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公开(公告)号:CN117317028A
公开(公告)日:2023-12-29
申请号:CN202311229758.8
申请日:2023-09-22
申请人: 山东大学
IPC分类号: H01L29/786 , H01L21/477 , H01L29/51 , H01L21/443 , H01L21/02 , H01L21/34
摘要: 本发明涉及一种阈值电压受预退火温度可控的顶栅结构铟镓锌氧薄膜晶体管及其制备方法,包括由下自上依次设置的衬底、源电极和漏电极、a‑IGZO沟道层、栅介质层、栅电极;制备a‑IGZO沟道层后进行预退火处理,预退火氛围为空气,湿度为30‑50%,退火时间为50‑70min,退火温度为200‑300℃。本发明的薄膜晶体管利用原子层沉积技术生长栅介质,提高了铟镓锌氧与栅介质的界面状态,使晶体管的亚阈值摆幅达到130‑50mV/dec。
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公开(公告)号:CN117317029A
公开(公告)日:2023-12-29
申请号:CN202311230171.9
申请日:2023-09-22
申请人: 山东大学
IPC分类号: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L21/34 , H01L21/44
摘要: 本发明涉及一种低温制备的透明顶栅交叠型铟镓锌氧薄膜晶体管及其制备方法,属于晶体管技术领域。晶体管包括衬底、源电极、漏电极、沟道层、栅介质层和栅电极,其中,衬底上两侧分别设置有源电极和漏电极,源电极、漏电极及其中间部分的衬底上设置有沟道层,沟道层上依次设置有栅介质层和栅电极。本发明的源电极、漏电极与栅电极分别位于IGZO的两侧,形成顶栅交叠型结构,源电极、漏电极、IGZO有源层的图案化都采用干法刻蚀工艺,顶栅交叠型结构使源电极、漏电极图案化在IGZO有源层图案化之前完成,避免了源电极、漏电极刻蚀过程中等离子体对IGZO有源层的轰击,从而避免对沟道有源层的损伤。
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公开(公告)号:CN1316495A
公开(公告)日:2001-10-10
申请号:CN01114908.6
申请日:2001-04-30
申请人: 山东大学
摘要: 本发明涉及印制线路板用水剂清洗剂组合物及清洗方法。清洗剂组合物组成为:10-20%烷基酚聚氧乙烯醚,1-10%烷基酰二乙醇胺,3-8%烷基醇胺,5-10%烷基醇,0.1-0.5%络合剂,0.3-1.0%消泡剂及余量去离子水。本发明的清洗剂能代替ODS清洗剂,无毒无腐蚀性,不污染环境,不破坏高空臭氧层,不引起温室效应,并可降低清洗成本。
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公开(公告)号:CN1316496A
公开(公告)日:2001-10-10
申请号:CN01114910.8
申请日:2001-04-30
申请人: 山东大学
摘要: 本发明涉及一种水基液晶清洗剂组合物及液晶显示器封装后残留液晶的清洗方法。清洗剂组合物组成为:10-20%脂肪醇聚氧乙烯烷基醚,5-15%脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚,1-10%润湿剂;2-15%烷基醇胺,10-20%乙二醇烷基醚,0.1-0.5%有机络合剂及余量去离子水。本发明的清洗剂无毒无腐蚀性,不污染环境,不破坏高空臭氧层,不引起温室效应,并可降低清洗成本。
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公开(公告)号:CN1188795A
公开(公告)日:1998-07-29
申请号:CN98110031.7
申请日:1998-01-20
申请人: 山东大学
摘要: 本发明涉及半导体或金属、液晶的清洗方法,具体涉及电子工业用清洗剂。其组成为:5—10%脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠,10—20%壬基酚聚氧乙烯醚,10—15%椰子油酰二乙醇胺或烷基醇酰胺磷酸酯,1—10%乙二醇烷基醚,5—10%直链或支链低级脂肪醇,0.1—0.2%络合剂,1—4%聚醚及余量去离子水。本发明的清洗剂能代替氟里昂清洗剂,无毒无腐蚀性,不污染环境,不破坏高空臭氧层,不引起温室效应,并可降低清洗成本。
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公开(公告)号:CN1482223A
公开(公告)日:2004-03-17
申请号:CN03138910.4
申请日:2003-07-24
申请人: 山东大学
IPC分类号: C11D7/14
摘要: 电子工业用玻璃清洗剂组合物,属于电子工业用清洗技术领域。清洗剂组份为:偏硅酸钠,氢氧化钠,碳酸钠,碳酸氢钠,Pluronic多元醇,羧甲基纤维素,氟表面活性剂,络合剂,消泡剂,去离子水。本发明的清洗剂组合物用于基板玻璃和镀膜导电玻璃的清洗。清洗方法:将1-5%的该清洗剂与99-95%的去离子水配成清洗液,喷淋或超声清洗,能够快速彻底清洗玻璃上的污染物,代替传统强酸强碱清洗剂和ODS物质清洗剂,对玻璃表面无损伤,对ITO膜无腐蚀。本发明清洗剂无异味、无毒无腐蚀性、安全可靠,不燃不爆,不污染环境,而且造价低廉,运输储存方便,清洗成本低。
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公开(公告)号:CN1069694C
公开(公告)日:2001-08-15
申请号:CN98110031.7
申请日:1998-01-20
申请人: 山东大学
摘要: 本发明涉及一种电子工业用清洗剂。其组成为:5-10%脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠,10-20%壬基酚聚氧乙烯醚,10-15%椰子油酰二乙醇胺或烷基醇酰胺磷酸酯,1-10%乙二醇烷基醚,5-10%直链或支链低级脂肪醇,0.1-0.2%络合剂,1-4%聚醚及余量去离子水。本发明的清洗剂能代替氟里昂清洗剂,无毒无腐蚀性,不污染环境,不破坏高空臭氧层,不引起温室效应,并可降低清洗成本。
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公开(公告)号:CN118248741A
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202410308114.6
申请日:2024-03-18
申请人: 山东大学
IPC分类号: H01L29/786 , H01L21/336
摘要: 本发明涉及一种高性能垂直沟道铟镓锌氧薄膜晶体管及其制备方法,属于薄膜晶体管技术领域,包括衬底、源电极、间隔层、漏电极、沟道层、栅介质层和栅电极,其中,衬底上设置有源电极,源电极上生长间隔层,间隔层上生长漏电极,间隔层位于源电极、漏电极之间,漏电极和间隔层侧壁上设置沟道层,沟道层上依次设置栅介质层和栅电极。本发明的源电极、漏电极通过间隔层分开,改善刻蚀工艺获得垂直的漏电极与间隔层边缘,使沉积的沟道垂直于水平面,形成垂直沟道结构,减小了器件尺寸,提高了器件宽长比,可以显著提高晶体管的开关速度和电流驱动能力。
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