公开(公告)号：CN118028966A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410194649.5

申请日：2024-02-22

Applicant: 山东大学

Inventor： 陈昆峰 ,  王志强 ,  薛冬峰

IPC: C30B15/20

Abstract: 本发明提供了一种用于生长晶体的智能晶体生长设备，仿真系统部件用于搭建虚拟炉体以进行生长仿真，得到仿真结果，并根据仿真结果确定晶体启动生长功率；控制系统部件用于根据晶体启动生长功率进行升温；边界条件提供部件用于监测炉体内的熔体温度；仿真系统还用于根据反馈的熔体温度确定边界条件，以对升温前的晶体启动生长功率进行修正，得到修正参数；控制系统部件还用于根据修正参数操作提拉系统部件开始晶体生长操作。本发明在晶体生长过程中实现了实时监测，并能够自动调整生长参数。这种实时性和自动化程度，是对传统晶体生长方法的重大改进，提高了生长过程的精确性和可控性。

公开(公告)号：CN119121381A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411255895.3

申请日：2024-09-09

Applicant: 山东大学

Inventor： 陈昆峰 ,  王志强 ,  薛冬峰

IPC: C30B15/22 ,  G01B21/00 ,  G01B21/10 ,  C30B15/26 ,  C30B15/28

Abstract: 本发明公开了一种在晶体生长过程中实时计算固液界面凹凸度的装置，包括称重系统、提拉炉和高温热成像系统，所述称重系统设置在提拉炉内部，用于实时记录晶体的重量，所述高温热成像系统设置在提拉炉一侧，用于实时观测晶体的直径，本发明涉及晶体生长过程中实时计算固液界面凹凸度技术领域。该在晶体生长过程中实时计算固液界面凹凸度的装置，计算所用数据全部来源于晶体的实时生长数据，可以准确描述固液界面的实时状况，调整生长工艺参数可以根据实时监测数据及时响应固液界面形态的变化，从而优化生长条件，确保晶体生长过程的稳定性和一致性，适用于多种晶体生长工艺和设备，具有较强的通用性和适应性。

公开(公告)号：CN118311793A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410569529.9

申请日：2024-05-09

Applicant: 山东大学

Inventor： 张翼飞 ,  王子豪 ,  马俊卿 ,  陈昆峰

IPC: G02F1/03 ,  G02F1/035 ,  G02F1/21 ,  G02F1/225

Abstract: 本发明涉及一种基于人工表面等离激元的马赫曾德尔电光调制器，马赫曾德尔电光调制器的层叠结构由下自上依次包括衬底层、铌酸锂层、缓冲层、电极层，在铌酸锂层上刻蚀依次形成输入光栅耦合器、1×2多模干涉耦合器、分支波导、2×1多模干涉耦合器、输出光栅耦合器；缓冲层上方为具有工字形金属电极结构的人工表面等离激元传输线，包括金属行波信号电极和金属行波接地电极；本发明通过引入工字形金属电极的人工表面等离激元传输线结构制作出了低驱动电压、大电光带宽、低阵列串扰的马赫曾德尔电光调制器。

公开(公告)号：CN118122308A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410172507.9

申请日：2024-02-07

Applicant: 山东大学

Inventor： 陈昆峰 ,  孙向飞

IPC: B01J23/20 ,  C02F1/36 ,  C30B29/30 ,  C30B15/00 ,  B01J35/33 ,  C02F101/30 ,  C02F101/34 ,  C02F101/36 ,  C02F101/38

Abstract: 本发明提供了一种长寿命、可多次重复使用的压电单晶在压电催化领域的应用。本发明所述的压电单晶在经过上百次的压电超声催化降解后稳定性未衰减，在压电催化领域中有明朗的应用前景。