公开(公告)号：CN1518522A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN02812453.7

申请日：2002-06-20

Applicant: 巴斯福股份公司

Inventor： R·内伦贝格 ,  H-J·施特策尔 ,  V·科赫

IPC: C01B25/32 ,  C01B25/455 ,  A61K6/033 ,  A61K7/16 ,  A61L27/42

CPC classification number: A23G4/064 ,  A61K6/0008 ,  A61K6/0017 ,  A61K6/0067 ,  A61K6/033 ,  A61K8/21 ,  A61K8/24 ,  A61L27/12 ,  A61L27/32 ,  A61Q11/00 ,  C01B25/322 ,  C01B25/455

Abstract: 本发明涉及式Ca5(PO4)3(OH)xFy的棒状磷灰石晶体，其具有如下特征：a)该晶体的长宽比至少≥5，并且b) x+y＝1，在其中x或y≠0的情况下，全部晶体作为单个羟基磷灰石晶体与氟磷灰石晶体的混合物和/或作为混晶存在，由此基于全部晶体，(1－x)·100％的y为0时所存在的氢氧根离子被氟离子替代。本发明还涉及包含所述棒状磷灰石晶体的分散体，以及制备所述分散体或磷灰石晶体的方法。

公开(公告)号：CN101048833A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200580036882.6

申请日：2005-10-20

Applicant: 巴斯福股份公司

Inventor： F·托马斯 ,  P·德克 ,  K·屈林 ,  H-J·施特策尔 ,  D·费斯彻尔

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01G4/005 ,  H01G9/042 ,  Y02T10/7022 ,  Y10T29/435

Abstract: 本发明涉及一种具有多孔导电基底的电容器，在该基底的内表面及外表面上施加介质的第一层及导电第二层。本发明还涉及一种用于制造这种电容器的方法及其在电气与电子电路中的用途。

公开(公告)号：CN1685082A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03822617.0

申请日：2003-09-08

Applicant: 巴斯福股份公司

Inventor： H-J·施特策尔

IPC: C23C24/10 ,  C04B35/468 ,  C04B35/01 ,  C04B41/50 ,  C23C18/12

CPC classification number: C04B35/475 ,  B82Y30/00 ,  C01G23/006 ,  C01G25/006 ,  C01G35/006 ,  C01P2004/64 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/47 ,  C04B35/491 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/02 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/549 ,  H01L21/31691

Abstract: 本发明涉及一种涂敷基材的方法，根据该方法将结晶氧化物颗粒的细碎悬浮液施用于基材上，蒸发悬浮介质并烧结基材上的涂层。

公开(公告)号：CN101048877A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200580036891.5

申请日：2005-10-26

Applicant: 巴斯福股份公司

Inventor： H-J·施特策尔

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0296 ,  C30B29/48

CPC classification number: H01L31/068 ,  C30B23/02 ,  C30B29/48 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02573 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0321 ,  H01L31/1828 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种包含光电活性半导体材料的光电池。所述光电池的特征在于光电活性半导体材料为具有式(I)的二元化合物或具有式(II)的三元化合物的p－掺杂或n－掺杂的半导体材料：ZnTe(I)，Zn1－xMnxTe(II)，其中x为0.01－0.99的数。在所述光电活性半导体材料中的一定比例碲离子由卤离子和氮离子替代且卤离子选自氟离子、氯离子和溴离子或其混合物。

公开(公告)号：CN101048876A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200580036432.7

申请日：2005-10-25

Applicant: 巴斯福股份公司

Inventor： H-J·施特策尔

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0296

CPC classification number: H01L31/0321 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/547

Abstract: 一种包括光伏有源半导体材料的光伏电池，其中光伏有源半导体材料是包括具有分子式(I)的混合化合物的p或n型掺杂半导体材料：(Zn1－xMnxTe)1－y(SiaTeb)y(I)；其中x从0.01到0.99，y从0.01到0.2，a从1到2以及b从1到3。

公开(公告)号：CN1653566A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN03810573.X

申请日：2003-05-12

Applicant: 巴斯福股份公司

Inventor： H-J·施特策尔 ,  K·屈林

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/005 ,  H05K1/16

CPC classification number: H01G4/005 ,  H01G4/1227 ,  H05K1/162

Abstract: 一种具有高能量密度的电容器，包括惰性多孔状体，在所述体积上施加有第一导电层、第二钛酸钡层、以及另一导电层。

公开(公告)号：CN1174960C

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN01805469.2

申请日：2001-02-14

Applicant: 巴斯福股份公司

Inventor： M·韦伯 ,  H-J·施特策尔 ,  E·施特勒费尔 ,  O·瓦茨恩贝格尔

IPC: C07C235/60 ,  C07C217/20 ,  C01B21/14

Abstract: 式(I)化合物及其盐：N(A1R1)(A2R2)(A3R3) (I)，其中A1，A2和A3彼此独立地是亚烷基、亚烯基、亚炔基、环亚烷基或环亚烯基，所述基团可有1、2或3个独立地选自烷氧基、羟基和酮的取代基，所述基团中的至少一个碳原子可被独立地选自氮、氧和硫的杂环原子取代，R1，R2和R3彼此独立地是芳基或5-或6-元不饱和杂环，环中有1、2或3个独立地选自氮、氧和硫的杂环原子，所述基团可有1、2或3个独立地选自烷基、烷氧基和羟基的取代基，条件是A1，A2和A3的取代基和R1，R2和R3的取代基中烷氧基和羟基取代基的总数至少为6。

公开(公告)号：CN1167658C

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN00816882.2

申请日：2000-12-08

Applicant: 巴斯福股份公司

Inventor： J·古特 ,  H·弗里德里希 ,  H-J·施特策尔 ,  G·凯贝尔 ,  K·布尔卡特 ,  E·霍夫曼

IPC: C07C29/70 ,  C07C29/80

Abstract: 本发明涉及由可与甲醇混合的碱金属氢氧化物水溶液和甲醇在反应塔中制备碱金属甲醇盐的方法，反应塔在碱金属氢氧化物溶液进料点与甲醇进料点之间有至少5个、优选15至30个理论塔板。根据本发明，在反应中形成的气态甲醇/水混合物在精馏塔中进行分馏。在本发明的一个实施方案中，构型为泡罩塔盘塔、浮阀塔盘塔或筛盘塔的反应塔的塔盘的选择使得通过相应塔盘的液体淋降不超过5%、优选不大于1%。在本发明的另一实施方案中，双夹套反应塔在双层壁内的温度比塔内部温度高3至10℃，并配有无规则填充物或有序填充物，其中在相当于2%以上塔总横截面的塔截面所有局部区域内液流与汽流的平均比不超过15%、优选不超过3%。

公开(公告)号：CN1400983A

公开(公告)日：2003-03-05

申请号：CN01805093.X

申请日：2001-02-14

Applicant: 巴斯福股份公司

Inventor： J·法代勒 ,  H-J·施特策尔

IPC: C08G75/14 ,  C07C319/22 ,  C07C321/14 ,  C08J3/24

CPC classification number: C08G75/14 ,  C07C321/14 ,  C08L81/04 ,  C08L2666/04

Abstract: 本文涉及含有分子式I所示的链的聚亚烷基多硫化物,其中R和R’相同或者不同为氢或含有1到4个碳原子的烷基或COR”，其中R”为氢或含有1到4个碳原子的烷基，x为一个平均值从2到20的数字，并且n为大于10的一个数字。本文还涉及制备聚亚烷基多硫化物的方法，其中至少一种分子式II所示的羰基化合物,其中R和R’如上所述，在碱催化剂存在的条件下与硫和硫化氢反应。

公开(公告)号：CN101048877B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200580036891.5

申请日：2005-10-26

Applicant: 巴斯福股份公司

Inventor： H-J·施特策尔

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0296 ,  C30B29/48

CPC classification number: H01L31/068 ,  C30B23/02 ,  C30B29/48 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02573 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0321 ,  H01L31/1828 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种包含光电活性半导体材料的光电池。所述光电池的特征在于光电活性半导体材料为具有式(I)的二元化合物或具有式(II)的三元化合物的p-掺杂或n-掺杂的半导体材料：ZnTe(I)，Zn1-xMnxTe(II)，其中x为0.01-0.99的数。在所述光电活性半导体材料中的一定比例碲离子由卤离子和氮离子替代且卤离子选自氟离子、氯离子和溴离子或其混合物。