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公开(公告)号：CN115922577A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211408641.1
申请日：2022-11-10
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种硅片背表面喷砂装置及工艺。该喷砂装置包括盖板式喷枪上支架、设置在该喷枪上支架下方的壳体以及组装在该壳体中的多个陶瓷载具、内齿圈、外齿圈；内齿圈为柱状，其外周面具有内传动齿；外齿圈为圆环形，其外周面光滑，内周面具有外传动齿；多个陶瓷载具均匀分布在内齿圈与外齿圈之间，各陶瓷载具的外周分别与内齿圈外周面上的内传动齿和外齿圈内周面上的外传动齿啮合，内传动齿和外传动齿带动各陶瓷载具运转。在喷砂时，将硅片放置于陶瓷载具的硅片承载孔中，设定内齿圈的转向为正，转速为30‑65rpm；外齿圈的转向为负，转速为25‑60rpm；喷砂加工时间为30s‑120s；调整内内齿圈的转速、转向，使硅片在喷砂作业范围内的运行轨迹为行星运动。
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公开(公告)号：CN116852183A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310967122.7
申请日：2023-08-02
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺，属于半导体晶圆加工技术领域。该研磨工艺包括以下步骤：(1)使用A磨砂研磨晶圆，A磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为：A磨砂15％‑38％、研磨剂1.5％‑2.8％，其余为水；研磨晶圆时使用的磨液流量为900‑1500mL/min；研磨压力为600‑1500kg；研磨转速为25‑50rpm，转速比为0.3‑0.6；(2)使用B磨砂研磨晶圆，B磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为：B磨砂13％‑36％、研磨剂2.2％‑3.8％，其余为水；研磨晶圆时使用的磨液流量为900‑1500mL/min；研磨压力为600‑1500kg；研磨转速为25‑50rpm，转速比为0.3‑0.6。本发明通过改善研磨工艺可以得到平坦度高的晶圆，并且能够避免晶圆的边缘塌陷。
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公开(公告)号：CN117116740A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310967112.3
申请日：2023-08-02
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开一种大尺寸晶圆边缘的加工工艺，属于半导体晶圆加工技术领域。该加工工艺包括以下步骤：(1)滚磨单晶棒切片得到晶圆；(2)使用600‑1000#倒角轮磨削槽对晶圆边缘进行粗倒角，倒角轮转速为6000‑9000rpm；(3)使用研磨液进行研磨，研磨液流量为800‑1500mL/min，研磨转速为20‑50rpm，研磨压力为500‑1500kg；(4)使用由氢氟酸、硝酸、醋酸组成的混酸进行腐蚀；(5)使用1500‑4000#倒角轮磨削槽对晶圆边缘进行精倒角，倒角轮转速为6000‑9000rpm。通过研磨前的粗倒角，可以去除晶圆的边缘应力，避免研磨、腐蚀过程中晶圆边缘崩裂；通过精倒角加工研磨、腐蚀之后的晶圆，可以消除研磨、腐蚀过程带来的晶圆边缘损伤，并且可以避免腐蚀过程对晶圆边缘轮廓的不利影响，提高边缘轮廓的一致性。
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公开(公告)号：CN115763240A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211403424.3
申请日：2022-11-10
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 本发明公开了一种消除硅片表面应力的碱腐蚀工艺。硅片加工过程依次包括切片、第一次碱液热处理、倒角、第二次碱液热处理、研磨；其中，在第一次碱液热处理中，将切片后得到的硅片浸入碱液A中处理，碱液A的质量百分比浓度为15％‑40％，温度为90‑120℃，处理时间为8‑30s；在第二次碱液热处理中，将倒角后的硅片浸入碱液B中处理，碱液B的质量百分比浓度为20％‑40％，温度为90‑120℃，处理时间为5‑25s。碱液A和碱液B所选用的碱为氢氧化钠或氢氧化钾。本发明的工艺通过在硅片倒角前后增加碱液热处理工序，可以有效地消除硅片表面应力，降低硅片在后续倒角、研磨工序的损失率。
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公开(公告)号：CN116852183B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202310967122.7
申请日：2023-08-02
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺，属于半导体晶圆加工技术领域。该研磨工艺包括以下步骤：(1)使用A磨砂研磨晶圆，A磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为：A磨砂15％‑38％、研磨剂1.5％‑2.8％，其余为水；研磨晶圆时使用的磨液流量为900‑1500mL/min；研磨压力为600‑1500kg；研磨转速为25‑50rpm，转速比为0.3‑0.6；(2)使用B磨砂研磨晶圆，B磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为：B磨砂13％‑36％、研磨剂2.2％‑3.8％，其余为水；研磨晶圆时使用的磨液流量为900‑1500mL/min；研磨压力为600‑1500kg；研磨转速为25‑50rpm，转速比为0.3‑0.6。本发明通过改善研磨工艺可以得到平坦度高的晶圆，并且能够避免晶圆的边缘塌陷。
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公开(公告)号：CN220179060U
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202321940879.9
申请日：2023-07-21
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
IPC分类号： B24B57/02
摘要： 本实用新型公开了一种适用于研磨晶圆的研磨液供液系统，属于研磨设备技术领域。该研磨液供液系统具备磨液搅拌桶和供液桶，磨液搅拌桶通过补液管与供液桶连接；磨液搅拌桶在顶部连接有注水管，在侧壁上设有液位报警装置，在底部连接第一排液管，在中心位置设有第一搅拌装置；补液管的吸液端设置在第一搅拌装置的搅拌扇叶上下20cm之间的位置；补液管上设有计量泵和信号传送装置，该信号传送装置传送来自研磨设备的信号并控制计量泵；供液桶中设有第二搅拌装置，并自供液桶的底部至顶部之间设置循环管，该循环管上设有循环泵和连接研磨设备的供液管。本实用新型结构简单，能够保证研磨液的均匀、稳定，满足研磨设备加工高品质晶圆所需的研磨液。
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