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公开(公告)号：CN100388360C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510065151.6
申请日：2005-04-04
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 乡家隆志
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/7325
Abstract: 本发明公开了一种磁记录介质，该磁记录介质可以提高记录层的矫顽力Hc并改善记录层的信噪比，而不降低记录层的耐热波动性，并且可以实现高密度记录。该磁记录介质包括基底、由晶体材料形成的籽晶层、粒径控制层、底层和记录层。该粒径控制层由Ag膜或者W膜形成，是在籽晶层上的散布膜或者连续膜。该粒径控制层用作在其上形成的底层的生长核，并控制底层的晶粒直径。具体而言，当粒径控制层淀积为散布层时，底层在籽晶层和粒径控制层上生长，由于籽晶层表面的影响，可以提高底层的晶体性能。
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公开(公告)号：CN1639774A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03805664.X
申请日：2003-03-17
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/656 , G11B5/732 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质及其制造方法。该磁记录介质包括：由Co基合金材料构成的强磁性层和配置于强磁性层上的由Ru或Ru基合金材料构成的非磁性结合层和配置于非磁性结合层上的由Co基合金材料构成的磁记录层。非磁性结合层由于是在Ar－N2混合气体气氛中通过溅射而形成，所以其中含有氮。在溅射过程中的氮气分压强在6.7×10－3～3.7×10－2Pa的范围之内。
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公开(公告)号：CN101192418A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710181323.5
申请日：2007-10-19
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 乡家隆志
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/7325 , G11B5/8404
Abstract: 本发明公开了磁记录介质、磁记录装置以及制造磁记录介质的方法。本发明涉及以磁的方式记录信息的磁记录介质等。该磁记录介质通过减小记录层和衬层之间的距离，在保持低噪声性能的同时提高了写入性能。该磁记录介质具有非磁性基板、形成在该非磁性基板上的衬层、形成在该衬层上的底层、形成在该底层上的中间层；以及形成在该中间层上并具有垂直磁各向异性的记录层。所述中间层包括以如下方式被形成为膜层的两层或更多层，即该两层或更多层中的上层与位于该上层下面的层相比具有更厚的膜厚度以及更高的形成层的气压。
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公开(公告)号：CN100369120C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200510055919.1
申请日：2005-03-18
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 乡家隆志
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/7325
Abstract: 磁记录介质和磁存储装置。一种磁记录介质，其包括基底、设置在基底上的AlFe基合金层、设置在AlFe基合金层上的底基层、以及设置在底基层上的记录层，并且当在该记录层上记录信息时，沿预定的记录方向对该记录层进行磁化。该基底具有纹理化表面，该纹理化表面具有大致沿该记录方向形成的多个沟槽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101118752A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200610167039.8
申请日：2006-12-13
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 乡家隆志
CPC classification number: G11B5/82 , G11B5/65 , G11B5/66 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质和磁存储设备。该垂直磁记录介质设置有：基板；设置在所述基板的表面上的软磁衬层；设置在所述软磁衬层上的取向控制底层；以及设置在所述取向控制底层的上方并具有与所述基板的所述表面近似相垂直的易磁化轴的记录层。所述记录层由具有HCP晶体结构的铁磁性材料制成。所述取向控制底层由具有FCC晶体结构并以NiCr或NiCu作为主要成分的非磁性材料制成。
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公开(公告)号：CN100583246C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200610167039.8
申请日：2006-12-13
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 乡家隆志
CPC classification number: G11B5/82 , G11B5/65 , G11B5/66 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质和磁存储设备。该垂直磁记录介质设置有：基板；设置在所述基板的表面上的软磁衬层；设置在所述软磁衬层上的取向控制底层；以及设置在所述取向控制底层的上方并具有与所述基板的所述表面近似相垂直的易磁化轴的记录层。所述记录层由具有HCP晶体结构的铁磁性材料制成。所述取向控制底层由具有FCC晶体结构并以NiCr或NiCu作为主要成分的非磁性材料制成。
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公开(公告)号：CN1835090A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200510083819.X
申请日：2005-07-07
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 乡家隆志
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/7325
Abstract: 本申请公开了一种磁记录介质，该磁记录介质包括基材、设置在基材上的基底层和设置在基底层上的记录层。该记录层包括从基底层侧开始的第一磁性层和第二磁性层。第一磁性层和第二磁性层都包含主要由CoCrPtB组成的铁磁性材料。从原子百分数来看，第一磁性层与第二磁性层相比包含更多B和更少Cr。
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公开(公告)号：CN1797551A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510065151.6
申请日：2005-04-04
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 乡家隆志
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/7325
Abstract: 本发明公开了一种磁记录介质，该磁记录介质可以提高记录层的矫顽力Hc并改善记录层的信噪比，而不降低记录层的耐热波动性，并且可以实现高密度记录。该磁记录介质包括基底、由晶体材料形成的籽晶层、粒径控制层、底层和记录层。该粒径控制层由Ag膜或者W膜形成，是在籽晶层上的散布膜或者连续膜。该粒径控制层用作在其上形成的底层的生长核，并控制底层的晶粒直径。具体而言，当粒径控制层淀积为散布层时，底层在籽晶层和粒径控制层上生长，由于籽晶层表面的影响，可以提高底层的晶体性能。
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公开(公告)号：CN1773609A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200510055919.1
申请日：2005-03-18
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 乡家隆志
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/7325
Abstract: 磁记录介质和磁存储装置。一种磁记录介质，其包括基底、设置在基底上的AlFe基合金层、设置在AlFe基合金层上的底基层、以及设置在底基层上的记录层，并且当在该记录层上记录信息时，沿预定的记录方向对该记录层进行磁化。该基底具有纹理化表面，该纹理化表面具有大致沿该记录方向形成的多个沟槽。
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