Ni-Cu系磁记录介质的籽晶层用合金和溅射靶材及磁记录介质

    公开(公告)号:CN107251139B

    公开(公告)日:2020-04-14

    申请号:CN201680005033.2

    申请日:2016-01-07

    IPC分类号: G11B5/738 G11B5/84 G11B5/851

    摘要: 本发明的课题在于,提供一种作为垂直磁记录介质中的籽晶层使用的Ni-Cu系磁记录介质的籽晶层用合金和溅射靶材,为了解决这一课题,提供一种磁记录介质的籽晶层用Ni-Cu-M合金以及使用了该合金的溅射靶材和磁记录介质,在该磁记录介质的籽晶层用Ni-Cu-M合金中,其特征在于,含有Cu为1~50at%,含有2~20at%的从W、Mo、Ta、Cr、V、Nb中选择的一种或两种以上的M1元素,0~10at%的从Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Zr、Ti、Hf、B、P、C、Ru中选择的一种或两种以上的M3元素作为M元素,余量由Ni和不可避免的杂质构成。

    Ni系溅射靶材和磁记录介质

    公开(公告)号:CN107408397B

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201680013673.8

    申请日:2016-03-10

    摘要: 本发明以提供导磁率低,能够得到强漏磁通的在磁控管溅射中的使用效率高的Ni系溅射靶材为课题,为了解决这一课题,提供一种Ni系溅射靶材,是含有Fex-Niy-Coz-M系合金而构成的Ni系溅射靶材,其特征在于,所述合金中,作为M元素,含有从W、Mo、Ta、Cr、V和Nb中选择的一种或两种以上的M1元素,合计2~20at.%,含有从Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Zr、Ti、Hf、B、Cu、P、C和Ru中选择的一种或两种以上的M2元素,合计0~10at%,余量由Ni、还有Fe和Co之中的一种或两种、及不可避免的杂质构成,x+y+z=100时,x为0~50,y为20~98,并且,z为0~60,所述合金中,具有含Feα-Niβ-Coγ相而构成的微观组织,α+β+γ=100时,β为20~35,并且,γ为30以下,所述微观组织,含有在所述Feα-Niβ-Coγ相中固溶的M元素;和/或与Fe、Ni和Co之中的至少一种元素形成化合物的M元素而构成。

    溅射靶材
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109072419B

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN201780028481.9

    申请日:2017-05-22

    摘要: 本发明提供一种溅射靶材,其特征在于,即使不使用纯Ta也能够提高溅射靶材的强度,防止溅射时的裂纹及颗粒,并且能够防止溅射膜的组成不均。本发明提供的溅射靶材的特征在于,以at.%计含有35~50%的Ta,余量由Ni及不可避免的杂质构成,且仅由Ni2Ta化合物相和NiTa化合物相构成,所述Ni2Ta化合物相及所述NiTa化合物相的显微组织的最大内接圆直径为10μm以下。

    溅射靶材
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109072419A

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201780028481.9

    申请日:2017-05-22

    摘要: 本发明提供一种溅射靶材,其特征在于,即使不使用纯Ta也能够提高溅射靶材的强度,防止溅射时的裂纹及颗粒,并且能够防止溅射膜的组成不均。本发明提供的溅射靶材的特征在于,以at.%计含有35~50%的Ta,余量由Ni及不可避免的杂质构成,且仅由Ni2Ta化合物相和NiTa化合物相构成,所述Ni2Ta化合物相及所述NiTa化合物相的显微组织的最大内接圆直径为10μm以下。

    非磁性且非晶质的合金、以及利用该合金的溅射靶材和磁记录介质

    公开(公告)号:CN107924689A

    公开(公告)日:2018-04-17

    申请号:CN201680048162.X

    申请日:2016-08-23

    IPC分类号: G11B5/738 C23C14/34 G11B5/851

    摘要: 本发明的目的在于,提供高温处理(例如,热辅助磁记录介质的磁性层形成时的400~500℃左右的加热处理)时能够防止发生结晶化的非磁性且非晶质的Co系合金以及利用该Co系合金的溅射靶材和磁记录介质,为了达成上述目的,提供一种合金,其为非磁性且非晶质的合金,含有Fe 0at%以上且2at%以下、由选自Ti、Zr、Hf中的1种或2种以上的元素构成的A组元素5at%以上且20at%以下、由选自Cr、Mo、W中的2种以上的元素构成的B组元素16at%以上且50at%以下、由选自V、Nb、Ta中的1种或2种以上的元素构成的C组元素0at%以上且25at%以下、以及由选自Si、Ge、P、B、C中的1种或2种以上的元素构成的D组元素0at%以上且20at%以下,余量由Co和不可避免的杂质构成,A组元素的含量与B组元素的含量之和为超过35at%且70at%以下。

    Ni系溅射靶材和磁记录介质

    公开(公告)号:CN107408397A

    公开(公告)日:2017-11-28

    申请号:CN201680013673.8

    申请日:2016-03-10

    摘要: 本发明以提供导磁率低,能够得到强漏磁通的在磁控管溅射中的使用效率高的Ni系溅射靶材为课题,为了解决这一课题,提供一种Ni系溅射靶材,是含有Fex-Niy-Coz-M系合金而构成的Ni系溅射靶材,其特征在于,所述合金中,作为M元素,含有从W、Mo、Ta、Cr、V和Nb中选择的一种或两种以上的M1元素,合计2~20at.%,含有从Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Zr、Ti、Hf、B、Cu、P、C和Ru中选择的一种或两种以上的M2元素,合计0~10at%,余量由Ni、还有Fe和Co之中的一种或两种、及不可避免的杂质构成,x+y+z=100时,x为0~50,y为20~98,并且,z为0~60,所述合金中,具有含Feα-Niβ-Coγ相而构成的微观组织,α+β+γ=100时,β为20~35,并且,γ为30以下,所述微观组织,含有在所述Feα-Niβ-Coγ相中固溶的M元素;和/或与Fe、Ni和Co之中的至少一种元素形成化合物的M元素而构成。