公开(公告)号：CN1331116C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200510007029.3

申请日：2005-02-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 村尾玲子 ,  铃木政也

IPC: G11B5/84 ,  G11B5/66

Abstract: 一种制造磁记录介质的方法，该方法包括在基底上形成底层，然后在底层上依次形成第一磁性层、非磁性耦合层和第二磁性层。第一和第二磁性层通过非磁性耦合层交换耦合，并且在磁记录介质上没有施加外部磁场的状态下具有反平行的磁化。底层在包含氮气的气氛中由具有bcc晶体结构的Cr或Cr合金制成。

公开(公告)号：CN101079269A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200610160435.8

申请日：2006-11-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 高星英明 ,  远藤敦 ,  村尾玲子 ,  佐藤伸也 ,  菊池晓

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/70

CPC classification number: G11B5/732 ,  G11B5/66 ,  G11B5/7325

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质和磁存储单元。所公开的该磁记录介质包括：基板；和按下述次序叠置在该基板上的底层、第一磁性层、非磁性耦合层、第二磁性层、第三磁性层、非磁性分隔层以及第四磁性层。所述第一磁性层与所述第二磁性层是反铁磁地交换耦合的，并且所述第二磁性层与所述第三磁性层是铁磁地交换耦合的。所述第三磁性层具有比所述第二磁性层的各向异性磁场更小的各向异性磁场，并具有比所述第二磁性层的饱和磁化更大的饱和磁化。

公开(公告)号：CN1639774A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN03805664.X

申请日：2003-03-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 村尾玲子 ,  乡家隆志 ,  贝津功刚 ,  菊池晓

IPC: G11B5/738 ,  G11B5/66 ,  G11B5/851 ,  G11B5/65

CPC classification number: G11B5/66 ,  G11B5/656 ,  G11B5/732 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/8404 ,  G11B5/851

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质及其制造方法。该磁记录介质包括：由Co基合金材料构成的强磁性层和配置于强磁性层上的由Ru或Ru基合金材料构成的非磁性结合层和配置于非磁性结合层上的由Co基合金材料构成的磁记录层。非磁性结合层由于是在Ar－N2混合气体气氛中通过溅射而形成，所以其中含有氮。在溅射过程中的氮气分压强在6.7×10－3～3.7×10－2Pa的范围之内。

公开(公告)号：CN100533555C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200610160435.8

申请日：2006-11-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 高星英明 ,  远藤敦 ,  村尾玲子 ,  佐藤伸也 ,  菊池晓

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/70

CPC classification number: G11B5/732 ,  G11B5/66 ,  G11B5/7325

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质和磁存储单元。所公开的该磁记录介质包括：基板；和按下述次序叠置在该基板上的底层、第一磁性层、非磁性耦合层、第二磁性层、第三磁性层、非磁性分隔层以及第四磁性层。所述第一磁性层与所述第二磁性层是反铁磁地交换耦合的，并且所述第二磁性层与所述第三磁性层是铁磁地交换耦合的。所述第三磁性层具有比所述第二磁性层的各向异性磁场更小的各向异性磁场，并具有比所述第二磁性层的饱和磁化更大的饱和磁化。

公开(公告)号：CN1652214A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510007029.3

申请日：2005-02-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 村尾玲子 ,  铃木政也

IPC: G11B5/84 ,  G11B5/66

Abstract: 一种制造磁记录介质的方法，该方法包括在基底上形成底层，然后在底层上依次形成第一磁性层、非磁性耦合层和第二磁性层。第一和第二磁性层通过非磁性耦合层交换耦合，并且在磁记录介质上没有施加外部磁场的状态下具有反平行的磁化。底层在包含氮气的气氛中由具有bcc晶体结构的Cr或Cr合金制成。