公开(公告)号：CN1838419B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200510120035.X

申请日：2005-11-04

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 小林博 ,  山本克义 ,  井上忠夫 ,  水口寿孝

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明提供一种固态成像器件，其具有衬底，在该衬底中形成具有多个像素的像素阵列部分和外围电路部分。该器件的特征在于第一多层金属化结构形成在该外围电路部分上方，以及比第一多层金属化结构薄的第二多层金属化结构形成在该像素阵列部分上方。

公开(公告)号：CN100565890C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200580049317.3

申请日：2005-03-28

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 井上忠夫 ,  山本克义 ,  小林博

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L31/03529 ,  H04N5/361 ,  Y02E10/50

Abstract: 在各像素中构成光电二极管的第一扩散区域，蓄积对应于入射光而产生的载流子。第二扩散区域通过覆盖第一扩散区域的外围部而形成于第一扩散区域的表面。第一扩散区域的周围部分因元件分离区域的制造工程和栅电极的制造工程而容易发生结晶缺陷，并容易产生暗电流噪声。第二扩散区域发挥防止在制造工程中发生结晶缺陷的保护层的功能。第二扩散区域并不形成于很难发生结晶缺陷的第一扩散区域表面的中央部分上。在没有形成第二扩散区域的第一扩散区域，由于可以增大空乏层的厚度，所以能够提高光的检测灵敏度。因此，能够在不增加暗电流噪声的情况下，提高光电二极管的检测灵敏度。

公开(公告)号：CN1835245B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200510120063.1

申请日：2005-11-08

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 井上忠夫 ,  山本克义 ,  大川成实

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683

Abstract: 本发明提供嵌有光电二极管区的图像传感器及其制造方法。在该图像传感器中形成多个像素，所述像素至少具有一光电二极管、一复位晶体管和源极跟随器晶体管，其中，每个像素包括电荷转移栅晶体管，其位于光电二极管与复位晶体管之间，并且构成使复位晶体管与转移栅晶体管连接的节点的浮动扩散区与该源极跟随器晶体管的栅极连接。此外，光电二极管区被嵌入在阱区的下部，在该阱区中形成每个像素的复位晶体管和源极跟随器晶体管。另外，至少在该浮动扩散区的一部分区域的下部不形成该光电二极管区。

公开(公告)号：CN100536151C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200580049053.1

申请日：2005-03-11

Applicant: 富士通微电子株式会社

Inventor： 井上忠夫 ,  山本克义 ,  大川成实

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H04N5/37457 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14647 ,  H01L27/14652 ,  H01L27/14689

Abstract: 提供一种CMOS图像传感器及其制造方法，该CMOS图像传感器具有有效增大的孔径比和提高的光学感光度。本发明第一方案的图像传感器包括像素区域(10)，其中形成有多个像素，每个像素至少具有光电二极管、复位晶体管和源极跟随器晶体管；以及外围电路区域(12)，其中形成有处理从像素区域读出的读出信号的外围电路。像素区域中的阱区域(PW2)比外围电路区域中的阱区域(PW1)浅。此外，复位晶体管或源极跟随器晶体管形成在像素区域(10)的浅阱区域(PW2)中，而光电二极管区域(PHD2)嵌入在晶体管的阱区域(PW2)下。通过这种结构，像素的光电二极管区域嵌入到相比衬底表面较浅的区域中，从衬底表面入射的光在衰减前被捕获，从而提高了光学感光度。此外，因为像素的光电二极管区域嵌入到有源元件下方的较浅区域中，所以可增大有效孔径比和提高光学感光度。