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公开(公告)号：CN114310653B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202111436473.2
申请日：2021-11-29
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种高品质几何参数抛光片的有蜡贴片工艺。该工艺包括以下步骤：(1)将硅片放在一个圆形吸盘上，硅片与吸盘之间靠真空固定，吸盘与硅片的圆心重合于一点，吸盘以1000‑3000rpm的转速携带硅片旋转，此时向硅片圆心处注入0.1‑10mL液体蜡，吸盘及硅片持续旋转1‑60s，液体蜡在离心力的作用下，涂覆在硅片背表面；(2)将吸盘及硅片转速提高到3500‑5000rpm，此时向硅片圆心处注入0.1‑10mL液体蜡，吸盘及硅片持续旋转1‑60s，液体蜡在离心力的作用下，涂覆在硅片背表面；(3)经热烘箱烘烤后，粘贴在有蜡抛光专用的工装夹具上，进行有蜡抛光。本发明能够产生厚度更加均匀的蜡膜，进而制造出具有更加优异局部平整度的硅衬底抛光片，提高后道器件厂的成品率。
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公开(公告)号：CN116852183A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310967122.7
申请日：2023-08-02
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺，属于半导体晶圆加工技术领域。该研磨工艺包括以下步骤：(1)使用A磨砂研磨晶圆，A磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为：A磨砂15％‑38％、研磨剂1.5％‑2.8％，其余为水；研磨晶圆时使用的磨液流量为900‑1500mL/min；研磨压力为600‑1500kg；研磨转速为25‑50rpm，转速比为0.3‑0.6；(2)使用B磨砂研磨晶圆，B磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为：B磨砂13％‑36％、研磨剂2.2％‑3.8％，其余为水；研磨晶圆时使用的磨液流量为900‑1500mL/min；研磨压力为600‑1500kg；研磨转速为25‑50rpm，转速比为0.3‑0.6。本发明通过改善研磨工艺可以得到平坦度高的晶圆，并且能够避免晶圆的边缘塌陷。
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公开(公告)号：CN114310653A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111436473.2
申请日：2021-11-29
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种高品质几何参数抛光片的有蜡贴片工艺。该工艺包括以下步骤：(1)将硅片放在一个圆形吸盘上，硅片与吸盘之间靠真空固定，吸盘与硅片的圆心重合于一点，吸盘以1000‑3000rpm的转速携带硅片旋转，此时向硅片圆心处注入0.1‑10mL液体蜡，吸盘及硅片持续旋转1‑60s，液体蜡在离心力的作用下，涂覆在硅片背表面；(2)将吸盘及硅片转速提高到3500‑5000rpm，此时向硅片圆心处注入0.1‑10mL液体蜡，吸盘及硅片持续旋转1‑60s，液体蜡在离心力的作用下，涂覆在硅片背表面；(3)经热烘箱烘烤后，粘贴在有蜡抛光专用的工装夹具上，进行有蜡抛光。本发明能够产生厚度更加均匀的蜡膜，进而制造出具有更加优异局部平整度的硅衬底抛光片，提高后道器件厂的成品率。
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公开(公告)号：CN117862112A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410032589.7
申请日：2024-01-08
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种半导体硅抛光片的去蜡清洗工艺。该工艺包括以下步骤：(1)硅片在有蜡抛光完成后，在180秒内转移至稀释双氧水中浸泡2‑10分钟，然后将硅片从陶瓷板上取下时，使硅片始终保持在双氧水中或通过喷淋双氧水的方式保持表面湿润；(2)上一步骤完成后的60分钟内，使用2个SC1、2个双氧水和2个超纯水对硅片进行去蜡清洗，清洗流程为：SC1‑超纯水‑双氧水‑SC1‑超纯水‑双氧水，SC1清洗时间2‑10分钟，双氧水清洗时间0.5‑10分钟；(3)在预清洗前硅片转入双氧水中保存，同时控制在120分钟内对硅片进行预清洗，将硅片由湿变干，再进行最终清洗。本发明能够极大降低沾污和腐蚀对硅片表面的影响，进而获得超高洁净度表面的硅抛光片。
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公开(公告)号：CN116852183B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202310967122.7
申请日：2023-08-02
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺，属于半导体晶圆加工技术领域。该研磨工艺包括以下步骤：(1)使用A磨砂研磨晶圆，A磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为：A磨砂15％‑38％、研磨剂1.5％‑2.8％，其余为水；研磨晶圆时使用的磨液流量为900‑1500mL/min；研磨压力为600‑1500kg；研磨转速为25‑50rpm，转速比为0.3‑0.6；(2)使用B磨砂研磨晶圆，B磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为：B磨砂13％‑36％、研磨剂2.2％‑3.8％，其余为水；研磨晶圆时使用的磨液流量为900‑1500mL/min；研磨压力为600‑1500kg；研磨转速为25‑50rpm，转速比为0.3‑0.6。本发明通过改善研磨工艺可以得到平坦度高的晶圆，并且能够避免晶圆的边缘塌陷。
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公开(公告)号：CN112086342B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201910519243.9
申请日：2019-06-14
申请人： 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种有效去除背封硅片背面背封点的工艺方法。该工艺方法包括以下步骤：(1)使用单面抛光机对背封片的背封面进行清洁处理，抛光机提供的压强为50～100g/cm2，清洗液为纯水，流量4～20L/min，抛光时间为1～100分钟；(2)对步骤(1)处理过的背封片进行清洗并甩干，清洗液为含过氧化氢和氨的混合溶液；(3)用有蜡贴片的方式对背封片做粗、中、精抛光。本发明能够消除背封点对抛光后的硅片表面形貌造成影响，降低后道CMP工序的Dimple缺陷发生率，从而提升硅衬底材料制造过程的整体成品率。
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公开(公告)号：CN111986984B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201910428626.5
申请日：2019-05-22
申请人： 有研半导体硅材料股份公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/302 , H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种降低硅抛光片表面产生时间雾的方法。该方法包括以下步骤：(1)将去蜡清洗与硅片参数测试完成的硅抛光片依次进行：a.进行SC‑1液兆声清洗，然后进行快速高纯水冲洗(QDR)或2个纯水溢流冲洗(OF)；b.进行SC‑2液兆声清洗，然后进行快速高纯水冲洗(QDR)或2个纯水溢流冲洗(OF)；(2)热水溢流冲洗；(3)IPA Marangoni(马兰戈尼)干燥；(4)用内包装袋真空封装并存放；(5)拆除内包装袋；(6)硅片表面颗粒测试；(7)采用内层充氮气，外层抽真空，内外双层包装袋封装。采用本发明可大幅降低硅抛光片表面时间雾的产生，从而大幅减少硅抛光片因产生时间雾而造成的返工，降低生产成本。
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