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公开(公告)号：CN100508167C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200480044445.4
申请日：2004-11-30
Applicant: 富士通微电子株式会社
Inventor： 杉崎太郎
IPC: H01L21/8247 , H01L29/788 , H01L27/115 , H01L29/792
CPC classification number: H01L21/28282 , B82Y10/00 , G11C16/0466 , G11C2216/06 , H01L21/28273 , H01L21/31645 , H01L29/42348
Abstract: 一种半导体存储器件，具有：电荷聚集层26，其形成在半导体基板10上，而且在绝缘膜12、24中具有作为电荷聚集体的多个微粒16而形成；栅电极30，其形成在电荷聚集层26上，其中，微粒16由金属氧化物或者金属氮化物构成。
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