可与离子源一起使用的蒸气传送系统及用于此系统的气化器

    公开(公告)号:CN101466962B

    公开(公告)日:2012-11-14

    申请号:CN200780021626.9

    申请日:2007-06-12

    IPC分类号: F16D49/00

    摘要: 本发明揭示蒸气传送系统及方法,其控制来自用于半导体制造的固体馈入材料(尤其是包含簇分子的材料)的蒸气的加热及流动。所述系统及方法安全且有效地将所述蒸气传导到利用点,尤其是到用于离子植入的离子源。离子束植入展示为使用来自所述簇材料的离子。所述蒸气传送系统包括所述离子源的反应性气体清洁、控制系统及协议、广泛动态范围流量控制系统及有效且安全的气化器选择。硼烷、十硼烷、碳硼烷、碳簇及其它大分子经气化以用于离子植入。所述系统展示为与新颖气化器、离子源及反应性清洁系统协作。

    汽化器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101461025B

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:CN200780020636.0

    申请日:2007-06-12

    IPC分类号: H01J27/00

    摘要: 本发明揭示一种汽化器单元,其将固体馈入材料、尤其包含用于半导体制造的簇分子的材料加热到产生待离子化的蒸汽的温度,其具有有效构造和许多有效的安全特征。加热器位于可卸顶部闭合部件中,且用以将所述顶部闭合部件中的阀维持在固体材料的加热温度高的温度下。顶部区为与底部区的界面的热分配器,底部的侧壁和底部壁将自界面所接收的热分配到暴露于馈入材料的空腔的表面。机械和电子编码的锁定、防止接近和有效使用提供安全性。硼烷、十硼烷(decaborane)、碳簇和其它大分子被汽化以用于离子植入。展示与新颖蒸汽传送系统以及与离子源配合的此类汽化器。

    汽化器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101461025A

    公开(公告)日:2009-06-17

    申请号:CN200780020636.0

    申请日:2007-06-12

    IPC分类号: H01J27/00

    摘要: 本发明揭示一种汽化器单元,其将固体馈入材料、尤其包含用于半导体制造的簇分子的材料加热到产生待离子化的蒸汽的温度,其具有有效构造和许多有效的安全特征。加热器位于可卸顶部闭合部件中,且用以将所述顶部闭合部件中的阀维持在固体材料的加热温度高的温度下。顶部区为与底部区的界面的热分配器,底部的侧壁和底部壁将自界面所接收的热分配到暴露于馈入材料的空腔的表面。机械和电子编码的锁定、防止接近和有效使用提供安全性。硼烷、十硼烷(decaborane)、碳簇和其它大分子被汽化以用于离子植入。展示与新颖蒸汽传送系统以及与离子源配合的此类汽化器。

    可与离子源一起使用的蒸气传送系统及用于此系统的气化器

    公开(公告)号:CN101466962A

    公开(公告)日:2009-06-24

    申请号:CN200780021626.9

    申请日:2007-06-12

    IPC分类号: F16D49/00

    摘要: 本发明揭示蒸气传送系统及方法,其控制来自用于半导体制造的固体馈入材料(尤其是包含簇分子的材料)的蒸气的加热及流动。所述系统及方法安全且有效地将所述蒸气传导到利用点,尤其是到用于离子植入的离子源。离子束植入展示为使用来自所述簇材料的离子。所述蒸气传送系统包括所述离子源的反应性气体清洁、控制系统及协议、广泛动态范围流量控制系统及有效且安全的气化器选择。硼烷、十硼烷、碳硼烷、碳簇及其它大分子经气化以用于离子植入。所述系统展示为与新颖气化器、离子源及反应性清洁系统协作。