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公开(公告)号：CN101271958B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810086892.6
申请日：2008-03-20
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： G11B5/3967 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： 本发明提供一种磁阻效应器件、磁层叠结构体及磁层叠结构体的制造方法。其中，由NiFeN制成的底层(2)设置于衬底的主表面之上。由包含Ir和Mn的反铁磁材料制成的钉扎层(3)设置于底层上。由铁磁材料制成的基准层(4c)设置于钉扎层之上，其中该铁磁材料的磁化方向通过直接或经由另一铁磁材料层与钉扎层交换耦合而固定。由非磁性材料制成的非磁性层(7)设置于基准层之上。由铁磁材料制成的自由层(8)设置于非磁性层之上，其中该铁磁材料的磁化方向根据外部磁场而改变。本发明能够防止器件性能因钉扎层的表面光滑度恶化而退化。
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公开(公告)号：CN101047023A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610103118.2
申请日：2006-07-04
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： G11C11/14 , G11C11/16 , G11C19/0833 , H01L27/228 , H01L43/08
摘要： 一种磁存储装置，其包括磁阻效应元件(54)和写电流施加电路。其中该磁阻效应元件(54)包括：磁性层(42)，其具有沿第一方向钉扎的磁化；非磁性层(50)，其形成在该磁性层(42)上；以及磁性层(52)，其形成在该非磁性层(50)上，并具有沿所述第一方向磁化的第一磁畴，以及沿与所述第一方向相反的第二方向磁化的第二磁畴。该写电流施加电路使写电流沿所述第一方向或所述第二方向流动，以使该第一磁畴与该第二磁畴之间的磁畴壁移动，并控制该磁性层(52)的、与磁性层(42)相对的一部分的磁化方向。
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公开(公告)号：CN101414657A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810169642.9
申请日：2008-10-13
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , H01F10/3204 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3295 , H01L27/228 , H01L43/10
摘要： 本发明提供铁磁隧道结元件、磁记录装置以及磁存储器装置。铁磁隧道结元件为电阻随施加的磁场而变化的磁阻效应元件。该铁磁隧道结元件包括：钉扎层，其中保持至少部分磁化方向；以及形成在该钉扎层上的绝缘层，该绝缘层创建电子能够通过隧道效应流过的能量势垒。在该绝缘层上形成有由包含硼原子的第一铁磁材料制成的第一自由层。在该第一自由层中，磁化方向在外部磁场的影响下转换。在该第一自由层上形成有由包含硼原子的第二铁磁材料制成的第二自由层。该第二自由层的磁化方向在该外部磁场的影响下转换，且与该第一自由层交换并耦合。
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公开(公告)号：CN101271958A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810086892.6
申请日：2008-03-20
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： G11B5/3967 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： 本发明提供一种磁阻效应器件、磁层叠结构体及磁层叠结构体的制造方法。其中，由NiFeN制成的底层(2)设置于衬底的主表面之上。由包含Ir和Mn的反铁磁材料制成的钉扎层(3)设置于底层上。由铁磁材料制成的基准层(4c)设置于钉扎层之上，其中该铁磁材料的磁化方向通过直接或经由另一铁磁材料层与钉扎层交换耦合而固定。由非磁性材料制成的非磁性层(7)设置于基准层之上。由铁磁材料制成的自由层(8)设置于非磁性层之上，其中该铁磁材料的磁化方向根据外部磁场而改变。本发明能够防止器件性能因钉扎层的表面光滑度恶化而退化。
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公开(公告)号：CN101933172A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200880125996.1
申请日：2008-01-30
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3906 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01L27/228 , H01L43/10
摘要： 磁电阻效应元件在基板上按顺序层叠有基底层、反铁磁层、第1铁磁层、非磁层、第2铁磁层，上述基底层由金属氮化物形成，上述反铁磁层由包含Ir和Mn在内的反铁磁性材料形成。另外，磁头具有：记录元件，其具有薄膜线圈和通过由上述薄膜线圈所产生的磁通的磁极；以及再现元件，其具有上述磁电阻效应元件。另外，信息存储装置具有：该磁头；通过该磁头进行信息的记录和再现的存储再现介质；以及信号处理基板，其对上述磁头和上述存储再现介质的信息的记录信号和再现信号进行处理。
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公开(公告)号：CN101154708A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710153185.X
申请日：2007-09-28
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3929 , G11C11/16
摘要： 本发明提供一种具有大MR比的隧道磁阻(TMR)元件。这种TMR元件在磁化固定层与磁化自由层之间形成有隧道阻挡层，在磁化自由层上设置有覆盖层。隧道阻挡层由MgO膜形成。磁化自由层由CoFeB膜形成。覆盖层通过紧接在CoFeB膜上面形成Ti膜而形成，使得Ti膜与CoFeB膜相接触。这样可以大大提高TMR元件的MR比。此外，将这种TMR元件应用于磁头和磁存储器(MRAM)，可以改善磁头和MRAM的性能。
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公开(公告)号：CN101933172B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN200880125996.1
申请日：2008-01-30
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3906 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01L27/228 , H01L43/10
摘要： 磁电阻效应元件在基板上按顺序层叠有基底层、反铁磁层、第1铁磁层、非磁层、第2铁磁层，上述基底层由金属氮化物形成，上述反铁磁层由包含Ir和Mn在内的反铁磁性材料形成。另外，磁头具有：记录元件，其具有薄膜线圈和通过由上述薄膜线圈所产生的磁通的磁极；以及再现元件，其具有上述磁电阻效应元件。另外，信息存储装置具有：该磁头；通过该磁头进行信息的记录和再现的存储再现介质；以及信号处理基板，其对上述磁头和上述存储再现介质的信息的记录信号和再现信号进行处理。
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公开(公告)号：CN101183704B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200710152798.1
申请日：2007-09-21
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3906 , H01F10/3204 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3295 , H01F41/303 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1114
摘要： 一种隧道磁阻器件、其制造方法、磁头及磁存储器，在该隧道磁阻器件中，势垒层设置在被钉扎层上，该被钉扎层由具有固定磁化方向的铁磁材料制成，该势垒层具有允许电子以隧道现象穿过的厚度。第一自由层设置在该势垒层上，该第一自由层由在外部磁场下磁化方向发生改变的非晶或微晶软磁材料制成。第二自由层设置在该第一自由层上，该第二自由层由在外部磁场下磁化方向发生改变的晶体软磁材料制成，该第二自由层与该第一自由层交互耦合。在第一与第二自由层之间设置有结晶抑制层，该结晶抑制层通过延续第二自由层的晶体结构来防止第一自由层结晶。本发明提供了具有良好的磁特性并且可抑制隧道电阻变化率变低的隧道磁阻器件。
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公开(公告)号：CN101183704A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710152798.1
申请日：2007-09-21
申请人： 富士通株式会社
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3906 , H01F10/3204 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3295 , H01F41/303 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1114
摘要： 一种隧道磁阻器件、其制造方法、磁头及磁存储器，在该隧道磁阻器件中，势垒层设置在被钉扎层上，该被钉扎层由具有固定磁化方向的铁磁材料制成，该势垒层具有允许电子以隧道现象穿过的厚度。第一自由层设置在该势垒层上，该第一自由层由在外部磁场下磁化方向发生改变的非晶或细晶软磁材料制成。第二自由层设置在该第一自由层上，该第二自由层由在外部磁场下磁化方向发生改变的晶体软磁材料制成，该第二自由层与该第一自由层交互耦合。本发明提供了具有良好的磁特性并且可抑制隧道电阻变化率变低的隧道磁阻器件。
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