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公开(公告)号：CN1702739A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510052626.8
申请日：2005-03-07
申请人： 富士通株式会社
摘要： 提供一种几乎没有污染物粘着的磁头滑动器和一种配备有该磁头滑动器的磁记录装置，该磁头滑动器能够形成均匀平坦的磁头润滑层表面，并具有优异的超低浮动性。该磁头滑动器配备有磁头滑动器润滑层，该磁头滑动器润滑层具有小于等于2.5nm的平均膜厚度，并且由防水树脂构成，该润滑层形成于面向该磁记录介质的磁头滑动器表面和磁头滑动器保护层表面上，使用Fowkes公式所确定的磁头滑动器润滑层的表面张力小于等于该磁头滑动器表面和磁头滑动器保护层表面的表面张力。
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公开(公告)号：CN101925247B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201010202850.1
申请日：2010-06-10
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： C23C16/50 , C23C14/0605 , C23C14/325 , C23C14/564 , H01J37/32055 , H01J37/32357 , H05H1/50
摘要： 一种膜沉积装置和膜沉积方法，其中该膜沉积装置包括：等离子体生成部，被配置为在阴极靶与阳极之间生成等离子体；膜沉积室，其中放置有基材；以及磁场过滤部，被配置为通过磁场从等离子体移除粒子，并将等离子体转移到膜沉积室。磁场过滤部包括：第一外壳区，被施加有第一电压；以及第二外壳区，沿等离子体的移动方向被设置在第一外壳区的下游，所述第二外壳区被施加有第二电压。本发明的膜沉积装置可在衬底上形成包含减少的粒子数量的高质量和高密度的碳膜。
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公开(公告)号：CN1744202A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510007023.6
申请日：2005-01-31
申请人： 富士通株式会社
摘要： 本发明提供一种能够供给极好的磁头飞行稳定性的磁性记录介质和磁头滑动器、一种具有极好的磁头飞行稳定性的磁性记录装置、以及一种在短时间内制造能够供给极好的磁头飞行稳定性的磁性记录介质和磁头滑动器的制造方法。对于该磁性记录介质和磁头滑动器，保护层均由两层组成，即一下层和一在该下层上的上层；使该下层的电离电位小于该上层的电离电位；并且使该上层的表面自由能为45mN/m或更小。
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公开(公告)号：CN101925247A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010202850.1
申请日：2010-06-10
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： C23C16/50 , C23C14/0605 , C23C14/325 , C23C14/564 , H01J37/32055 , H01J37/32357 , H05H1/50
摘要： 一种膜沉积装置和膜沉积方法，其中该膜沉积装置包括：等离子体生成部，被配置为在阴极靶与阳极之间生成等离子体；膜沉积室，其中放置有基材；以及磁场过滤部，被配置为通过磁场从等离子体移除粒子，并将等离子体转移到膜沉积室。磁场过滤部包括：第一外壳区，被施加有第一电压；以及第二外壳区，沿等离子体的移动方向被设置在第一外壳区的下游，所述第二外壳区被施加有第二电压。本发明的膜沉积装置可在衬底上形成包含减少的粒子数量的高质量和高密度的碳膜。
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公开(公告)号：CN101121908B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200610109737.2
申请日：2006-08-09
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： C10M107/38 , G11B5/725 , G11B5/255
CPC分类号： G11B5/725 , C10M107/38 , C10M147/04 , C10M2213/04 , C10N2220/021 , C10N2230/56 , C10N2240/204 , C10N2250/141 , G11B5/255 , Y10T428/1164 , Y10T428/1179
摘要： 本发明提供了一种润滑剂，在磁记录装置中，其被作磁记录介质的润滑剂层和/或滑动头的润滑剂层时，使润滑剂层的厚度很薄。即使是高分子量，也可以获得足够薄的单分子层膜厚度。在不降低飞行稳定性的情况下，在广的温度范围内提高了可靠性。该润滑剂包括含氟聚合物，润滑剂有如下关系：Y
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公开(公告)号：CN100373460C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510007023.6
申请日：2005-01-31
申请人： 富士通株式会社
摘要： 本发明提供一种能够供给极好的磁头飞行稳定性的磁性记录介质和磁头滑动器、一种具有极好的磁头飞行稳定性的磁性记录装置、以及一种在短时间内制造能够供给极好的磁头飞行稳定性的磁性记录介质和磁头滑动器的制造方法。对于该磁性记录介质和磁头滑动器，保护层均由两层组成，即一下层和一在该下层上的上层；使该下层的电离电位小于该上层的电离电位；使该上层的表面自由能为45mN/m或更小；所述上层包含氢和氟中的至少一种元素；并且所述下层包含氮和氧中的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN101121908A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200610109737.2
申请日：2006-08-09
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： C10M107/38 , G11B5/725 , G11B5/255
CPC分类号： G11B5/725 , C10M107/38 , C10M147/04 , C10M2213/04 , C10N2220/021 , C10N2230/56 , C10N2240/204 , C10N2250/141 , G11B5/255 , Y10T428/1164 , Y10T428/1179
摘要： 本发明提供了一种润滑剂，在磁记录装置中，其被作磁记录介质的润滑剂层和/或滑动头的润滑剂层时，使润滑剂层的厚度很薄。即使是高分子量，也可以获得足够薄的单分子层膜厚度。在不降低飞行稳定性的情况下，在广的温度范围内提高了可靠性。该润滑剂包括含氟聚合物，润滑剂有如下关系：Y＜－1.4475X+2.815，其中Y是23℃时扩散系数的自然对数(单位：μm2/s)；X是20℃时的粘度(单位：Pas)，或它包含有特定结构的含氟聚合物，并且相邻的极性基团之间的分子链的数均分子量不小于500。
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公开(公告)号：CN1322490C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200510052626.8
申请日：2005-03-07
申请人： 富士通株式会社
摘要： 提供一种几乎没有污染物粘着的磁头滑动器和一种配备有该磁头滑动器的磁记录装置，该磁头滑动器能够形成均匀平坦的磁头润滑层表面，并具有优异的超低浮动性。该磁头滑动器配备有磁头滑动器润滑层，该磁头滑动器润滑层具有小于等于2.5nm的平均膜厚度，并且由防水树脂构成，该润滑层形成于面向该磁记录介质的磁头滑动器表面和磁头滑动器保护层表面上，使用Fowkes公式所确定的磁头滑动器润滑层的表面张力小于等于该磁头滑动器表面和磁头滑动器保护层表面的表面张力。
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