光调制设备、光发射器及用于光调制器的控制方法

    公开(公告)号:CN104297947B

    公开(公告)日:2017-07-21

    申请号:CN201410339030.5

    申请日:2014-07-16

    Inventor: 早川明宪

    Abstract: 本发明涉及光调制设备、光发射器及用于光调制器的控制方法。一种光调制设备,包括光调制单元(2)和控制器(3)。光调制单元(2)包括多个环形光调制器(9),多个环形光调制器彼此级联耦合并且其环形光波导具有彼此不同的往返长度。针对环形光调制器中的至少一个环形光调制器,控制器(3)执行第一谐振波长调节控制以将环形光调制器的谐振波长调节为一个输入光波长;执行第二谐振波长调节控制以从环形光调制器中指定表现出将环形光波导的谐振波长调节为一个输入光波长所需的最小电流量的环形光调制器,从而将所指定环形光调制器的谐振波长调节为一个输入光波长;以及针对所指定环形光调制器执行调制驱动控制。

    光学半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN103579903A

    公开(公告)日:2014-02-12

    申请号:CN201310328802.0

    申请日:2013-07-31

    Abstract: 本发明提供一种光学半导体器件及其制造方法。该光学半导体器件包括:半导体衬底;下部覆层,形成在半导体衬底上方;量子阱有源层,形成在下部覆层上;衍射光栅层,形成在量子阱有源层上方且在其表面中形成有衍射光栅;以及上部覆层,形成在衍射光栅层的衍射光栅上。另外,量子阱有源层的相邻于光学半导体器件的外端面的外部区域中的带隙大于量子阱有源层的位于外部区域之间的内部区域中的带隙,以及包括下部覆层且布置在半导体衬底与量子阱有源层之间的一个或多个层的厚度大于或等于2.3μm。

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