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公开(公告)号：CN115418713B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210713671.7
申请日：2022-06-22
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种降低AlN晶体生长应力的生长方法，本发明通过在钨籽晶台与AlN籽晶之间设置中间缓冲层，形成双籽晶，中间AlN多晶层的引入能够通过晶界及胶层的缓冲，在很大程度上缓解钨籽晶托带给AlN籽晶的热应力，从而减少籽晶在生长过程中引发的大量裂纹，获得高质量无开裂的AlN单晶。
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公开(公告)号：CN116551866A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310513438.9
申请日：2023-05-09
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及氮化铝晶体生长加工领域，具体涉及一种减小AlN晶体加工时切割应力的方法。所述方法为：将作为缓冲层的中空圆柱体和AlN晶体均通过石蜡粘接到金属板上；然后向中空圆柱体内灌注胶水，使胶水完全包裹晶体；胶水凝固后，将金属板底部加热，石蜡融化后金属板脱落，得到待切割样品；对样品进行切割和边部修整，得到规整的AlN晶圆。本发明通过在AlN晶体外侧设置缓冲层来避免应力对晶体造成损伤；当切割线与晶体接触时产生高强应力，缓冲层能够逐渐将应力释放，并将应力逐渐过渡到晶体上，能够简单有效地保护晶体，防止晶体开裂，有利于切割出完整的AlN晶圆；缓冲层避免了切割线与晶体的直接接触，降低了切割线断线的概率，使得切割高效进行。
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公开(公告)号：CN115723027A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211524369.3
申请日：2022-11-30
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种亚表面无损伤氮化镓晶片的加工工艺，本发明采用粗磨、细磨、粗抛、精抛、电感耦合等离子体反应离子刻蚀处理，提高了抛光效率，将单晶片的加工时间大大缩短，能够实现单晶片完全无损伤化，得到的氮化镓单晶片亚表面无损伤，并且透过率大大提高。
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公开(公告)号：CN111188091A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010094944.5
申请日：2020-02-17
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种用于电阻法氮化铝晶体生长炉的热场及其装配方法，属于人工晶体生长技术领域。本发明包括最外层的金属筒、位于金属筒内的侧隔热外屏、侧隔热内屏、下隔热屏和中隔热屏，以及位于中隔热屏上方的上隔热屏，其中，侧隔热外屏为呈环形筒状的氧化锆保温层；金属筒由筒体和底部圆环焊接而成，底部圆环的中部通孔处设置有坩埚支架，坩埚支架上放置有坩埚，侧隔热内屏与坩埚之间悬挂有网状加热器。该热场简单、成本低，并且可以大大降低引入的杂质，从而获得具有深紫外透过率的AlN晶体。
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公开(公告)号：CN116103766B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202211689456.4
申请日：2022-12-27
Applicant: 山东大学
IPC: C30B35/00 , C30B29/40 , C01B21/072
Abstract: 本发明涉及一种降低AlN晶体生长粉料杂质含量的方法，本发明在AlN原料中特定掺入部分钨元素，控制烧结温度和烧结时间进行两次烧结，形成细丝状的化合物，沉积在粉料源下方，从而降低AlN粉料整体的杂质含量，通过这种方法烧结出的AlN原料的杂质含量能够下降3‑5个数量级，在很大程度上提高了晶锭质量；粉料源中的碳氧杂质极大降低，从而起到有效降低原料中的碳氧杂质的作用，得到原料，碳氧元素明显降低，原料更加金黄透亮，内部和外部的杂质和缺陷也会肉眼可见的降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117005031A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310997952.4
申请日：2023-08-09
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种氮化铝生长技术领域，具体涉及一种在AlN单晶生长过程中抑制籽晶上生长纳米线的方法。为了解决生长过程易产生纳米线的问题，本发明提供了最佳的抑制纳米线的条件，首先料高需要补充足，料高的高度需要维持在坩埚高度的5/12‑7/12；此外，加快坩埚内中间升温段升温速率，即加快生长前期AlN蒸气的升华速率，使得坩埚顶部上方籽晶面处Al蒸气分压快速达到过饱和态，从而抑制AlN纳米线的产生。本发明的方法对纳米线的抑制效果极为显著，生长得到的AlN晶锭主要沿籽晶面进行生长，能够减少AlN多晶的产生，在一定程度上解决了AlN晶体不能沿籽晶生长的问题。
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公开(公告)号：CN115723027B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202211524369.3
申请日：2022-11-30
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种亚表面无损伤氮化镓晶片的加工工艺，本发明采用粗磨、细磨、粗抛、精抛、电感耦合等离子体反应离子刻蚀处理，提高了抛光效率，将单晶片的加工时间大大缩短，能够实现单晶片完全无损伤化，得到的氮化镓单晶片亚表面无损伤，并且透过率大大提高。
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公开(公告)号：CN116988165A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310784459.4
申请日：2023-06-29
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明属于氮化铝晶体生长技术领域，具体涉及一种降低AlN籽晶应力的粘接方法。所述方法步骤：将AlN原料进行一次烧结；一次烧结料经破碎后进行二次烧结；二次烧结料破碎后与无机高温胶均匀混合后涂抹于籽晶托表面，粘接籽晶，然后退火，粘接籽晶之后即能用于AlN单晶生长。本发明采用AlN粉末与高温胶混合，提高了胶层的耐高温性，多次烧结后胶层中的AlN粉末与籽晶之间会形成结合键，使得粘接力更强，能够降低籽晶掉落的概率；AlN粉末与无机高温胶混合，再进行高温退火，以卸去籽晶处大部分由晶格失配与热失配导致的应力，从而达到减缓开裂的效果。
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公开(公告)号：CN111545428A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010412061.4
申请日：2020-05-15
Applicant: 山东大学
IPC: B05D1/26 , B05D3/02 , C09D1/00 , C09D163/00 , C30B29/40
Abstract: 本发明涉及一种用于氮化铝单晶生长籽晶背部镀膜的方法，包括步骤如下：将耐高温能溶性物质溶解成溶液，然后滴涂到氮化铝籽晶背部表面，使用匀胶设备使溶液均匀分布在氮化铝籽晶背面，烘干，即完成氮化铝籽晶背部镀膜。通过以上步骤最终在氮化铝籽晶背部得到耐高温、防背部升华的薄膜涂层。本发明工艺简单、易操作，成本低廉，且籽晶背部涂层与籽晶紧密结合，解决了传统籽晶粘结工艺中籽晶与胶层及籽晶托之间产生的胶层气孔问题引起的背部升华缺陷，提高了氮化铝的结晶质量。
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公开(公告)号：CN116949577A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310824734.0
申请日：2023-07-06
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种高精度大尺寸氮化镓单晶衬底的加工方法，包括以下步骤：首先对生长后的GaN单晶进行两次高温退火，然后采用一种特殊的粘蜡方式将晶片粘附在与晶片表面凹凸度相适配的石英板或陶瓷板表面，进行研磨，把面形参数降至最低；最后进行化学机械抛光。所得到的GaN衬底的厚度小于500μm，弯曲度bow值不大于±20μm，TTV值不大于20μm，Warp值不大于40μm。本发明提供了更薄的高精度衬底，采用硬度大的研磨盘和碳化硼粉代替金刚石液为外延生长或器件加工提供低厚度衬底；同时外形翘曲变化可以满足要求，不仅降低了耗材成本，也极大降低器件环节的减薄成本。
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