一种飞秒脉冲激光分步点烧蚀抛光方法及应用

    公开(公告)号:CN117655534A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311816724.9

    申请日:2023-12-26

    IPC分类号: B23K26/352

    摘要: 本发明提供了一种飞秒脉冲激光分步点烧蚀抛光方法及应用,飞秒激光以单点烧蚀的方式抛光材料,其加工的所有的烧蚀孔的直径一致,所有的烧蚀孔沿着X方向和Y方向依次排列,且所有相邻烧蚀孔的距离相等;烧蚀孔为分步去除,相邻两个烧蚀孔具有设定的加工时间间隔,当进行第二步抛光时,前一步的烧蚀孔已经完全冷却。同时,在X方向同一水平位置的多个烧蚀孔组成一行烧蚀区域,整个抛光区域包括多行烧蚀区域,每行烧蚀区域的加工方式均保持一致。本发明的抛光方法可以对单晶硅、金刚石、碳化硅、硬质合金等用于超精密加工、表面质量要求高的材料进行抛光加工。

    一种固化介质真空包覆工件的磨削方法

    公开(公告)号:CN118617201A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202410860415.X

    申请日:2024-06-28

    IPC分类号: B24B1/00

    摘要: 本发明提供一种固化介质真空包覆工件的磨削方法,涉及工件磨削技术领域,针对目前硬脆材料工件在磨削时容易出现崩碎、裂纹等缺陷的问题,在工件外覆盖包覆层,使工件的非磨削面与包裹层之间紧密结合,工件磨削时,包覆层能够与工件共同受力,并吸收磨削力,磨削刀具先接触包覆层,有效阻止工件边缘晶粒因磨削力而脱落,提高工件磨削加工质量。

    一种飞秒脉冲激光分步点烧蚀抛光方法及应用

    公开(公告)号:CN117655534B

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202311816724.9

    申请日:2023-12-26

    IPC分类号: B23K26/352

    摘要: 本发明提供了一种飞秒脉冲激光分步点烧蚀抛光方法及应用,飞秒激光以单点烧蚀的方式抛光材料,其加工的所有的烧蚀孔的直径一致,所有的烧蚀孔沿着X方向和Y方向依次排列,且所有相邻烧蚀孔的距离相等;烧蚀孔为分步去除,相邻两个烧蚀孔具有设定的加工时间间隔,当进行第二步抛光时,前一步的烧蚀孔已经完全冷却。同时,在X方向同一水平位置的多个烧蚀孔组成一行烧蚀区域,整个抛光区域包括多行烧蚀区域,每行烧蚀区域的加工方式均保持一致。本发明的抛光方法可以对单晶硅、金刚石、碳化硅、硬质合金等用于超精密加工、表面质量要求高的材料进行抛光加工。

    一种水基碳胶体润滑液及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117925312A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202311873280.2

    申请日:2023-12-29

    摘要: 本发明公开了一种水基碳胶体润滑液及其制备方法和应用,属于金属切削加工技术领域。所述水基碳胶体润滑液包括如下质量百分比的组分:氧化改性的炭黑纳米粒子4‑6%,非离子型表面活性剂0.05‑0.15%,阴离子型表面活性剂0.6‑0.8%,余量为水;所述水基碳胶体润滑液由缓冲碱调节pH值为10.5~11.5。本发明的水基碳胶体润滑液原料易得、成本低廉,而且具有良好的稳定性,在高温、高压、高剪切等恶劣环境下仍能保持良好的润滑性能;同时微量添加即可具有良好的润滑性能,并且不会对设备产生影响。

    一种基于鸵鸟足底微结构的温差电制冷砂轮

    公开(公告)号:CN117754473A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311732911.9

    申请日:2023-12-15

    IPC分类号: B24D5/10 B24D5/16 B24D5/00

    摘要: 本发明涉及砂轮技术领域,尤其涉及一种基于鸵鸟足底微结构的温差电制冷砂轮。它包括砂轮基体和设置在砂轮基体外侧的砂轮磨料层,所述砂轮基体包括圆盘外壳和设置在圆盘外壳内的支撑肋,在砂轮磨料层与砂轮基体之间设有温差电制冷机构,所述温差电制冷机构包括若干个依次首尾相连绕设在圆盘外壳侧壁上的温差电制冷片。它基于鸵鸟脚掌乳突结构对砂轮磨削表面进行仿生设计,通过仿生结构使得砂轮的抗磨性能得到提高,同时使得磨削液能够更加均匀的进入砂轮,并且促使磨屑更加顺利的排出。此外,通过温差电制冷机构,可以实现磨削热量向砂轮内部传导,加速磨削温度的降低,从而达到增加砂轮的使用寿命,解决了现有技术中存在的技术问题。

    一种大曲率自由曲面法向测量方法

    公开(公告)号:CN116572077B

    公开(公告)日:2023-09-26

    申请号:CN202310854026.1

    申请日:2023-07-13

    IPC分类号: B23Q17/00 G01B11/00 G01B11/24

    摘要: 本发明属于曲面测量领域,具体公开了一种大曲率自由曲面法向测量方法,将测量装置安装在五轴加工中心的B轴上,使得测量装置的测头的激光点聚焦于B轴回转中心的位置;将工件安装在五轴加工中心的C轴上;确定测量装置的测头原点在工件中心处的原点坐标;获取测头在机床的实时位置坐标;根据测头原点在工件中心处的原点坐标、自由曲面的离散点云数据以及B轴法向摆动角度的精确控制生成自由曲面法向摆动光栅式测量路径;在该路径中测头在X/Z/B三轴联动带动下沿自由曲面进行轮廓扫描,扫描过程中测头在法矢方向与自由曲面距离始终为为测头焦距;每完成一行的扫描,测头在Y轴方向按给定步长进给,完成下一行的轮廓扫描。

    一种大曲率自由曲面法向测量方法

    公开(公告)号:CN116572077A

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202310854026.1

    申请日:2023-07-13

    IPC分类号: B23Q17/00 G01B11/00 G01B11/24

    摘要: 本发明属于曲面测量领域,具体公开了一种大曲率自由曲面法向测量方法,将测量装置安装在五轴加工中心的B轴上,使得测量装置的测头的激光点聚焦于B轴回转中心的位置;将工件安装在五轴加工中心的C轴上;确定测量装置的测头原点在工件中心处的原点坐标;获取测头在机床的实时位置坐标;根据测头原点在工件中心处的原点坐标、自由曲面的离散点云数据以及B轴法向摆动角度的精确控制生成自由曲面法向摆动光栅式测量路径;在该路径中测头在X/Z/B三轴联动带动下沿自由曲面进行轮廓扫描,扫描过程中测头在法矢方向与自由曲面距离始终为为测头焦距;每完成一行的扫描,测头在Y轴方向按给定步长进给,完成下一行的轮廓扫描。

    一种单晶硅微结构阵列的湿法刻蚀辅助飞秒激光加工方法

    公开(公告)号:CN115535959B

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN202211473482.3

    申请日:2022-11-23

    申请人: 山东大学

    IPC分类号: B81C1/00 B23K26/362

    摘要: 本发明属于微结构阵列加工领域,具体提出了一种单晶硅微结构阵列的湿法刻蚀辅助飞秒激光加工方法,在确定单晶硅的晶向后,采用飞秒激光沿着与所述晶向平行或/和垂直的方向进行加工,在单晶硅表面形成微结构阵列;将加工后的单晶硅在各向异性刻蚀液中进行湿法刻蚀。利用飞秒激光沿着单晶硅晶向进行直接加工,再对其进行湿法刻蚀,无需掩膜,加工效率大幅度提高。同时,该方法可以获得轮廓完整、结构一致性良好和高表面质量的倒金字塔阵列、V型沟槽阵列以及正金字塔阵列结构,能够有效的改善材料的光学性能,在微型太阳能电池和微光学系统中有着重要的应用。