公开(公告)号：CN105917748B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201580004759.X

申请日：2015-01-15

申请人： 盖列姆企业私人有限公司

发明人： 伊恩·曼 ,  萨蒂亚纳拉杨·巴瑞克 ,  玛丽·汪德比尔特-富盖 ,  乔希·布朗 ,  保罗·邓尼根

IPC分类号： H05H1/46 ,  C23C16/34 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/34 ,  C23C16/509 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32486 ,  H01J2237/3321

摘要： 描述了等离子体发生器，其使用部分的PBN衬里，相对于使用完全的PBN衬里不仅在膜形成的过程中使得高能气体组分的损失最小化，而且减少了引入到生长膜中的硼杂质的水平。还描述了这种等离子体发生器在成膜装置和成膜方法中的使用。

公开(公告)号：CN108475634A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201780006126.1

申请日：2017-01-11

申请人： 马特森技术有限公司

发明人： 弗拉迪米尔·纳戈尔尼 ,  马绍铭 ,  维贾伊·M·瓦尼亚普拉 ,  赖恩·M·帕库尔斯基

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01L21/311 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/0206 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32651 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0273

摘要： 提供了用于使用可变图案分离网格在等离子体处理设备中处理衬底的系统、方法和设备。在一个示例实现方式中，等离子体处理设备可以具有等离子体室和与等离子体室分离的处理室。该设备还可以包括将等离子体室与处理室分离的可变图案分离网格。可变图案分离网格可以包括多个网格板。每个网格板可以具有一个或更多个孔的网格图案。该多个网格板中的至少一个网格板可以相对于该多个网格板中的其他网格板移动，使得可变图案分离网格可以提供多个不同的复合网格图案。

公开(公告)号：CN108461374A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201711372325.2

申请日：2017-12-19

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 王德琪 ,  刘刚 ,  阿南德·查德拉什卡 ,  杨宗翰 ,  约翰·W·格里斯沃尔德

IPC分类号： H01J37/32 ,  C23C16/02

CPC分类号： H01L21/76879 ,  C23C16/08 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/3321 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

摘要： 本发明涉及用于远程等离子体处理的室调节。本文描述的方法、系统和装置涉及用于远程等离子体处理的室调节，特别地涉及远程的基于氮的等离子体处理。本公开的某些实现方式涉及用于特征填充的包括室调节的远程等离子体抑制处理。本公开的实施方式涉及在衬底(诸如半导体晶片)的基于氮的远程等离子体处理之前将远程等离子体处理室暴露于氟物质。晶片内均匀性和晶片间均匀性得到改善。

公开(公告)号：CN108292600A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680052365.6

申请日：2016-07-25

申请人： 应用材料公司

发明人： S·巴苏 ,  J·李 ,  P·康纳斯 ,  D·R·杜鲍斯 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  K·T·纳拉辛哈 ,  B·贝伦斯 ,  K·高希 ,  周建华 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  K·D·李 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  H·小木曾 ,  L·克里武莉娜 ,  R·吉尔伯特 ,  M·瓦卡尔 ,  V·山卡拉姆茜 ,  H·K·波内坎蒂

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/68785

摘要： 本文公开的实现描述一种在装载锁定斜面蚀刻腔室内的斜面蚀刻设备及其使用方法。所述斜面蚀刻设备具有在装载锁定斜面蚀刻腔室内的掩模组件。在蚀刻处理期间，掩模组件传输气体流，以控制斜面蚀刻，而无需使用阴影框。如此，在所述斜面边缘处的所述边缘排除可被减少，由此提高产品的良率。

公开(公告)号：CN108155080A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201611097324.7

申请日：2016-12-02

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 郭士选 ,  苏恒毅

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/3065

摘要： 本发明公开了一种等离子体产生装置及包括该装置的半导体设备，等离子体产生装置包括主筒和沿主筒周向设置的主筒线圈，主筒上方设有中心进气孔，还包括副筒和沿副筒周向设置的副筒线圈，其中，副筒设置于主筒下方，且副筒与主筒同轴设置，副筒的内径大于主筒的内径，主筒的径向外侧、副筒与主筒之间设有边缘进气孔。本发明提供的等离子体产生装置以及包括该装置的半导体设备能够有效的控制等离子体在待加工工件表面的分布，提高待加工工件刻蚀的均匀性。

公开(公告)号：CN107735510A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201680023770.5

申请日：2016-05-11

申请人： 应用材料公司

发明人： 河振晚 ,  金载仲 ,  郑镕拘 ,  朴春熙 ,  崔寿永

IPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/458 ,  H01J37/32

CPC分类号： C23C16/042 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32715

摘要： 本公开内容的实施方式包括用于使沉积腔室中使用的阴影掩模电接地的方法和设备。在一个实施方式中，提供基板支撑件，并且基板支撑件包括：基板接收表面；以及多个可压缩的接地装置，所述多个可压缩的接地装置围绕基板接收表面的周边设置。多个接地装置中的每个包括：基部构件，所述基部构件被固定到基板支撑件；以及偏压组件，所述偏压组件能移动地设置在基部构件中。

公开(公告)号：CN107466421A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201680021656.9

申请日：2016-04-19

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 郑愚德 ,  崔圭鎭 ,  朴松焕 ,  金劲勳 ,  韩星珉 ,  崔圣厦

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01L21/205 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32623

摘要： 揭露一种基板处理装置。基板处理装置包含：腔室，其提供基板处理空间；处理气体供应管线，其用以将处理气体供应至腔室中；第一扩散板，在其边缘部分上形成有注入孔，注入孔用以注入处理气体；基板支撑件，其面向第一扩散板且用以支撑基板；第二扩散板，其提供于第一扩散板与基板支撑件之间且在其上形成有多个分布孔；以及等离子体产生单元，其用以在第一扩散板与第二扩散板之间的空间中形成等离子体。

公开(公告)号：CN104517819B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201410468894.7

申请日：2014-09-15

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 山本哲夫 ,  盛满和广 ,  丰田一行 ,  大野健治 ,  高崎唯史 ,  广濑育男 ,  佐佐木隆史

IPC分类号： H01L21/22

CPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

摘要： 在使用了缓冲空间的单片式装置中，也能够抑制缓冲空间的副产物发生。为解决上述课题，提供一种半导体器件的制造方法，具有：将衬底送入处理室的工序；通过喷头的缓冲室将含第一元素气体供给到载置在所述处理室内的衬底的含第一元素气体供给工序；通过所述缓冲室将含第二元素气体供给到所述衬底的含第二元素气体供给工序；和在所述含第一元素气体供给工序和含第二元素气体供给工序之间进行的排气工序，所述排气工序具有：对所述缓冲室内的环境气体进行排气的缓冲室排气工序；和在所述缓冲室排气工序之后对所述处理室内的环境气体进行排气的处理室排气工序。

公开(公告)号：CN106876264A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710127682.6

申请日：2012-10-17

申请人： 应用材料公司

发明人： D·卢博米尔斯基 ,  S·耐马尼 ,  E·叶 ,  S·G·别洛斯托茨基

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/67069 ,  C23C16/0245 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32587 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6831

摘要： 本发明描述用于蚀刻低k及其它介电质膜的方法及制程腔室。举例而言，方法包括以等离子体制程修改低k介电层的部分。在掩模层及低k介电层的未经修改的部分上有选择地蚀刻低k介电层的经修改的部分。描述具有用于交替地产生不同等离子体的多个腔室区域的蚀刻腔室。在实施例中，在一个操作模式中提供第一电荷耦合的等离子体源以产生至工作件的离子流，而在另一操作模式中提供第二等离子体源以提供反应性物质流而无至工作件的显著离子流。控制器操作以随时间重复循环操作模式以移除期望的介电材料的累积量。

公开(公告)号：CN103348776B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201180067134.X

申请日：2011-07-27

申请人： 应用材料公司

发明人： 马修·斯科特·罗杰斯 ,  华仲强 ,  克里斯托弗·S·奥尔森

IPC分类号： H05H1/34 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC分类号： C23C16/513 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/481 ,  C23C16/505 ,  C23C16/517 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244

摘要： 本发明的实施例提供了一种方法和设备，通过在给定压力下控制等离子体中离子与自由基的比例而对基板进行等离子体处理，以于基板上和置于其上的器件上形成薄膜。可维持给定压力以利用一等离子体源促进离子生成，并可用第二等离子体源来提供其他自由基。在一实施例中，在处理区域中生成低压等离子体，并于单独区域中生成高压等离子体，所述处理区域具有位于其中的基板。来自高压等离子体的自由基被注入到具有低压等离子体的处理区域中，因而在给定操作压力下改变自由基对离子的自然分布。所得到的处理与设备能调适离子与自由基的比例，以更好地控制在高纵横比特征结构上的薄膜形成，并因而提升角区磨圆、侧壁对底部沟槽成长的共形性，及选择性成长。