一种含镍硅碳氮前驱体陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN108147823B

    公开(公告)日:2021-02-12

    申请号:CN201711483585.7

    申请日:2017-12-29

    申请人: 山东大学

    摘要: 本发明涉及一种含镍硅碳氮前驱体陶瓷的制备方法,包括:将原料聚硅氮烷、镍源混合步骤;热解步骤。本发明通过前驱体转化法制备SiCN(Ni)前驱体陶瓷,结构均匀,强度高,在SiCN前驱体陶瓷中引入镍,增加材料的损耗机制,有利于微波吸收性能的提高。本发明采用前驱体转化法,工艺简单,操作方便,生产成本低,制备周期短,所得材料抗氧化能力强,化学稳定性、高温性能好。

    一种高热导率反应烧结碳化硅陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN104926313B

    公开(公告)日:2019-04-26

    申请号:CN201510369345.9

    申请日:2015-06-29

    申请人: 山东大学

    IPC分类号: C04B35/573 C04B35/65

    摘要: 本发明涉及一种高热导率反应烧结碳化硅陶瓷材料及其制备方法,它由以下质量百分比的原料组成,碳化硅50‑90wt.%,石墨烯0.5‑12.5wt.%,炭粉5‑15wt.%,表面活性剂1‑3wt.%,分散剂0.5‑2.5wt.%,粘结剂0.3‑1.5wt.%;上述原料经混合、成型、真空条件下于温度1650‑1800℃反应烧结8~12小时,制得。本发明制得的SiC陶瓷材料硬度高、热膨胀系数低、热导率高,材料性能更加均匀、一致,提高了材料的服役可靠性。

    一种前驱体转化法制备含铁硅碳氮陶瓷的方法

    公开(公告)号:CN105000889B

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201510379111.2

    申请日:2015-07-01

    申请人: 山东大学

    IPC分类号: C04B35/58 C04B35/622

    摘要: 本发明涉及一种前驱体转化法制备含铁硅碳氮陶瓷的方法,包括步骤如下:(1)将聚硅氮烷、α‑甲基丙烯酸、过氧化二异丙苯混合均匀,得混合溶液;(2)将混合溶液固化;(3)固化所得的物料粉碎球磨;(4)将球磨后的粉料与纳米氧化铁铁混合均匀;(5)将所得粉料预压成型,得生坯;(6)将步骤(5)所得生坯在1000℃~1400℃的温度进行热解/烧结,保温;即得。发明通过前驱体法制备含铁SiCN陶瓷,采用前驱体转化法,制备工艺简单,所得材料高温性能优异;引入纳米氧化铁会使介电常数值明显增加,介电损耗也相应增加;其电磁衰减系数也增大,反射率提高。

    一种前驱体转化法制备含乙酰丙酮铁硅碳氮陶瓷的方法

    公开(公告)号:CN104944960A

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201510379114.6

    申请日:2015-07-01

    申请人: 山东大学

    IPC分类号: C04B35/58 C04B35/622

    摘要: 本发明涉及一种前驱体转化法制备含乙酰丙酮铁硅碳氮陶瓷的方法,包括以下步骤:(1)将聚硅氮烷、α-甲基丙烯酸、过氧化二异丙苯混合均匀,得混合溶液;(2)将混合溶液在固化;(3)将固化所得的物料粉碎球磨;(4)将粉料与乙酰丙酮铁混合均匀;(5)将混合均匀的粉料预压成型,得生坯;(6)将生坯在1000℃~1400℃的温度进行热解/烧结,保温,即得。本发明所得材料高温性能好,引入乙酰丙酮铁会提高SiCN陶瓷显气孔率,降低其体积密度,显著提高SiCN陶瓷的微波吸收性能,提高电磁波衰减系数。

    一种叠层装甲用SiC陶瓷薄层防弹材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103964854B

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201410188144.4

    申请日:2014-05-06

    申请人: 山东大学

    IPC分类号: C04B35/565 C04B35/622

    摘要: 本发明涉及一种叠层装甲用SiC陶瓷薄层防弹材料及其制备方法。该SiC陶瓷薄层防弹材料是由以下原料组分制备的凝胶注模薄片:碳化硅微粉,碳化硼微粉,丙烯酰胺单体,N’N亚甲基双丙烯酰胺,四甲基氢氧化铵,磷酸三丁酯,去离子水和过硫酸铵。本发明还提供所述SiC陶瓷薄层防弹材料的制备方法。本发明的SiC陶瓷薄层材料实现了大尺寸、致密平整的碳化硅陶瓷薄片的制备,尺寸可调,硬度和断裂韧性好,作为叠层装甲用防弹材料防护能力好。

    一种注射成型反应烧结SiC陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN104446490A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410649737.6

    申请日:2014-11-14

    申请人: 山东大学

    摘要: 本发明涉及一种注射成型反应烧结SiC陶瓷材料及其制备方法,该陶瓷材料由以下质量百分比的原料成分经混炼、成型、脱脂、烧结而成:碳化硅55~80%,炭粉3~10%,表面活性剂1~3%,润滑剂6~20%,粘结剂6~20%;各成分用量之和为100%。利用本发明方法成型的反应烧结碳化硅陶瓷坯体密度均匀、尺寸精度高,可以制造出结构复杂、无缺陷的优质陶瓷部件。本发明制得的反应烧结碳化硅陶瓷材料体积密度大于2.7g/cm3,三点弯曲强度可达260MPa以上。