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公开(公告)号：CN114414087B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202111543949.2
申请日：2021-12-16
申请人： 山东微感光电子有限公司 , 广东感芯激光科技有限公司 , 山东省科学院激光研究所
IPC分类号： G01K11/3206 , G01D5/353
摘要： 本发明公开一种基于VCSEL波长解调和TDM加WDM多点弱光纤光栅温度监测系统。该系统利用VCSEL解调技术和TDM加WDM结合，加上与VCSEL扫描波长范围相匹配的光纤光栅温度传感器阵列，构成低成本、低功耗、新型的、多点光纤光栅温度解调系统。本发明目的在于利用VCSEL解调技术和TDM加WDM技术的组合，利用一个解调仪可以同时对大数量、多个点的弱光纤光栅温度解调，达到低成本、低功耗、大数量的FBG光纤光栅监测的目的，解决一般光纤光栅温度监测系统中解调仪成本高昂的问题。由于该系统的解调频率可以达到上千赫兹，因此，该系统也可以用来作为多点光纤光栅机械振动传感器解调仪，可以极大地提高光纤光栅测振的响应速度和应用范围。
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公开(公告)号：CN114414087A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111543949.2
申请日：2021-12-16
申请人： 山东微感光电子有限公司 , 广东感芯激光科技有限公司 , 山东省科学院激光研究所
IPC分类号： G01K11/3206 , G01D5/353
摘要： 本发明公开一种基于VCSEL波长解调和TDM加WDM多点弱光纤光栅温度监测系统。该系统利用VCSEL解调技术和TDM加WDM结合，加上与VCSEL扫描波长范围相匹配的光纤光栅温度传感器阵列，构成低成本、低功耗、新型的、多点光纤光栅温度解调系统。本发明目的在于利用VCSEL解调技术和TDM加WDM技术的组合，利用一个解调仪可以同时对大数量、多个点的弱光纤光栅温度解调，达到低成本、低功耗、大数量的FBG光纤光栅监测的目的，解决一般光纤光栅温度监测系统中解调仪成本高昂的问题。由于该系统的解调频率可以达到上千赫兹，因此，该系统也可以用来作为多点光纤光栅机械振动传感器解调仪，可以极大地提高光纤光栅测振的响应速度和应用范围。
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公开(公告)号：CN114235018B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202111502780.6
申请日：2021-12-09
申请人： 山东微感光电子有限公司 , 广东感芯激光科技有限公司
IPC分类号： G01D5/353
摘要： 本发明公开了一种温度自适应的FBG解调方法及系统，包括：基于不同VCSEL在无温控情况下所能适应的工作温度变化范围，选定满足设定要求的VCSEL；同时选取甲烷吸收峰波长和FBG波长，使得在所述设定的温度范围内，VCSEL的扫描波长范围始终覆盖FBG中心波长、因传感引入的波长变化量以及至少一个对应的甲烷吸收峰；在每一个预设的温度范围内，根据甲烷吸收峰的波长位置和FBG中心波长的位置来确定FBG中心波长值和传感后的变化量。本发明有益效果：在不使用温控装置的条件下，能够有效的测量FBG中心波长的变化值，使整个传感器测量系统满足低功耗、低成本、小型化的要求。
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公开(公告)号：CN114235018A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111502780.6
申请日：2021-12-09
申请人： 山东微感光电子有限公司 , 广东感芯激光科技有限公司
IPC分类号： G01D5/353
摘要： 本发明公开了一种温度自适应的FBG解调方法及系统，包括：基于不同VCSEL在无温控情况下所能适应的工作温度变化范围，选定满足设定要求的VCSEL；同时选取甲烷吸收峰波长和FBG波长，使得在所述设定的温度范围内，VCSEL的扫描波长范围始终覆盖FBG中心波长、因传感引入的波长变化量以及至少一个对应的甲烷吸收峰；在每一个预设的温度范围内，根据甲烷吸收峰的波长位置和FBG中心波长的位置来确定FBG中心波长值和传感后的变化量。本发明有益效果：在不使用温控装置的条件下，能够有效的测量FBG中心波长的变化值，使整个传感器测量系统满足低功耗、低成本、小型化的要求。
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公开(公告)号：CN118156970B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410584759.2
申请日：2024-05-13
申请人： 山东省科学院激光研究所
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本申请涉及半导体技术领域，提供一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法。制备方法包括提供衬底；在衬底上依次生长缓冲层；在缓冲层生长N型DBR；腐蚀形成第一孔洞；沉积第一介质绝缘材料层；在N型DBR生长N‑空间层、多量子阱层、P‑空间层、P型DBR；刻蚀形成第二孔洞，在第二孔洞的轴向形成多个间隔分布的环形空腔；填充第二介质绝缘材料层；沉积第一电极和第二电极。该制备方法采用选择性腐蚀以及介质绝缘材料薄膜沉积的方法来制备下DBR结构，能够有效保证激光器的光电性能，且满足实用性要求，同时还能够有效减少制备对数，提高散热能力，进而提高生产速率。
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公开(公告)号：CN117810810B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410223666.7
申请日：2024-02-29
申请人： 山东省科学院激光研究所
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种垂直腔表面发射激光器及其制备方法，制备方法包括：在N‑GaAs衬底生长N‑GaAs缓冲层、N型DBR结构、N‑AlGaAs空间层、周期性GaAs/InGaAs多量子阱层、P‑AlGaAs空间层和P型DBR结构，得到晶圆结构；刻蚀孔状结构、腐蚀环形空腔；填充SiO2填料；制备金属电极，得到垂直腔表面发射激光器。该制备方法代替了湿法氧化制备电流限制的方法，能够快速、均匀的制备环形限制结构，可以提高生产速率。降低了对严苛工艺参数的依赖和工艺门槛，能够实现大尺寸晶圆结构的流片工艺，有效提高制备效率，降低制备成本。
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公开(公告)号：CN117542929A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311365113.7
申请日：2023-10-20
申请人： 山东省科学院激光研究所
摘要： 本申请提供一种低温实现欧姆接触的工艺方法，包括：在GaAs衬底上依次沉积蚀刻停止层、n型GaAs层和空间层；沉积量子阱层、p型InAlP空间层、窗口层、沉积电极层，得到第一晶圆结构；剥离第一晶圆结构并退火，得到第二晶圆结构；将第二晶圆结构粘贴在蓝宝石片上；去除衬底，去除蚀刻停止层，得到第三晶圆结构；湿法腐蚀或干法刻蚀得到第四晶圆结构；沉积底部电极层；电镀铜Cu基底，低温退火操作。该方法通过表面处理改变n型GaAs的表面状态，实现欧姆接触的退火温度下降，这有利于应用通过基底转移技术制造的柔性电子产品；且该工艺方法增强了柔性LED的性能，简化了工艺流程，降低了成本，且能保护应用于特殊环境的材料。
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公开(公告)号：CN115912050A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211507721.2
申请日：2022-11-24
申请人： 山东省科学院激光研究所
摘要： 本申请实施例提供了一种DFB激光器制备方法和DFB激光器，在外延片上刻蚀脊型波导结构；在脊型波导结构的垂直方向上依次沉积不同的介质材料，形成光栅结构；在脊型波导结构和光栅结构的垂直方向上分别制备表面电极，得到DFB激光器。由此可见，本申请采用介质材料依次沉积的方法代替直接刻蚀来制备光栅结构，可以降低制备方法对生长工艺和制备工艺设备的依赖程度，降低工艺门槛，从而提高DFB激光器的制备效率和成品率。
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公开(公告)号：CN118174141B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410585100.9
申请日：2024-05-13
申请人： 山东省科学院激光研究所
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法，制备方法包括提供一层衬底；在衬底上依次生长缓冲层、N‑DBR、N‑空间层、多量子阱层和P‑空间层；在P‑空间层上沉积介质绝缘材料层；刻蚀形成多个孔状结构；在介质绝缘材料层上生长P‑DBR；刻蚀P‑DBR，得到多个柱状结构；在衬底背离缓冲层的一侧沉积第一电极，在柱状结构上沉积第二电极。该制备方法利用选择性刻蚀以及薄膜沉积的方式制备电极限制结构层，能够有效降低生产工艺难度，降低生产成本。且该制备方法不受制备尺寸的限制，能够实现较大尺寸晶圆结构的生长和制备，提高了制备效率。
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公开(公告)号：CN118174141A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410585100.9
申请日：2024-05-13
申请人： 山东省科学院激光研究所
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法，制备方法包括提供一层衬底；在衬底上依次生长缓冲层、N‑DBR、N‑空间层、多量子阱层和P‑空间层；在P‑空间层上沉积介质绝缘材料层；刻蚀形成多个孔状结构；在介质绝缘材料层上生长P‑DBR；刻蚀P‑DBR，得到多个柱状结构；在衬底背离缓冲层的一侧沉积第一电极，在柱状结构上沉积第二电极。该制备方法利用选择性刻蚀以及薄膜沉积的方式制备电极限制结构层，能够有效降低生产工艺难度，降低生产成本。且该制备方法不受制备尺寸的限制，能够实现较大尺寸晶圆结构的生长和制备，提高了制备效率。
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