一种里氏木霉CBHІ信号肽突变体及其在促进异源蛋白高效表达分泌中的应用

    公开(公告)号:CN116426507A

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202310526357.2

    申请日:2023-05-11

    Applicant: 山东大学

    Abstract: 本发明涉及一种里氏木霉CBHI信号肽突变体及其在促进异源蛋白高效表达分泌中的应用。其中里氏木霉CBHI信号肽突变体SPM1的氨基酸序列如SEQ ID NO.1所示,核苷酸序列如SEQ ID NO.2所示。本发明以里氏木霉CBHI信号肽为基础,在其第四位赖氨酸之后增加两个亮氨酸,得到里氏木霉CBHI信号肽突变体SPM1。该突变体增强了对异源蛋白的引导能力,能够有效促进异源蛋白XynST11的表达分泌。在异源蛋白XynST11的表达分泌过程中引入里氏木霉CBHI信号肽突变体SPM1后,胞外培养基中XynST11的分泌量和发酵液中由XynST11产生的木聚糖酶酶活水平均有大幅度提高,达到了25U/mL,远远高于CBHI信号肽,因而里氏木霉CBHI信号肽突变体SPM1在促进异源蛋白表达分泌,制备木聚糖酶中具有很大的应用价值。

    基于氯化亚汞晶体的偏振棱镜/偏振分光棱镜

    公开(公告)号:CN112596145A

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN202011474320.2

    申请日:2020-12-15

    Applicant: 山东大学

    Abstract: 本发明涉及基于氯化亚汞晶体的偏振棱镜/偏振分光棱镜,偏振棱镜的材料为氯化亚汞Hg2Cl2晶体,包括单块氯化亚汞晶体棱镜或多块氯化亚汞晶体棱镜,多块氯化亚汞晶体棱镜为由多个单块氯化亚汞晶体棱镜通过空气隙、光胶或深化光胶方式形成的光线依次入射、两两之间以斜面相连接的堆叠结构;本发明采用正单轴晶Hg2Cl2晶体作为棱镜基质,实现了基于Hg2Cl2晶体的偏振棱镜和偏振分光棱镜,拓展了应用于可见到红外波段,特别是中远红外波段的棱镜基质材料范围。

    基于溴化亚汞晶体的偏振棱镜/偏振分光棱镜

    公开(公告)号:CN112596144A

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN202011472527.6

    申请日:2020-12-15

    Applicant: 山东大学

    Abstract: 本发明涉及基于溴化亚汞晶体的偏振棱镜/偏振分光棱镜,偏振棱镜的材料为溴化亚汞Hg2Br2晶体,包括单块溴化亚汞晶体棱镜或多块溴化亚汞晶体棱镜,多块溴化亚汞晶体棱镜为由多个单块溴化亚汞晶体棱镜通过空气隙、光胶或深化光胶方式形成的光线依次入射、两两之间以斜面相连接的堆叠结构。本发明采用正单轴晶Hg2Br2晶体作为棱镜基质,实现了基于Hg2Br2晶体的偏振棱镜和偏振分光棱镜,拓展了应用于可见到红外波段,特别是中远红外波段的棱镜基质材料范围。

    一种卤化亚汞单晶体的生长装置及方法

    公开(公告)号:CN108411366A

    公开(公告)日:2018-08-17

    申请号:CN201810601105.0

    申请日:2018-06-12

    Applicant: 山东大学

    Abstract: 本发明涉及一种卤化亚汞单晶体的生长装置及方法,该装置包括炉体、与炉体连接用于支撑炉体的机架和支撑机构;炉体包括炉管和包覆在炉管外表面的保温套,炉管和保温套之间设置有加热炉丝;支撑机构通过旋转装置与长晶杆连接用于控制长晶杆的旋转,长晶杆穿插设置在炉管中,长晶杆位于炉管中的端部设置有生长石英安瓿;支撑机构还通过升降杆与升降支架连接用于控制长晶杆的升降。采用该装置既可精确控制晶体生长的温度,又可随时监控晶体生长的状况。同时,通过物理气相传输法也易获得大尺寸、高质量的晶体。

    热压烧结TiB2-Ti(C,N)陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102173811A

    公开(公告)日:2011-09-07

    申请号:CN201110001337.0

    申请日:2011-01-06

    Applicant: 山东大学

    Abstract: 本发明涉及新材料技术领域,尤其是热压烧结TiB2-Ti(C,N)陶瓷材料及其制备方法。制备TiB2-Ti(C,N)的混合粉的成分质量比为:TiB2 43.0%-71.4%;Ti(C,N) 10.2%-39.2%;Ni 11.0%-11.4%;Mo 6.8%-7.0%。制备TiB2-Ti(C,N)的工艺路线为:(1)将按比例配制的TiB2、Ti(C,N)、Ni、Mo混合粉末装入缸式球磨机中,用硬质合金球磨24小时和用100目筛过筛;(2)将过筛后的配料装入上下封闭的石墨模具,再放入高温烧结炉内;(3)在升温速率70℃/min、压力32MPa、温度1600℃、保温60min条件下制备成TiB2-Ti(C,N)陶瓷材料。本发明构思新颖,所制备的陶瓷材料强度和硬度高,韧性好,质量优良,能满足现代加工工艺对刀具、工具和模具材料的性能要求;加工工艺及设备简单,成本低,易于产业化。

    一种卤化亚汞单晶体的生长装置及方法

    公开(公告)号:CN108411366B

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN201810601105.0

    申请日:2018-06-12

    Applicant: 山东大学

    Abstract: 本发明涉及一种卤化亚汞单晶体的生长装置及方法,该装置包括炉体、与炉体连接用于支撑炉体的机架和支撑机构;炉体包括炉管和包覆在炉管外表面的保温套,炉管和保温套之间设置有加热炉丝;支撑机构通过旋转装置与长晶杆连接用于控制长晶杆的旋转,长晶杆穿插设置在炉管中,长晶杆位于炉管中的端部设置有生长石英安瓿;支撑机构还通过升降杆与升降支架连接用于控制长晶杆的升降。采用该装置既可精确控制晶体生长的温度,又可随时监控晶体生长的状况。同时,通过物理气相传输法也易获得大尺寸、高质量的晶体。

    提升卤化亚汞单晶体结晶性和光学透过率的处理方法

    公开(公告)号:CN112647134A

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN202011372197.3

    申请日:2020-11-30

    Applicant: 山东大学

    Abstract: 本发明涉及一种提升卤化亚汞单晶体结晶性和光学透过率的处理方法,它包括将卤化亚汞单晶体置于多温区真空退火炉中,升温至150‑180℃进行退火处理90‑120h;退火处理后的卤化亚汞单晶体缓慢降至室温,退火后处理卤化亚汞晶体的X射线单晶摇摆曲线半峰宽明显减小,晶体结晶性得到很大提高,晶体缺陷得到一定程度的消除,并且通过退火后处理,遇光暗化卤化亚汞晶体的光学透过率得到恢复,晶体透过率明显提升。并且该方法对温度要求较低,具有简单方便、易操控的优点。采用该方法可获得结晶性、光学透过率高的卤化亚汞晶体,这对于卤化亚汞晶体声光器件的制备及应用具有重要意义。

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