光子晶体全光学D触发器

    公开(公告)号:CN104485928B

    公开(公告)日:2017-01-18

    申请号:CN201410799752.9

    申请日:2014-12-19

    Abstract: 本发明公开了一种光子晶体全光学D触发器,它包括一个光子晶体结构单元、一个光开关单元、一个内置或外置的参考光源、一个内置或外置的吸收负载;光子晶体结构单元由两个信号输入端,一个信号输出端及一个闲置端口组成;光子晶体结构单元的时钟信号输入端与时钟控制信号CP连接;光子晶体结构单元的中间信号输入端与光开关单元的第一中间信号输出端连接;逻辑信号D与光开关单元的第一信号输入端连接;吸收负载与光开关单元的第二中间信号输出端连接;参考光源与光开关单元的第二信号输入端连接;第二信号输入端为参考光输入端,参考光输入端与一个参考光源的输出端连接。本发明结构紧凑,易与其他光学逻辑元件进行集成。

    基于平板光子晶体的高偏振度及高消光比TE光开关

    公开(公告)号:CN104459991B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201410759473.X

    申请日:2014-12-10

    Abstract: 本发明公开了一种基于平板光子晶体的高偏振度及高消光比TE光开关。它包括上下两层平板光子晶体相连的一个整体;上平板光子晶体为一个TM禁带和完全禁带的第一平板正方晶格光子晶体,第一平板正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形杆、单个第一平板介质杆和背景介质组成,第一平板介质杆由高折射率介质套管和套管内的低折射率介质组成,或者由一块高折射率平板薄膜组成,或者由一块低折射率介质组成;下平板光子晶体为一个TM完全禁带的第二正方晶格光子晶体,第二正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形杆、单个第二平板介质杆和背景介质组成;TE光开关频率为0.453~0.458。本发明结构实现了高偏振度及高消光比的TE光开关。

    光子晶体全光学D触发器

    公开(公告)号:CN104485928A

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201410799752.9

    申请日:2014-12-19

    Abstract: 本发明公开了一种光子晶体全光学D触发器,它包括一个光子晶体结构单元、一个光开关单元、一个内置或外置的参考光源、一个内置或外置的吸收负载;光子晶体结构单元由两个信号输入端,一个信号输出端及一个闲置端口组成;光子晶体结构单元的时钟信号输入端与时钟控制信号CP连接;光子晶体结构单元的中间信号输入端与光开关单元的第一中间信号输出端连接;逻辑信号D与光开关单元的第一信号输入端连接;吸收负载与光开关单元的第二中间信号输出端连接;参考光源与光开关单元的第二信号输入端连接;第二信号输入端为参考光输入端,参考光输入端与一个参考光源的输出端连接。本发明结构紧凑,易与其他光学逻辑元件进行集成。

    基于平板光子晶体的高偏振度及高消光比TE光开关

    公开(公告)号:CN104459991A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410759473.X

    申请日:2014-12-10

    Abstract: 本发明公开了一种基于平板光子晶体的高偏振度及高消光比TE光开关。它包括上下两层平板光子晶体相连的一个整体;上平板光子晶体为一个TM禁带和完全禁带的第一平板正方晶格光子晶体,第一平板正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形杆、单个第一平板介质杆和背景介质组成,第一平板介质杆由高折射率介质套管和套管内的低折射率介质组成,或者由一块高折射率平板薄膜组成,或者由一块低折射率介质组成;下平板光子晶体为一个TM完全禁带的第二正方晶格光子晶体,第二正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形杆、单个第二平板介质杆和背景介质组成;TE光开关频率为0.453~0.458。本发明结构实现了高偏振度及高消光比的TE光开关。

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