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公开(公告)号：CN104846352B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201510186561.X
申请日：2015-04-20
申请人： 岭南师范学院
IPC分类号： C23C18/14
摘要： 本发明涉及半导体光电材料技术领域，提供了一种紫外光化学水浴沉积法制备硫化镉薄膜或硫化锌薄膜的方法。本发明将金属源CdSO4或ZnSO4、络合剂、含S2O32‑的硫源、H2SO4溶液混合，调节H2SO4溶液的加入量使混合液pH≥3.5，将衬底浸渍于混合液中，并保持液面与衬底的上底面的距离为2~5mm，紫外光照射，衬底上形成硫化镉或硫化锌薄膜。本发明首次采用紫外光化学水浴方法制备硫化镉或硫化锌薄膜，对比传统化学浴法，紫外光化学水浴法只在光照的位置发生反应而沉积薄膜，通过控制紫外光源光斑的位置和形状即可控制薄膜形状，通过光照时间控制薄膜厚度，材料利用率高，产生的废液也少很多，制备得到无针孔、均匀一致的高质量薄膜。
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公开(公告)号：CN105633217A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610168319.4
申请日：2016-03-23
申请人： 岭南师范学院
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种微米级铜锗锌锡硫硒单晶颗粒的制备方法及其单晶颗粒和太阳能电池；首先按照设计的配方混合反应原料制备前驱体，将前驱体真空封装，一定温度下熔融生成CGZTSSe单晶颗粒；另外以环氧树脂、阿拉伯树胶为大分子材料，把微米级CGZTSSe单晶颗粒嵌入大分子材料中制备单晶颗粒薄膜，再制备各种功能层形成完整的电池。由于单晶颗粒的制备和单晶颗粒吸收层膜的制备过程是分开的，在单晶颗粒制备过程中可以使用高温环境，从而实现对CGZTSSe的组分进行有效的控制，而无需考虑吸收层制备条件对衬底，窗口层、缓冲层等的影响，该方法在材料与能源利用率和工业化生产方面具有明显的优势。
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公开(公告)号：CN105624773A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610168320.7
申请日：2016-03-23
申请人： 岭南师范学院
IPC分类号： C30B9/12 , C30B29/46 , H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , C30B9/12 , C30B29/46 , H01L31/0392 , H01L31/042 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种微米级铜锗锌锡硫单晶颗粒的制备方法及其单晶颗粒和太阳能电池，首先按照设计的配方混合反应原料制备前驱体，将前驱体真空封装，一定温度下熔融生成CGZTS单晶颗粒；另外以环氧树脂、阿拉伯树胶为大分子材料，把微米级CGZTS单晶颗粒嵌入大分子材料中制备单晶颗粒薄膜，再制备各种功能层形成完整的电池。由于单晶颗粒的制备和单晶颗粒吸收层膜的制备过程是分开的，在单晶颗粒制备过程中可以使用高温环境，从而实现对CGZTS的组分进行有效的控制，而无需考虑吸收层制备条件对衬底，窗口层、缓冲层等的影响，该方法在材料与能源利用率和工业化生产方面具有明显的优势。
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公开(公告)号：CN105070788A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510509873.X
申请日：2015-08-19
申请人： 岭南师范学院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0445 , H01L31/032 , H01L31/036
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/1896 , H01L31/0326 , H01L31/036
摘要： 本发明公开了一种柔性衬底单晶颗粒太阳能电池的制备方法，是利用化学浴沉积法在单晶颗粒表面沉积缓冲层，以阿拉伯树胶、胶黏剂等有机高分子材料作为粘结剂在硬质衬底上制备双粘结剂层，把包覆了缓冲层的单晶颗粒嵌入双粘结剂层，然后制备窗口层和前电极层，再对单晶颗粒薄膜封装并粘贴柔性衬底；将柔性单晶颗粒薄膜从硬质衬底上揭下，通过清洗、机械研磨、清洗露出平整洁净的单晶颗粒表面，再在上面制备背电极层从而形成电池。单晶颗粒的制备、筛选、清洗、钝化和单晶颗粒吸收层膜的制备过程是分开的，在制备太阳能电池时无需考虑吸收层制备条件对衬底，窗口层、缓冲层的影响，该方法在材料与能源利用率和工业化生产方面具有明显的优势。
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公开(公告)号：CN104795468A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510186553.5
申请日：2015-04-20
申请人： 岭南师范学院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明属于半导体光电材料与器件技术领域，具体公开了一种铜锌锡硫薄膜的光化学制备方法及其铜锌锡硫薄膜与铜锌锡硫太阳能电池；所述铜锌锡硫薄膜是在紫外光的照射下在衬底上进行沉积，由于沉积是在液相中进行的，反应是低温沉积过程，因此避免了衬底的氧化和腐蚀；而且反应的基本基团是离子，较容易沉积得到均匀一致的薄膜；另外，薄膜的沉积只在紫外光光照的位置发生，因此可以通过控制光斑的位置和形状来控制薄膜形状，通过控制紫外光的照射时间来控制薄膜厚度；该方法生产成本低，设备简单，反应条件温和，对材料的利用率高，容易制备出大面积较均匀的薄膜。
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公开(公告)号：CN110026325B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201910234366.8
申请日：2019-03-26
申请人： 岭南师范学院
IPC分类号： B05D1/00 , B05D5/00 , B05D1/38 , B05D7/24 , G01N27/407
摘要： 本发明涉及半导体材料与器件技术领域，更具体地，涉及一种单晶颗粒薄膜及其气体传感器的制备方法，包括选取钼玻璃作为衬底，选取单晶颗粒在去离子水中搅拌分散，待单晶颗粒沉淀后，缓缓抽干容器中的去离子水，取出钼玻璃片烘干，得到单晶颗粒薄膜。采用该单晶颗粒薄膜制备气体传感器，将制备好的单晶颗粒薄膜在真空中进行第一次退火，利用液相法在单晶颗粒薄膜制备ZnO薄膜层，将制备了ZnO层的CZTS薄膜在真空中进行第二次退火，利用银浆在ZnO层上制备电极，得到气体传感器。工艺简单、操作方便、成本低廉，所制备的气体传感器对气体展现出气敏性能。
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公开(公告)号：CN108342776B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201810146813.X
申请日：2018-02-12
申请人： 岭南师范学院
摘要： 本发明公开了一种铜锌锡硫单晶颗粒膜及光电化学全分解纯水装置，所述铜锌锡硫单晶颗粒膜的制备方法包括如下步骤：S1.将所述铜锌锡硫单晶颗粒与含有离子导体的胶黏剂混匀，之后加入分散剂；S2.在衬底上制备一层阿拉伯树胶薄膜，将铜锌锡硫单晶颗粒、胶黏剂、分散剂的混合物涂覆于阿拉伯树胶薄膜上，所述铜锌锡硫单晶颗粒为单层分布，固化后经刻蚀露出单晶颗粒的两侧表面，制得铜锌锡硫单晶颗粒膜。光照条件下，铜锌锡硫单晶颗粒中产生的光生电子和空穴在外加电场的作用下分离到铜锌锡硫单晶颗粒膜的两面，降低光生电子在其体相或表面相的复合，提高光催化制氢的转换效率，在铜锌锡硫单晶颗粒膜的两面分别产生氢气和氧气。
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公开(公告)号：CN107994100A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711347587.3
申请日：2017-12-15
申请人： 岭南师范学院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0392
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/035281 , H01L31/03923 , H01L31/03928
摘要： 本发明公开了一种柔性单晶颗粒薄膜及其太阳能电池的制备方法，包括（1）利用印刷法在柔性衬底上依次制备阿拉伯树胶层、环氧树脂层，形成粘结剂层；（2）用静电转印法把单晶颗粒植入粘结剂层中；（3）先用研磨机磨掉表层的环氧树脂，使单晶颗粒表面裸露，再用等离子体刻蚀清洁裸露的单晶颗粒表面，得到柔性单晶颗粒薄膜；（4）在柔性单晶颗粒薄膜上制备缓冲层、窗口层以及电极层得到柔性单晶颗粒薄膜太阳能电池；本发明采用卷对卷法结合静电转印技术制备大面积柔性单晶颗粒薄膜的制备，克服现有技术中因导电材料在使用过程中容易被折断而影响柔性单晶颗粒薄膜的可靠性问题，在工业化生产方面具有明显的优势。
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公开(公告)号：CN106486557A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610937244.1
申请日：2016-11-01
申请人： 岭南师范学院
IPC分类号： H01L31/0296 , H01L31/0392 , H01L31/0749 , C01G11/02
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/0296 , C01G11/02 , C01P2004/03 , H01L31/03925 , H01L31/0749
摘要： 本发明涉及半导体光电材料技术领域，提供了一种深紫外光化学水浴沉积制备硫化镉纳米薄膜的方法，将金属源CdSO4、硫源Na2S2O3、含SO32-的硫源释放控制剂及H2SO4溶液混合，得到沉积液，将沉积液的pH值稳定在3.5~4.0，将衬底浸渍于沉积液中，使沉积液液面与衬底的上表面的距离小于1mm，使用LED深紫外光照射，形成硫化镉纳米薄膜。所述方法能够使硫源的释放得到控制，提高了薄膜生长的均匀性。对比一般光化学沉积工艺，该工艺使用的深紫外光源功率小，热效应低，经过光学设计后在固定范围内深紫外光强度均一，能制备出达到铜铟镓硒太阳能电池缓冲层要求的、均匀一致的、与基底紧密接触的高质量纳米硫化镉薄膜。
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公开(公告)号：CN105039926A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510328592.4
申请日：2015-06-15
申请人： 岭南师范学院
IPC分类号： C23C14/58 , H01L31/032
摘要： 本发明公开了一种液态锡加热连续硫化硒化法制备CZTSSe薄膜的方法及其CZTSSe薄膜和应用。先利用溅射法在镀钼玻璃上制备CuZnSnS合金薄膜或者CuS/ZnS/Sn多层交叠膜作为前驱体，在此薄膜上蒸镀一层Se膜，再利用不同温度的液态锡作为加热源，在含有硫元素的氮气气氛下，对前驱体薄膜进行硫化硒化，最后制备完成CZTSSe太阳能电池吸收层薄膜。本发明不仅可保证高均匀度的快速升温，还能抑制样品中的锡流失，保证了样品的组分可控，提高了样品的质量从而提高电池的效率，是一种能耗低、均匀度高、升温速度快的制备太阳能电池吸收层CZTSSe薄膜的方法，在材料与能源利用率和工业化生产方面具有明显的优势。
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