种具有对过渡金属含有物的优异的溶解能力，而且能够实现被处理部的优异的平滑度的药液及使用了所述药液的处理方法。本发明的药液是为了去除基板上的过渡金属含有物而使用的药液，包含高碘酸类和包含选自由IO3‑、I‑及I3‑构成的组中的1种以上的阴离子的化合物，包含阴离子的化合物的含量相对于药液总质量为5质量ppb～1质量％。
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