-
公开(公告)号：CN101414657A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810169642.9
申请日：2008-10-13
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , H01F10/3204 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3295 , H01L27/228 , H01L43/10
Abstract: 本发明提供铁磁隧道结元件、磁记录装置以及磁存储器装置。铁磁隧道结元件为电阻随施加的磁场而变化的磁阻效应元件。该铁磁隧道结元件包括：钉扎层，其中保持至少部分磁化方向；以及形成在该钉扎层上的绝缘层，该绝缘层创建电子能够通过隧道效应流过的能量势垒。在该绝缘层上形成有由包含硼原子的第一铁磁材料制成的第一自由层。在该第一自由层中，磁化方向在外部磁场的影响下转换。在该第一自由层上形成有由包含硼原子的第二铁磁材料制成的第二自由层。该第二自由层的磁化方向在该外部磁场的影响下转换，且与该第一自由层交换并耦合。
-
公开(公告)号：CN101271958A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810086892.6
申请日：2008-03-20
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3967 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应器件、磁层叠结构体及磁层叠结构体的制造方法。其中，由NiFeN制成的底层(2)设置于衬底的主表面之上。由包含Ir和Mn的反铁磁材料制成的钉扎层(3)设置于底层上。由铁磁材料制成的基准层(4c)设置于钉扎层之上，其中该铁磁材料的磁化方向通过直接或经由另一铁磁材料层与钉扎层交换耦合而固定。由非磁性材料制成的非磁性层(7)设置于基准层之上。由铁磁材料制成的自由层(8)设置于非磁性层之上，其中该铁磁材料的磁化方向根据外部磁场而改变。本发明能够防止器件性能因钉扎层的表面光滑度恶化而退化。
-
公开(公告)号：CN1542743A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410005831.4
申请日：2000-01-25
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/06 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/3254 , H01F10/3268
Abstract: 本发明披露了一种磁检测器，它包括：(1)一支撑基片，(2)一铁磁隧道结元件，其具有在该支撑基片上的第一磁层，在所述第一磁层上的隧道绝缘层，所述隧道绝缘层包括氧化铝，所述氧化铝是由氧化在第一磁层上形成的铝膜获得的，所述铝膜是使用99.999％或更高纯度的铝靶通过溅射形成的，以及在隧道绝缘层上的第二磁层，以及(3)一用于把磁场的改变转换为电阻的改变的转换元件。此外，作为(2)的铁磁隧道结元件，使用其隧道结具有沿所施加电压的方向为不对称的电压－电阻特性的元件。所述不对称的电压－电阻特性可以通过对绝缘层材料的薄膜进行热处理，改变用于形成氧化物的绝缘层的环境中氧气的局部压力，使用两个或多个用于形成薄膜的靶的材料并移动基片等方法来获得。
-
公开(公告)号：CN101933172B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN200880125996.1
申请日：2008-01-30
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3906 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01L27/228 , H01L43/10
Abstract: 磁电阻效应元件在基板上按顺序层叠有基底层、反铁磁层、第1铁磁层、非磁层、第2铁磁层，上述基底层由金属氮化物形成，上述反铁磁层由包含Ir和Mn在内的反铁磁性材料形成。另外，磁头具有：记录元件，其具有薄膜线圈和通过由上述薄膜线圈所产生的磁通的磁极；以及再现元件，其具有上述磁电阻效应元件。另外，信息存储装置具有：该磁头；通过该磁头进行信息的记录和再现的存储再现介质；以及信号处理基板，其对上述磁头和上述存储再现介质的信息的记录信号和再现信号进行处理。
-
公开(公告)号：CN101183704B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200710152798.1
申请日：2007-09-21
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3906 , H01F10/3204 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3295 , H01F41/303 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1114
Abstract: 一种隧道磁阻器件、其制造方法、磁头及磁存储器，在该隧道磁阻器件中，势垒层设置在被钉扎层上，该被钉扎层由具有固定磁化方向的铁磁材料制成，该势垒层具有允许电子以隧道现象穿过的厚度。第一自由层设置在该势垒层上，该第一自由层由在外部磁场下磁化方向发生改变的非晶或微晶软磁材料制成。第二自由层设置在该第一自由层上，该第二自由层由在外部磁场下磁化方向发生改变的晶体软磁材料制成，该第二自由层与该第一自由层交互耦合。在第一与第二自由层之间设置有结晶抑制层，该结晶抑制层通过延续第二自由层的晶体结构来防止第一自由层结晶。本发明提供了具有良好的磁特性并且可抑制隧道电阻变化率变低的隧道磁阻器件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101183704A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710152798.1
申请日：2007-09-21
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3906 , H01F10/3204 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3295 , H01F41/303 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1114
Abstract: 一种隧道磁阻器件、其制造方法、磁头及磁存储器，在该隧道磁阻器件中，势垒层设置在被钉扎层上，该被钉扎层由具有固定磁化方向的铁磁材料制成，该势垒层具有允许电子以隧道现象穿过的厚度。第一自由层设置在该势垒层上，该第一自由层由在外部磁场下磁化方向发生改变的非晶或细晶软磁材料制成。第二自由层设置在该第一自由层上，该第二自由层由在外部磁场下磁化方向发生改变的晶体软磁材料制成，该第二自由层与该第一自由层交互耦合。本发明提供了具有良好的磁特性并且可抑制隧道电阻变化率变低的隧道磁阻器件。
-
公开(公告)号：CN1194430A
公开(公告)日：1998-09-30
申请号：CN98105893.0
申请日：1998-03-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/127
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/00 , G11B5/012 , G11B5/332 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/123 , H01F10/3254 , H01F10/3295 , H01F41/307 , H01L43/08 , Y10S148/118
Abstract: 一种铁磁性隧道结磁传感器,它包括一个第一铁磁性层,一个形成于前述第一铁磁性层之上的并在其中包括一层隧道氧化膜的绝缘阻挡层和一个形成于前述绝缘阻挡层之上的第二铁磁性层,其中,前述绝缘阻挡层包括一个带前述隧道氧化膜的金属层,前述隧道氧化膜由构成前述金属层的金属元素的氧化物组成,并且,该绝缘阻挡层的厚度约为1.7nm或更小,但大于组成前述隧道氧化膜的前述氧化物的一个分子层的厚度。
-
公开(公告)号：CN101047023A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610103118.2
申请日：2006-07-04
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11C11/14 , G11C11/16 , G11C19/0833 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 一种磁存储装置，其包括磁阻效应元件(54)和写电流施加电路。其中该磁阻效应元件(54)包括：磁性层(42)，其具有沿第一方向钉扎的磁化；非磁性层(50)，其形成在该磁性层(42)上；以及磁性层(52)，其形成在该非磁性层(50)上，并具有沿所述第一方向磁化的第一磁畴，以及沿与所述第一方向相反的第二方向磁化的第二磁畴。该写电流施加电路使写电流沿所述第一方向或所述第二方向流动，以使该第一磁畴与该第二磁畴之间的磁畴壁移动，并控制该磁性层(52)的、与磁性层(42)相对的一部分的磁化方向。
-
公开(公告)号：CN1523574A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200410001651.9
申请日：1999-10-08
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/06 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B2005/3996
Abstract: 提供一种磁头、磁性编码器、硬盘装置和盘阵列装置。该磁头包括铁磁性隧道结元件，该铁磁性隧道结元件具有：磁化方向可自由旋转的自由层；通过势垒层与所述自由层的一面对置、由相邻反铁磁性层固定磁化方向的固定层，所述自由层与高导磁率部件相连接。由此，可以提供具有良好灵敏度磁头和磁性编码器。而且，可以提供适应磁记录载体的高记录密度化的磁头以及采用这种磁头的大记录容量的硬盘装置。
-
公开(公告)号：CN1160707C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN99802174.1
申请日：1999-10-08
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/06 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B2005/3996
Abstract: 提供一种磁性传感器、磁头、磁性编码器、硬盘装置和盘阵列装置。该磁性传感器具有铁磁性隧道结，包括：磁化方向自由旋转的自由层；在自由层上形成的、第一区域厚度较薄的势垒层；在所述势垒层上形成的固定层；以及在所述固定层上形成的、固定所述固定层的磁化方向的反铁磁性层；且与第一区域对应的区域的自由层起检测外磁场的传感部的作用。由此，可以提供具有良好灵敏度的磁性传感器、磁头和磁性编码器。而且，可以提供适应磁记录载体的高记录密度化的磁头以及采用这种磁头的大记录容量的硬盘装置。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.021 seconds)
