-
公开(公告)号：CN114414087B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202111543949.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 山东微感光电子有限公司 , 广东感芯激光科技有限公司 , 山东省科学院激光研究所
IPC: G01K11/3206 , G01D5/353
Abstract: 本发明公开一种基于VCSEL波长解调和TDM加WDM多点弱光纤光栅温度监测系统。该系统利用VCSEL解调技术和TDM加WDM结合，加上与VCSEL扫描波长范围相匹配的光纤光栅温度传感器阵列，构成低成本、低功耗、新型的、多点光纤光栅温度解调系统。本发明目的在于利用VCSEL解调技术和TDM加WDM技术的组合，利用一个解调仪可以同时对大数量、多个点的弱光纤光栅温度解调，达到低成本、低功耗、大数量的FBG光纤光栅监测的目的，解决一般光纤光栅温度监测系统中解调仪成本高昂的问题。由于该系统的解调频率可以达到上千赫兹，因此，该系统也可以用来作为多点光纤光栅机械振动传感器解调仪，可以极大地提高光纤光栅测振的响应速度和应用范围。
-
公开(公告)号：CN114414087A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111543949.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 山东微感光电子有限公司 , 广东感芯激光科技有限公司 , 山东省科学院激光研究所
IPC: G01K11/3206 , G01D5/353
Abstract: 本发明公开一种基于VCSEL波长解调和TDM加WDM多点弱光纤光栅温度监测系统。该系统利用VCSEL解调技术和TDM加WDM结合，加上与VCSEL扫描波长范围相匹配的光纤光栅温度传感器阵列，构成低成本、低功耗、新型的、多点光纤光栅温度解调系统。本发明目的在于利用VCSEL解调技术和TDM加WDM技术的组合，利用一个解调仪可以同时对大数量、多个点的弱光纤光栅温度解调，达到低成本、低功耗、大数量的FBG光纤光栅监测的目的，解决一般光纤光栅温度监测系统中解调仪成本高昂的问题。由于该系统的解调频率可以达到上千赫兹，因此，该系统也可以用来作为多点光纤光栅机械振动传感器解调仪，可以极大地提高光纤光栅测振的响应速度和应用范围。
-
公开(公告)号：CN114235018A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111502780.6
申请日：2021-12-09
Applicant: 山东微感光电子有限公司 , 广东感芯激光科技有限公司
IPC: G01D5/353
Abstract: 本发明公开了一种温度自适应的FBG解调方法及系统，包括：基于不同VCSEL在无温控情况下所能适应的工作温度变化范围，选定满足设定要求的VCSEL；同时选取甲烷吸收峰波长和FBG波长，使得在所述设定的温度范围内，VCSEL的扫描波长范围始终覆盖FBG中心波长、因传感引入的波长变化量以及至少一个对应的甲烷吸收峰；在每一个预设的温度范围内，根据甲烷吸收峰的波长位置和FBG中心波长的位置来确定FBG中心波长值和传感后的变化量。本发明有益效果：在不使用温控装置的条件下，能够有效的测量FBG中心波长的变化值，使整个传感器测量系统满足低功耗、低成本、小型化的要求。
-
公开(公告)号：CN114235018B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202111502780.6
申请日：2021-12-09
Applicant: 山东微感光电子有限公司 , 广东感芯激光科技有限公司
IPC: G01D5/353
Abstract: 本发明公开了一种温度自适应的FBG解调方法及系统，包括：基于不同VCSEL在无温控情况下所能适应的工作温度变化范围，选定满足设定要求的VCSEL；同时选取甲烷吸收峰波长和FBG波长，使得在所述设定的温度范围内，VCSEL的扫描波长范围始终覆盖FBG中心波长、因传感引入的波长变化量以及至少一个对应的甲烷吸收峰；在每一个预设的温度范围内，根据甲烷吸收峰的波长位置和FBG中心波长的位置来确定FBG中心波长值和传感后的变化量。本发明有益效果：在不使用温控装置的条件下，能够有效的测量FBG中心波长的变化值，使整个传感器测量系统满足低功耗、低成本、小型化的要求。
-
公开(公告)号：CN118174141B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410585100.9
申请日：2024-05-13
Applicant: 山东省科学院激光研究所
IPC: H01S5/183
Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法，制备方法包括提供一层衬底；在衬底上依次生长缓冲层、N‑DBR、N‑空间层、多量子阱层和P‑空间层；在P‑空间层上沉积介质绝缘材料层；刻蚀形成多个孔状结构；在介质绝缘材料层上生长P‑DBR；刻蚀P‑DBR，得到多个柱状结构；在衬底背离缓冲层的一侧沉积第一电极，在柱状结构上沉积第二电极。该制备方法利用选择性刻蚀以及薄膜沉积的方式制备电极限制结构层，能够有效降低生产工艺难度，降低生产成本。且该制备方法不受制备尺寸的限制，能够实现较大尺寸晶圆结构的生长和制备，提高了制备效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118174141A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410585100.9
申请日：2024-05-13
Applicant: 山东省科学院激光研究所
IPC: H01S5/183
Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法，制备方法包括提供一层衬底；在衬底上依次生长缓冲层、N‑DBR、N‑空间层、多量子阱层和P‑空间层；在P‑空间层上沉积介质绝缘材料层；刻蚀形成多个孔状结构；在介质绝缘材料层上生长P‑DBR；刻蚀P‑DBR，得到多个柱状结构；在衬底背离缓冲层的一侧沉积第一电极，在柱状结构上沉积第二电极。该制备方法利用选择性刻蚀以及薄膜沉积的方式制备电极限制结构层，能够有效降低生产工艺难度，降低生产成本。且该制备方法不受制备尺寸的限制，能够实现较大尺寸晶圆结构的生长和制备，提高了制备效率。
-
公开(公告)号：CN118156972A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410585008.2
申请日：2024-05-13
Applicant: 山东省科学院激光研究所
IPC: H01S5/183
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，提供一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法，制备方法包括提供衬底，生长缓冲层、N型DBR结构、N‑空间层、多量子阱层、P‑空间层、P型DBR结构，刻蚀多个第二孔洞腐蚀P型DBR结构形成多个环形腔体，沉积第二介质绝缘材料层；沉积第一电极和第二电极，得到长波长垂直腔表面发射激光器。该制备方法采用选择性腐蚀以及介质绝缘材料薄膜沉积的方法来制备下DBR结构，能够有效保证激光器的光电性能，且满足实用性要求，同时还能够有效减少制备对数，提高散热能力，进而提高生产速率。
-
公开(公告)号：CN118156970A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410584759.2
申请日：2024-05-13
Applicant: 山东省科学院激光研究所
IPC: H01S5/183
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，提供一种长波长垂直腔表面发射激光器及其制备方法。制备方法包括提供衬底；在衬底上依次生长缓冲层；在缓冲层生长N型DBR；腐蚀形成第一孔洞；沉积第一介质绝缘材料层；在N型DBR生长N‑空间层、多量子阱层、P‑空间层、P型DBR；刻蚀形成第二孔洞，在第二孔洞的轴向形成多个间隔分布的环形空腔；填充第二介质绝缘材料层；沉积第一电极和第二电极。该制备方法采用选择性腐蚀以及介质绝缘材料薄膜沉积的方法来制备下DBR结构，能够有效保证激光器的光电性能，且满足实用性要求，同时还能够有效减少制备对数，提高散热能力，进而提高生产速率。
-
公开(公告)号：CN117810810A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410223666.7
申请日：2024-02-29
Applicant: 山东省科学院激光研究所
IPC: H01S5/183
Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种垂直腔表面发射激光器及其制备方法，制备方法包括：在N‑GaAs衬底生长N‑GaAs缓冲层、N型DBR结构、N‑AlGaAs空间层、周期性GaAs/InGaAs多量子阱层、P‑AlGaAs空间层和P型DBR结构，得到晶圆结构；刻蚀孔状结构、腐蚀环形空腔；填充SiO2填料；制备金属电极，得到垂直腔表面发射激光器。该制备方法代替了湿法氧化制备电流限制的方法，能够快速、均匀的制备环形限制结构，可以提高生产速率。降低了对严苛工艺参数的依赖和工艺门槛，能够实现大尺寸晶圆结构的流片工艺，有效提高制备效率，降低制备成本。
-
公开(公告)号：CN116526291A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310484180.4
申请日：2023-04-25
Applicant: 山东省科学院激光研究所
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，提供了一种长波长VCSEL的制备方法，包括：在N‑InP衬底上，依次层叠生长N‑InP缓冲层、底DBR结构和N‑InP空间层，形成第一外延片；取出第一外延片，以光刻胶为掩膜，利用离子注入技术，向N‑InP空间层注入H离子，进而钝化部分N‑InP空间层，形成钝化区，未被钝化的N‑InP空间层形成发光区；去除掩膜，得到第二外延片；对第二外延片退火处理，以及清洗表面；在第二外延片的N‑InP空间层上依次层叠生长P‑InAlAs空间层、量子阱区、N‑InAlAs空间层和顶DBR结构，形成第三外延片；利用常规光电器件制备方法，制备第三外延片得到长波长VCSEL器件。工艺简单。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.11 seconds)
