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公开(公告)号：CN117080236A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311042859.4
申请日：2023-08-18
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种能够控制出光角度的Micro led芯片制备方法，属于光电子技术领域。本发明的焊盘为圆环状的圆环电极，通过圆环电极四周注入电流，通过ITO导入到环内的MQW层，从而产生发光，因环形电极及四周DBR层的限制，使光线集中于圆环出射，通过改变圆环的形状、材料可进一步改变出光角度，相较于正面出光的Micro芯片，本发明进一步缩小了出光角度，降低了对相邻像素的混光影响，本发明适用于RGB颜色的发光芯片。
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公开(公告)号：CN115871114A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111143724.8
申请日：2021-09-28
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
IPC分类号： B28D5/00 , B23K26/364 , H01L21/78 , H01L33/00
摘要： 本发明涉及一种晶圆切割装置及晶圆切割方法。所述切割装置包括壳体，壳体上部分为压力腔，下部分为切割腔，切割腔内设置有晶圆对位模板；压力腔和切割腔均通过液体传输管路与液压泵相连接；晶圆对位模板包括对位底座，对位底座上设置有承片台，承片台上设置有对位图形。所述切割晶圆的方法为：制备断裂诱导槽；贴蓝膜；密封；加压切割；得到独立的晶粒。本发明提供的切割装置和切割方法可一次性完成X/Y方向裂片，无裂偏、碎晶等现象，效率提升，成本降低、作业品质高，可以对2～12英寸的晶圆进行劈裂或切割，突破现有激光切割+裂片机、刀轮切割的工艺瓶颈，得到长度为20～100μm的晶粒。
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公开(公告)号：CN105388439A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510738342.8
申请日：2015-11-03
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
IPC分类号： G01R35/00
CPC分类号： G01R35/005
摘要： 一种LED芯片测试的多波段校准方法，包括步骤如下：制作标准样片；利用标准机测试所述标准样片得到所述标准样片各波段的波长；利用标准机确定所述标准样片的起始点和点测方向；利用生产机台测试所述标准样片得到所述标准样片各波段的波长；数据比对采取点对点对应分波段比对：将标准机测试标准样片的波长与所述差值做散点图；根据所述散点图对各波段修正；按照所述修正方法将所述生产机台与标准机的各波段校准一致。本发明所述的校准方法对设备进行校准后，提高了测试准确性与一致性，测量值随晶粒尺寸、晶粒间距及环境变化的误差小。采用本发明所述方法校准后的测量设备对LED芯片进行测试时，其测试数据精确可靠，同时不同生产机台各波段的误差小。
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公开(公告)号：CN116666505A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310642971.5
申请日：2023-06-01
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明涉及一种提高晶粒转移性能的方法，属于光电子技术领域。方法步骤如下：(1)对已切割完成的晶粒进行清洗，去除表面的切割杂质、颗粒；(2)将承载晶粒的载具进行扩张，使晶粒间露出缝隙；(3)利用旋转涂敷的方式在晶粒上涂敷一定厚度的UV胶；(4)利用模板对位晶粒，然后利用激光进行光照，使晶粒四周及晶粒表面部分位置的UV胶固化；(5)对固化后的UV胶进行水解，使UV胶成独立的包裹晶粒的颗粒，并露出顶部中间位置的晶粒；(6)载具再次扩张，进行晶粒转移。本发明适用于各类型LED芯片，扩大了芯片面积，在运输过程中方便放置，降低了晶粒侧斜、歪倒的几率，容易图像识别，定位晶粒位置，方便吸嘴抓取、搬运芯片。
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公开(公告)号：CN115980538A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310126320.0
申请日：2023-02-17
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开一种适于芯片厂进行的发光二极管芯片的老化测试方法，包括：将待测试的发光二极管芯片的N面电极固定在金属支座上；将发光二极管芯片的P面电极与连接导线连接，然后将发光二极管芯片封闭在封罩的内腔中。将支座负极、支座正极接通电源，且测试电流为发光二极管芯片的额定电流，记录得到的电压、亮度、波长参数，记为初始参数；然后将增大电流至测试电流进行加速老化；完成后再次调节至额定电流进行测试，并记录得到的电压、亮度、波长参数，记为老化测试后参数。对比所述初始参数、老化测试后参数的变化，判断发光二极管芯片是否符合要求。本发明的老化测试方法能够在芯片厂再现对封装后发光二极管芯片进行简便高效的老化测试。
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公开(公告)号：CN114583017A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011368380.6
申请日：2020-11-30
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种新型AlGaInP四元LED芯片制备方法，该方法包括(1)在外延片的表面蒸镀ITO；(2)在ITO的表面制备光刻胶图形；(3)对光刻胶图形进行ICP刻蚀，刻蚀至ITO表面的光刻胶完全消耗；缺少光刻胶保护的ITO区域产生了深刻蚀，形成开孔区域；被光刻胶保护的ITO区域产生了浅刻蚀，形成粗化区域；(4)在外延片的表面再次蒸镀ITO；(5)制备P面金属电极图形；(6)利用电子束蒸发法蒸镀P面金属电极；(7)研磨衬底；(8)蒸镀N面金属电极；(9)切割获得独立的芯片。该制备方法采用干法刻蚀进行粗化，此种方法不使用粗化液，无需进行去胶作业，具有时效快、成本低、环保等特点。
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公开(公告)号：CN113050023A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911382161.0
申请日：2019-12-27
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
IPC分类号： G01S1/70
摘要： 本发明公开了一种非可见光标识定位系统及方法，其中包括干个定位信标和控制终端，实际可根据情况限定预设区域的尺寸，并在该预设区域内均匀布置若干个定位信标，每个定位信标可感应一定范围内的情况，并根据感应情况选择不同的脉冲模式，控制终端可根据单个或多个定位信标组合发出不同的编码脉冲信号，形成多种任务状态信号特征，可以用于定位标识“防御”、“定位”、“求救”、“集结点”、“攻击”等不同目标；该定位系统将非可见光技术、光信号脉冲编码技术和信标定位技术相结合，根据非可见光定位信标发出的脉冲信号，可以实现信息传递，在特殊环境下，可以隐蔽的定位目标位置，具有较高的实用性。
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公开(公告)号：CN108878612A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810666640.4
申请日：2018-06-25
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要： 一种提高AlGaInP LED侧面出光的管芯结构，包括从下至上依次设置的衬底、布拉格反射层、下限制层、有源层、上限制层和电流扩展层，管芯四周侧壁设有窗口区，窗口区使用锌扩散诱导量子阱中铝镓原子混杂而形成，其制备步骤为（1）在LED外延片上方生长氮化硅掩膜，腐蚀出回字形的扩散窗口；（2）继续生长氧化锌薄膜作为扩散源，然后覆盖氮化硅帽层；（3）将外延片放入扩散炉中进行锌扩散；（4）将外延片放入氢氟酸中腐蚀掉表面的氮化硅及氧化锌。窗口区的使用可以减小AlGaInP LED管芯侧壁对有源层发光的吸收，提高侧面出光。
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公开(公告)号：CN105823974B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201610280258.0
申请日：2016-04-28
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要： 一种改善LED芯片测试针痕的方法，包括以下步骤：（1）制作磨具，该磨具包括磨头、监测窗和夹持柄，夹持柄固定连接在磨头上，磨头内设置有锥孔，磨头锥孔的内壁上附着有磨料，磨头上设置有监测窗，监测窗上设有刻度；（2）观察测试针的针尖是否完好，如果针尖完好，则用毛刷或吹气清除针尖上的碎屑，如果难以清除，则采用步骤（1）制作的磨具研磨针尖；（3）对研磨结束后的针尖进行针痕测试。该方法可以使测试针在不拆卸的前提下研磨针尖上附着的难以清除的碎屑，缩短了研磨时间，提高了研磨效率且保护了测试针，且可实时监控针尖的研磨情况，从而高效地保证了研磨质量，改善了测试针痕，保证了测试质量，提高了测试针寿命，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN105823974A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610280258.0
申请日：2016-04-28
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
CPC分类号： G01R31/2635 , B24B19/16 , G01B5/08 , G01R31/2601
摘要： 一种改善LED芯片测试针痕的方法，包括以下步骤：（1）制作磨具，该磨具包括磨头、监测窗和夹持柄，夹持柄固定连接在磨头上，磨头内设置有锥孔，磨头锥孔的内壁上附着有磨料，磨头上设置有监测窗，监测窗上设有刻度；（2）观察测试针的针尖是否完好，如果针尖完好，则用毛刷或吹气清除针尖上的碎屑，如果难以清除，则采用步骤（1）制作的磨具研磨针尖；（3）对研磨结束后的针尖进行针痕测试。该方法可以使测试针在不拆卸的前提下研磨针尖上附着的难以清除的碎屑，缩短了研磨时间，提高了研磨效率且保护了测试针，且可实时监控针尖的研磨情况，从而高效地保证了研磨质量，改善了测试针痕，保证了测试质量，提高了测试针寿命，降低了生产成本。
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