公开(公告)号：CN1402224A

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN02105798.2

申请日：2002-04-18

申请人： 富士通株式会社

发明人： 芦田裕 ,  江口伸 ,  田中厚志 ,  近藤玲子 ,  清水丰

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  Y10T29/49046

摘要： 一种磁阻磁头，其中包括：第一磁屏蔽；位于所述第一磁屏蔽上并具有第一宽度的第一电极端；位于所述第一电极端上并具有等于或小于所述第一宽度的第二宽度的磁阻薄膜。该磁阻磁头进一步包括位于所述磁阻薄膜上的第二电极端，其具有小于或等于所述第二宽度的第三宽度；以及位于所述第二电极端上的第二磁屏蔽。最好，该磁阻磁头进一步包括：用于连接所述第二电极端和所述第二磁屏蔽的插塞电极；以及用于覆盖所述插塞电极的侧壁的插塞侧保护绝缘膜。

公开(公告)号：CN100367351C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN02105798.2

申请日：2002-04-18

申请人： 富士通株式会社

发明人： 芦田裕 ,  江口伸 ,  田中厚志 ,  近藤玲子 ,  清水丰

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  Y10T29/49046

摘要： 一种磁致电阻磁头，其中包括：第一磁屏蔽；位于所述第一磁屏蔽上并具有第一宽度的第一电极端；位于所述第一电极端上并具有等于或小于所述第一宽度的第二宽度的磁致电阻薄膜。该磁致电阻磁头进一步包括位于所述磁致电阻薄膜上的第二电极端，其具有小于或等于所述第二宽度的第三宽度；以及位于所述第二电极端上的第二磁屏蔽。最好，该磁致电阻磁头进一步包括：用于连接所述第二电极端和所述第二磁屏蔽的插塞电极；以及用于覆盖所述插塞电极的侧壁的插塞侧保护绝缘膜。

公开(公告)号：CN101047023A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200610103118.2

申请日：2006-07-04

申请人： 富士通株式会社

发明人： 落合隆夫 ,  梅原慎二郎 ,  芦田裕 ,  佐藤雅重 ,  小林和雄

IPC分类号： G11C11/15 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22

CPC分类号： G11C11/14 ,  G11C11/16 ,  G11C19/0833 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： 一种磁存储装置，其包括磁阻效应元件(54)和写电流施加电路。其中该磁阻效应元件(54)包括：磁性层(42)，其具有沿第一方向钉扎的磁化；非磁性层(50)，其形成在该磁性层(42)上；以及磁性层(52)，其形成在该非磁性层(50)上，并具有沿所述第一方向磁化的第一磁畴，以及沿与所述第一方向相反的第二方向磁化的第二磁畴。该写电流施加电路使写电流沿所述第一方向或所述第二方向流动，以使该第一磁畴与该第二磁畴之间的磁畴壁移动，并控制该磁性层(52)的、与磁性层(42)相对的一部分的磁化方向。