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公开(公告)号：CN117979527A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410311261.9
申请日：2024-03-19
申请人： 罗小果
发明人： 罗小果
摘要： 一种用于真空电弧放电的螺旋管阳极及其控制方法，涉及真空电弧等离子表面处理技术领域，其采用优化结构设计的螺旋管状结构，直接与运动工件之间产生电弧燃烧，并采用直流双电源供电方式，从而能够有效达到控制电弧放电位置和燃烧区域的目的，同时实现对工件表面的处理。所述一种用于真空电弧放电的螺旋管阳极中，螺旋管阳极套装有磁场线圈，且所述磁场线圈具有绝缘层，并放置于真空室内；第一直流电弧电源和第二直流电弧电源，以及磁场直流电源均放置于真空室外；工件作为负极穿设过真空室中心和阳极中心，并做单向运动或往复运动。
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公开(公告)号：CN107197585B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201710452258.9
申请日：2017-06-15
申请人： 青岛安德尔生态科技发展有限公司
摘要： 本发明公开了一种等离子体发生器，包括电极组和绝缘介质，所述电极组包括第一电极和第二电极，所述第一电极、绝缘介质和第二电极围绕一空气流路依次设置，且所述空气流路为一通道，其用于使得空气从该通道穿过以形成等离子体。本发明还公开了一种等离子体发生器的制备方法及空气净化装置。本发明的等离子发生器及空气净化装置无须升压过高，只需要升压到1.3‑1.6KV即可，避免了过高压(1.8KV以上)下放电使得臭氧以及其他伴生物的产生；并且本发明不需要强气流把等离子吹出去，低压风流情况下即可快速扩散，发生体电极发热小，能够延长电极使用寿命。
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公开(公告)号：CN109881166A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910226747.1
申请日：2017-01-25
申请人： 京浜乐梦金属科技株式会社
摘要： 本发明涉及溅射阴极、溅射装置和成膜体的制造方法。溅射阴极具有溅射靶，所述溅射靶具有横截面形状具有相互相对的一对长边部的管状的形状且侵蚀面朝向内侧。使用该溅射阴极，在由溅射靶包围的空间的上方，使具有宽度比溅射靶的长边部窄的成膜区域的被成膜体与溅射靶的一端面平行地且沿与长边部垂直的方向以恒定速度移动，同时进行放电使得产生沿着溅射靶的内表面环绕的等离子体，利用由溅射气体产生的等离子体中的离子使溅射靶的长边部的内表面进行溅射，从而在被成膜体的成膜区域进行成膜。
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公开(公告)号：CN101925247A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010202850.1
申请日：2010-06-10
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： C23C16/50 , C23C14/0605 , C23C14/325 , C23C14/564 , H01J37/32055 , H01J37/32357 , H05H1/50
摘要： 一种膜沉积装置和膜沉积方法，其中该膜沉积装置包括：等离子体生成部，被配置为在阴极靶与阳极之间生成等离子体；膜沉积室，其中放置有基材；以及磁场过滤部，被配置为通过磁场从等离子体移除粒子，并将等离子体转移到膜沉积室。磁场过滤部包括：第一外壳区，被施加有第一电压；以及第二外壳区，沿等离子体的移动方向被设置在第一外壳区的下游，所述第二外壳区被施加有第二电压。本发明的膜沉积装置可在衬底上形成包含减少的粒子数量的高质量和高密度的碳膜。
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公开(公告)号：CN101211687A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610171549.2
申请日：2006-12-30
发明人： 胡立琼
IPC分类号： H01F5/00 , H01F38/14 , H05H1/46 , H05H1/50 , H01L21/306
摘要： 本发明公开了一种电感耦合线圈及应用该线圈的电感耦合等离子体装置，由两个或多个结构基本相同的独立分支嵌套构成，多个独立分支同轴线，且相对轴线对称布置，并联连接，每个独立分支包括多段线圈连接而成为平面结构，相邻两段线圈的旋向相反。电感耦合线圈设于电感耦合等离子体装置的反应室上部，并与射频电源连接。可以使受激发的工艺气体所产生的等离子体在反应腔室的晶片上方分布均匀，使晶片表面发生的化学反应速度差异较小，刻蚀速率均匀，提高刻蚀晶片的质量。主要用于半导体晶片加工设备，也适用于其它的设备。
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公开(公告)号：CN101136279A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200610112658.7
申请日：2006-08-28
IPC分类号： H01F5/00 , H01F38/14 , H05H1/46 , H05H1/50 , H01L21/306
CPC分类号： H01J37/3211 , H01F27/28 , H01F38/10 , H01F38/14 , H01J37/321 , H01J37/32119 , H01J37/32183 , H01J2237/3344
摘要： 本发明公开了一种电感耦合线圈及应用该电感耦合线圈的电感耦合等离子体装置，包括内部线圈和外部线圈，内部线圈与外部线圈相互独立且同轴线布置；内部线圈由多个结构相同的内部独立分支嵌套构成，多个内部独立分支相对轴线中心对称布置；外部线圈由多个结构相同的外部独立分支嵌套构成，多个外部独立分支相对轴线中心对称布置。电感耦合线圈设于电感耦合等离子体装置的反应室上部，并与射频电源连接。可以使工艺气体在反应腔室的晶片上方分布均匀，使晶片表面发生的化学反应速度差异较小，刻蚀速率均匀，提高刻蚀晶片的质量。主要用于半导体晶片加工设备，也适用于其它的设备。
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公开(公告)号：CN105764227B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201610334319.7
申请日：2016-05-19
申请人： 中国工程物理研究院材料研究所
IPC分类号： H05H1/50
摘要： 本发明公开一种高束流直流空心阴极等离子体源，包括密封管、空心电极、阴极板、连接板、第一阳极板、第二阳极板、引弧隔套和控制电源；空心电极安装在阴极板上；密封管与阴极板连接并将空心电极套入其中；密封管顶部设有用于将气体输入至空心电极中的气体导入口；连接板用于实现阴极板和第一阳极板的密封连接，并使二者之间形成电势差；第二阳极板与空心电极之间形成高密度等离子体束流；引弧隔套设在空心电极与第二阳极板之间；控制电源具有正极、负极和引弧极，正极连接第二阳极板，负极连接阴极板，引弧极连接第一阳极板。本发明可以满足多种气体的使用，并可以产生高离化率的等离子体束流，从而有效提高了能量的转化效率。
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公开(公告)号：CN104221477B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201380019358.2
申请日：2013-02-27
申请人： 中外炉工业株式会社
发明人： 古屋英二
CPC分类号： H01J37/3411 , C23C14/32 , C23C14/35 , H01J37/32055 , H01J37/3266 , H01J37/3458 , H05H1/46
摘要： 提供一种能在广大的范围内产生均匀的等离子体的等离子体产生装置。根据本发明的等离子体产生装置(1)的特征在于，将两个等离子枪(3)相对配置，这两个等离子枪(3)喷射出电离的放电气体，且分别包括辐射电子的阴极(6)、和形成对辐射出的电子进行引导的磁通量的聚焦线圈(10)，两个等离子枪(3)的相对于阴极阴极(6)的聚焦线圈(10)的极性为彼此相反的朝向。
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公开(公告)号：CN104221477A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201380019358.2
申请日：2013-02-27
申请人： 中外炉工业株式会社
发明人： 古屋英二
CPC分类号： H01J37/3411 , C23C14/32 , C23C14/35 , H01J37/32055 , H01J37/3266 , H01J37/3458 , H05H1/46
摘要： 本发明提供一种能在广大的范围内产生均匀的等离子体的等离子体产生装置。根据本发明的等离子体产生装置(1)的特征在于，将两个等离子枪(3)相对配置，这两个等离子枪(3)喷射出电离的放电气体，且分别包括辐射电子的阴极(6)、和形成对辐射出的电子进行引导的磁通量的聚焦线圈(10)，两个等离子枪(3)的相对于阴极阴极(6)的聚焦线圈(10)的极性为彼此相反的朝向。
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公开(公告)号：CN101925247B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201010202850.1
申请日：2010-06-10
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： C23C16/50 , C23C14/0605 , C23C14/325 , C23C14/564 , H01J37/32055 , H01J37/32357 , H05H1/50
摘要： 一种膜沉积装置和膜沉积方法，其中该膜沉积装置包括：等离子体生成部，被配置为在阴极靶与阳极之间生成等离子体；膜沉积室，其中放置有基材；以及磁场过滤部，被配置为通过磁场从等离子体移除粒子，并将等离子体转移到膜沉积室。磁场过滤部包括：第一外壳区，被施加有第一电压；以及第二外壳区，沿等离子体的移动方向被设置在第一外壳区的下游，所述第二外壳区被施加有第二电压。本发明的膜沉积装置可在衬底上形成包含减少的粒子数量的高质量和高密度的碳膜。
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