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公开(公告)号：CN101144051A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710154730.7
申请日：2007-09-13
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 关裕之
CPC classification number: C11D7/28 , C11D7/5018 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , H01L21/0206 , H01L21/02071
Abstract: 本发明提供一种将1，1，1，3，3，3－六氟－2－丙醇作为成分的基板用除水剂。另外，提供包含：准备基板上具有柱状图案及/或孔状图案的基板的工序；使该基板与水接触的工序；及使该基板与除水剂接触的工序，的除水方法。此外，提供包含在除水方法中的使基板与除水剂接触的工序后，干燥该基板的干燥工序的基板的干燥方法。
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公开(公告)号：CN117198858A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311201088.9
申请日：2019-01-18
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/3213 , B01D35/02 , B01J43/00 , B01J47/12 , C09K13/04 , C09K13/06 , C23F1/26 , C23F1/28 , C23F1/30 , C23F1/38 , C23F1/40
Abstract: 本发明提供一种对过渡金属含有物具有优异的蚀刻性能，且具有优异的缺陷抑制性能的药液、上述药液的制造方法及基板的处理方法。本发明的药液为包含选自由高碘酸及其盐组成的组中的一种以上的高碘酸类、选自由Ti及Zr组成的组中的一种以上的第1金属成分及水的药液，药液包含一种第1金属成分时，一种第1金属成分的含量相对于高碘酸类总质量为1质量ppt～100质量ppm，药液包含两种第1金属成分时，两种第1金属成分的含量分别相对于高碘酸类总质量为100质量ppm以下，两种第1金属成分中的至少一种成分的含量相对于上述高碘酸类总质量为1质量ppt以上。
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公开(公告)号：CN111684575A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201980011921.9
申请日：2019-01-18
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明提供一种对过渡金属含有物具有优异的蚀刻性能，且具有优异的缺陷抑制性能的药液、上述药液的制造方法及基板的处理方法。本发明的药液为包含选自由高碘酸及其盐组成的组中的一种以上的高碘酸类、选自由Ti及Zr组成的组中的一种以上的第1金属成分及水的药液，药液包含一种第1金属成分时，一种第1金属成分的含量相对于高碘酸类总质量为1质量ppt～100质量ppm，药液包含两种第1金属成分时，两种第1金属成分的含量分别相对于高碘酸类总质量为100质量ppm以下，两种第1金属成分中的至少一种成分的含量相对于上述高碘酸类总质量为1质量ppt以上。
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公开(公告)号：CN102031204A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010297139.9
申请日：2010-09-28
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: G03F7/425 , C09K13/00 , C09K13/06 , C11D7/08 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , C11D7/34 , C11D7/5013 , C11D11/0047 , G03F7/422 , G03F7/423 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/02068 , H01L21/02071 , H01L21/31133 , H01L21/32134 , H01L21/32136 , H01L21/32138 , H01L21/32139
Abstract: 本发明提供一种清洗组合物，其为除去在半导体用基板上形成的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣用的清洗组合物，其特征在于，包含(成分a)水、(成份b)羟基胺及/或其盐、(成分c)碱性有机化合物和(成分d)有机酸，所述清洗组合物的pH为7～9。还提供使用所述清洗组合物的清洗方法及半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN1315006C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN02124597.5
申请日：2002-06-28
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 关裕之
IPC: G03C7/407
CPC classification number: G03C7/413 , G03C5/266 , G03C7/30 , G03C7/407 , G03C7/44 , G03C2200/19 , G03C2200/21 , G03C2200/60 , Y10S430/134
Abstract: 本发明公开了一种用于卤化银彩色摄影感光材料的成色显影液体处理剂组成物及显影处理方法，该成色显影液体处理剂组成物中所含的芪类是分子中至少有4个磺酸基的特定结构的4，4’-双(2，6-二氨基三嗪-4-非-氨)和所含的甘醇类至少有1种是乙二醇、二甘醇、三甘醇并且至少有1种聚乙二醇(但数均分子量1000～2000)。该液体组成物的特征是处理剂的保管过程中不产生污染及沉淀，溶解度高，浓稠液剂也有不污染容器的耐着色性，进行高温快速显影时仍能保持彩色平衡，适于快速显影。
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公开(公告)号：CN111684575B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201980011921.9
申请日：2019-01-18
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明提供一种对过渡金属含有物具有优异的蚀刻性能，且具有优异的缺陷抑制性能的药液、上述药液的制造方法及基板的处理方法。本发明的药液为包含选自由高碘酸及其盐组成的组中的一种以上的高碘酸类、选自由Ti及Zr组成的组中的一种以上的第1金属成分及水的药液，药液包含一种第1金属成分时，一种第1金属成分的含量相对于高碘酸类总质量为1质量ppt～100质量ppm，药液包含两种第1金属成分时，两种第1金属成分的含量分别相对于高碘酸类总质量为100质量ppm以下，两种第1金属成分中的至少一种成分的含量相对于上述高碘酸类总质量为1质量ppt以上。
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公开(公告)号：CN107022421B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201610815832.8
申请日：2010-09-28
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种清洗组合物，其为除去在半导体用基板上形成的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣用的清洗组合物，其特征在于，包含(成分a)水、(成份b)羟基胺及/或其盐、(成分c)碱性有机化合物和(成分d)有机酸，所述清洗组合物的pH为7～9。还提供使用所述清洗组合物的清洗方法及半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN107022421A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610815832.8
申请日：2010-09-28
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种清洗组合物，其为除去在半导体用基板上形成的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣用的清洗组合物，其特征在于，包含(成分a)水、(成份b)羟基胺及/或其盐、(成分c)碱性有机化合物和(成分d)有机酸，所述清洗组合物的pH为7～9。还提供使用所述清洗组合物的清洗方法及半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN1262881C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN02130116.6
申请日：2002-08-22
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 关裕之
CPC classification number: G03C7/3046 , G03C5/268 , G03C2001/0158
Abstract: 一种用于加工卤化银彩色照相材料的漂洗加工组合物，其中包含至少一种以下述通式(I)表示的化合物，其中R代表包含8至13个碳原子的烷基基团，n代表10到30的整数，并且不含醛和六亚甲基四胺衍生物，和一种使用本发明漂洗加工组合物的加工方法及加工设备。R-(OC2H4)n-OH (I)
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公开(公告)号：CN1407400A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN02130116.6
申请日：2002-08-22
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 关裕之
CPC classification number: G03C7/3046 , G03C5/268 , G03C2001/0158
Abstract: 一种用于加工卤化银彩色照相材料的漂洗加工组合物，其中包含至少一种以通式(I)表示的化合物，其中R代表包含8至13个碳原子的烷基基团，n代表10到30的整数，并且不含醛和六亚甲基四胺衍生物，和一种使用本发明漂洗加工组合物的加工方法及加工设备。R－(OC2H4)n－OH (I)
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