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公开(公告)号:CN108693674A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201810301535.0
申请日:2018-04-04
Applicant: 美国亚德诺半导体公司
IPC: G02F1/29
CPC classification number: G02F1/295 , G02F1/292 , G02F1/2955 , G02F2201/06 , G02F2201/16 , G02F2203/24
Abstract: 本公开涉及用于转向光束的子孔径折射元件阵列。可以提供使用子孔径折射元件阵列动态调整光束的平面内角度的系统和方法。光束可以在互连所述第一行凸起的第一基底处接收。然后光束可以向所述第一行凸起的远端峰方向折射光。然后光束可以从第二行凸起的远端峰的方向接收,所述第二行凸起的布置面向所述第一行的相应凸起。第二行可以在互连所述第二行凸起的第二基底的方向上提供另外的折射光。
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公开(公告)号:CN106788765A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201611088806.6
申请日:2016-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H04B10/516 , H04B10/54
CPC classification number: G02F1/2257 , G02F1/025 , G02F2001/212 , G02F2201/06 , G02F2201/18 , G02F2201/302 , G02F2203/07 , H04B10/516 , H04B10/5161 , H04B10/541
Abstract: 本发明公开了一种硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片,该硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片包括:2个单模垂直耦合光栅,2个调制模块,1个2×1多模干涉耦合器,1个双模垂直耦合光栅。该硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片能够双波长、双偏振态工作,将偏振复用与波分复用相结合,实现复杂格式调制,提高数据调制速率。该硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片可实现双偏振16进制正交幅度调制,满足下一代光通信系统要求的高阶格式调制,调制速率可达到甚至超过400Gbit/s。
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公开(公告)号:CN104485928B
公开(公告)日:2017-01-18
申请号:CN201410799752.9
申请日:2014-12-19
IPC: H03K3/42
CPC classification number: G02F3/00 , G02B6/1225 , G02B6/3544 , G02F1/3511 , G02F1/365 , G02F2201/06 , G02F2202/32
Abstract: 本发明公开了一种光子晶体全光学D触发器,它包括一个光子晶体结构单元、一个光开关单元、一个内置或外置的参考光源、一个内置或外置的吸收负载;光子晶体结构单元由两个信号输入端,一个信号输出端及一个闲置端口组成;光子晶体结构单元的时钟信号输入端与时钟控制信号CP连接;光子晶体结构单元的中间信号输入端与光开关单元的第一中间信号输出端连接;逻辑信号D与光开关单元的第一信号输入端连接;吸收负载与光开关单元的第二中间信号输出端连接;参考光源与光开关单元的第二信号输入端连接;第二信号输入端为参考光输入端,参考光输入端与一个参考光源的输出端连接。本发明结构紧凑,易与其他光学逻辑元件进行集成。
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公开(公告)号:CN104871075A
公开(公告)日:2015-08-26
申请号:CN201380066080.4
申请日:2013-12-10
Applicant: 伊士曼化工公司
Inventor: D.A.戈德弗里
CPC classification number: G02B1/10 , C08L1/12 , C08L1/14 , G02B1/04 , G02B5/3083 , G02F1/13 , G02F1/292 , G02F2201/06 , G02F2203/28
Abstract: 本发明涉及纤维素酰化物的可混溶的共混物、由其制备的膜以及制备该纤维素酰化物的可混溶的共混物和由其制备的膜的方法。
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公开(公告)号:CN1291294A
公开(公告)日:2001-04-11
申请号:CN99803088.0
申请日:1999-02-22
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: G02B6/29362 , G02B6/29395 , G02F1/0147 , G02F2001/212 , G02F2201/06 , G02F2201/307 , H04J14/02
Abstract: 一种可调谐光信号装置和使用所述装置的方法,它具有至少两个滤光器元件,每个所述滤光器元件用具有某一可调节参数的材料制造,并对相邻的滤光器元件将可调节参数保持在略微不同的值。
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公开(公告)号:CN104459991B
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201410759473.X
申请日:2014-12-10
CPC classification number: G02F1/3133 , G02B6/122 , G02B26/00 , G02F2201/06 , G02F2202/32 , G02F2203/07
Abstract: 本发明公开了一种基于平板光子晶体的高偏振度及高消光比TE光开关。它包括上下两层平板光子晶体相连的一个整体;上平板光子晶体为一个TM禁带和完全禁带的第一平板正方晶格光子晶体,第一平板正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形杆、单个第一平板介质杆和背景介质组成,第一平板介质杆由高折射率介质套管和套管内的低折射率介质组成,或者由一块高折射率平板薄膜组成,或者由一块低折射率介质组成;下平板光子晶体为一个TM完全禁带的第二正方晶格光子晶体,第二正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形杆、单个第二平板介质杆和背景介质组成;TE光开关频率为0.453~0.458。本发明结构实现了高偏振度及高消光比的TE光开关。
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公开(公告)号:CN103176327B
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201210376811.2
申请日:2012-10-08
Applicant: 富士通株式会社
Inventor: 秋山知之
CPC classification number: H04J14/0212 , G02B6/12007 , G02F1/0147 , G02F1/313 , G02F1/3132 , G02F2001/311 , G02F2201/06 , G02F2201/58 , G02F2202/101 , G02F2202/105 , G02F2203/05 , G02F2203/15 , G02F2203/58 , G02F2203/585 , H04J14/02
Abstract: 本发明公开了一种解复用器和光解复用方法。一种光开关包括:基板;环形谐振器,其形成在基板上;第一波导,其与环形谐振器光学耦合地形成在基板上,该第一波导被配置成引导WDM信号;光学检测器,其被配置成检测所述环形谐振器中的光信号分量;温度调节器,其响应于光学检测器的输出信号而被驱动,该温度调节器被配置成改变环形谐振器的温度,环形谐振器具有与构成WDM信号的光信号分量的波长相对应的谐振波长,环形谐振器、光学检测器和温度调节器一起构成反馈控制系统,该反馈控制系统将环形谐振器的谐振波长锁定至WDM信号中的光信号分量的波长。
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公开(公告)号:CN105008973A
公开(公告)日:2015-10-28
申请号:CN201480009914.2
申请日:2014-02-19
Applicant: 住友大阪水泥股份有限公司
CPC classification number: G02B6/327 , G02B6/122 , G02B6/30 , G02B6/4209 , G02B2006/12147 , G02F2001/212 , G02F2201/06 , G02F2202/20
Abstract: 一种光设备,具有:波导基板(41),沿波导面形成有两个波导(42b、42c),在出射端面(41b)中从该两个波导分别平行地射出第一、第二出射光;聚光部件(6),将分别入射所述第一、第二出射光并进行准直而射出的第一、第二聚光元件在保持恒定间隔的状态下成型在元件设置面上而成,在光设备中,当将波导面内的所述出射端面与波导方向A所成的角设为θ时,满足0°
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公开(公告)号:CN104485928A
公开(公告)日:2015-04-01
申请号:CN201410799752.9
申请日:2014-12-19
IPC: H03K3/42
CPC classification number: G02F3/00 , G02B6/1225 , G02B6/3544 , G02F1/3511 , G02F1/365 , G02F2201/06 , G02F2202/32 , H03K3/42
Abstract: 本发明公开了一种光子晶体全光学D触发器,它包括一个光子晶体结构单元、一个光开关单元、一个内置或外置的参考光源、一个内置或外置的吸收负载;光子晶体结构单元由两个信号输入端,一个信号输出端及一个闲置端口组成;光子晶体结构单元的时钟信号输入端与时钟控制信号CP连接;光子晶体结构单元的中间信号输入端与光开关单元的第一中间信号输出端连接;逻辑信号D与光开关单元的第一信号输入端连接;吸收负载与光开关单元的第二中间信号输出端连接;参考光源与光开关单元的第二信号输入端连接;第二信号输入端为参考光输入端,参考光输入端与一个参考光源的输出端连接。本发明结构紧凑,易与其他光学逻辑元件进行集成。
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公开(公告)号:CN104459991A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201410759473.X
申请日:2014-12-10
CPC classification number: G02F1/3133 , G02B6/122 , G02B26/00 , G02F2201/06 , G02F2202/32 , G02F2203/07
Abstract: 本发明公开了一种基于平板光子晶体的高偏振度及高消光比TE光开关。它包括上下两层平板光子晶体相连的一个整体;上平板光子晶体为一个TM禁带和完全禁带的第一平板正方晶格光子晶体,第一平板正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形杆、单个第一平板介质杆和背景介质组成,第一平板介质杆由高折射率介质套管和套管内的低折射率介质组成,或者由一块高折射率平板薄膜组成,或者由一块低折射率介质组成;下平板光子晶体为一个TM完全禁带的第二正方晶格光子晶体,第二正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形杆、单个第二平板介质杆和背景介质组成;TE光开关频率为0.453~0.458。本发明结构实现了高偏振度及高消光比的TE光开关。
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