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公开(公告)号：CN101038753A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200610107630.4
申请日：2006-07-28
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 根据本发明，提供一种磁记录介质(11)，其包括：非磁性基底构件(1)；下部软磁衬层(2)，其形成在该非磁性基底构件(1)上；非磁性层(4)，其形成在该下部软磁衬层(2)上；上部软磁衬层(6)，其形成在该非磁性层(4)上；以及记录层(9)，其具有垂直磁各向异性，并且该记录层(9)形成在该上部软磁衬层(6)上；其中，在该下部软磁衬层(2)与该非磁性层(4)之间，或在该非磁性层(4)与该上部软磁衬层(6)之间形成晶体磁性层(3)和(5)。
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公开(公告)号：CN101308668A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810099519.4
申请日：2008-05-13
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明涉及一种磁记录介质及制造磁记录介质的方法、以及磁记录设备。根据本发明实施例的一方面，磁记录介质包括：基板；形成于该基板之上的第一粒状层，该第一粒状层具有多个第一磁性粒子和使所述多个第一磁性粒子分离的Si氧化物。该磁记录介质还包括形成于该第一粒状层之上的第二粒状层，该第二粒状层具有多个第二磁性粒子和使所述多个第二磁性粒子分离的Ti氧化物。
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公开(公告)号：CN101192417A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710169484.2
申请日：2007-11-16
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/82 , G11B5/667 , G11B2005/0029 , H01F10/132
Abstract: 本发明公开了一种具有高抗腐蚀性和高Bs的磁记录介质、一种制造该磁记录介质的方法和一种磁记录设备。使用磁层作为记录层的磁记录介质具有垂直磁各向异性。在记录层之下形成的软磁衬层(上软磁衬层和下软磁衬层)包括添加有Ta和Nb中的至少一种元素以及Cr的FeCoZr合金。这种磁记录介质包括具有高抗腐蚀性和高Bs的软磁衬层，因此呈现出高Hc记录性能和高S/N性能。
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公开(公告)号：CN101046979A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610107501.5
申请日：2006-07-27
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 根据本发明，提供了一种磁记录介质10，其包括：非磁性的基底1；形成于该非磁性基底1上的非磁性衬层3；形成于该非磁性衬层3上的第一记录层4，第一记录层4具有垂直磁各向异性，其各向异性磁场为Hk1，厚度为t1，且饱和磁化强度为Ms1；及形成于该第一记录层4之上或之下的第二记录层5，该第二记录层5具有垂直磁各向异性，其各向异性磁场为Hk2，厚度为t2，且饱和磁化强度为Ms2；其中，该各向异性磁场Hk1、Hk2，厚度t1、t2，及饱和磁化强度Ms1、Ms2分别满足条件Hk2＜Hk1及(t2·Ms2)/(t1·Ms1)。
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公开(公告)号：CN1639774A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03805664.X
申请日：2003-03-17
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/656 , G11B5/732 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质及其制造方法。该磁记录介质包括：由Co基合金材料构成的强磁性层和配置于强磁性层上的由Ru或Ru基合金材料构成的非磁性结合层和配置于非磁性结合层上的由Co基合金材料构成的磁记录层。非磁性结合层由于是在Ar－N2混合气体气氛中通过溅射而形成，所以其中含有氮。在溅射过程中的氮气分压强在6.7×10－3～3.7×10－2Pa的范围之内。
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公开(公告)号：CN100552777C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200610107501.5
申请日：2006-07-27
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 根据本发明，提供了一种磁记录介质(10)，其包括：非磁性的基底(1)；形成于该非磁性基底(1)上的非磁性衬层(3)；形成于该非磁性衬层(3)上的第一记录层(4)，第一记录层(4)具有垂直磁各向异性，其各向异性磁场为Hk1，厚度为t1，且饱和磁化强度为Ms1；及形成于该第一记录层(4)之上或之下的第二记录层(5)，该第二记录层(5)具有垂直磁各向异性，其各向异性磁场为Hk2，厚度为t2，且饱和磁化强度为Ms2其中，该各向异性磁场Hk1、Hk2，厚度t1、t2，及饱和磁化强度Ms1、Ms2分别满足条件Hk2＜Hk1及(t2·Ms2)/(t1·Ms1)。
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公开(公告)号：CN101312048A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810099946.2
申请日：2008-05-22
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/65 , G11B5/66 , G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质和磁存储设备，所述磁记录介质具有基板、形成在所述基板上的非磁性颗粒层和形成在所述非磁性颗粒层上的记录层。所述非磁性颗粒层由具有hcp或fcc晶体结构的CoCr合金制成，其中非磁性材料偏析于基本柱状的磁性颗粒周围。所述磁记录介质和使用所述介质的磁存储设备具有改进的读/写性能。
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公开(公告)号：CN101154392A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710154362.6
申请日：2007-09-26
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 一种磁记录介质和磁记录设备，本发明的磁记录介质包括：无磁基底材料、软磁下层、中间层、记录层和保护层，这些层堆叠在基底材料上。软磁下层由下软磁层、磁畴控制层(或无磁层)和上软磁层形成。下软磁层和上软磁层均由非晶材料制成，该非晶材料是通过向铁钴(Fe－Co)合金中加入锆(Zr)和钽(Ta)中至少一种元素而非晶化，该铁钴合金构成为形成体心立方(bcc)结构。
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