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公开(公告)号：CN101178903A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710186330.4
申请日：2007-11-12
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号： G11B5/1278 , G11B5/112 , G11B5/3163 , Y10T29/49032 , Y10T29/49043 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
摘要： 本发明披露了用于在制造带切口的尾屏蔽件结构期间改善晶片内和晶片间成品率的方法。在平坦化和形成切口之前淀积Ta/Rh CMP停止层以确保用于尾屏蔽件结构的平坦表面。这些停止层可以是毯式淀积的或在CMP之前构图的。图案化的停止层产生了最高的成品率。
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公开(公告)号：CN100359563C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200410100711.2
申请日：2004-12-10
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号： G11B5/112 , G11B5/1278 , H01F41/32 , Y10T29/49039 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
摘要： 一种具有切口、自动对齐的径屏的垂直写入磁头，用于使从该磁头发射的磁场倾斜。
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公开(公告)号：CN103295588A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210597631.7
申请日：2012-10-15
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11B5/39 , G11B5/11 , G11B5/112 , G11B5/3169 , G11B5/3912 , G11B5/40 , Y10T428/1121 , Y10T428/1164
摘要： 本发明涉及一种读取器阻挡层。对于制造换能器头的读取器结构的允许限度变得越来越小，并且对应存储介质的存储密度逐渐增加。在制造读取器结构期间，可利用读取器阻挡层保护读取器结构的不同层在对读取器结构的其他未受保护层进行处理的时候不产生凹坑和/或刮擦。例如，阻挡层在机械或者化学-机械抛光期间可具有极低的抛光率。邻近地区可以被显著地抛光，而通过具有极低抛光率的阻挡层所保护的结构基本上不被影响。然后可经由蚀刻去除阻挡层，例如在完成机械或者化学-机械抛光之后。
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公开(公告)号：CN101494056B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200810183769.6
申请日：2008-12-15
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号： G11B5/1278 , G11B5/112 , G11B5/3116 , G11B5/3146 , G11B5/315 , G11B5/3163
摘要： 本发明提供一种垂直磁记录头及其制造方法，其能够抑制记录场的降低，并且能够有效地降低弥散场。在与主极(11)相比更远的前导侧位置布置设置在主极(11)的处于跨道方向的每一侧所在的侧的侧面屏蔽件(13)。
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公开(公告)号：CN100590714C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200610114943.2
申请日：2006-08-14
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G11B5/3116 , G11B5/11 , G11B5/112 , G11B5/1278 , G11B5/3146
摘要： 本发明提供了垂直磁记录头以及制造其的方法。该垂直磁头用于包括记录层的垂直磁记录介质，所述垂直磁头在所述记录层上方沿道的方向移动、在所述记录层上记录信息、以及从所述记录层上读所述信息，所述垂直磁头包括：主极；返回极，其末端与所述主极在空气轴承表面(ABS)分隔开；以及多个屏蔽件，其围绕所述主极并且具有分离结构。
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公开(公告)号：CN100447861C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200610108736.6
申请日：2006-08-10
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号： G11B5/1278 , G11B5/112 , G11B5/315
摘要： 本发明涉及一种垂直写头及其制造方法，该垂直写头用于写数据到道上，所述垂直写头具有主极，带切口的拖尾屏蔽件自对准在所述主极之上以用于改善覆写和相邻道干扰。
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公开(公告)号：CN101246694A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810074303.2
申请日：2008-02-15
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号： G11B5/3146 , G11B5/112 , G11B5/1278 , G11B5/3116
摘要： 本发明提供一种能够抑制写入极和尾屏蔽件突出的用于垂直磁记录的磁写入头。所述写入极包括与所述尾屏蔽件磁连接的磁返回极，所述返回极能够抵御由苏打喷射等机械磨蚀滑块清洁操作导致的形变或凹陷。
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公开(公告)号：CN101064112A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710101866.1
申请日：2007-04-25
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号： G11B5/112 , G11B5/1278 , G11B5/3116 , G11B5/3146 , G11B5/315 , G11B5/3163 , Y10T29/49021 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
摘要： 本发明提供一种构造用于在垂直磁记录中使用的磁写头的方法，该写头具有写极，该写极具有环绕该写极的尾屏蔽件。该方法允许尾屏蔽件构造有很好控制的尾间隙厚度且还允许写极构造有良好控制的道宽和直的、平的尾边缘。该方法包括沉积磁写极在衬底上且形成研磨结构在该写极层上。该研磨结构包括可以通过反应离子蚀刻被去除的终点检测层。进行离子研磨以通过去除未被该掩模层覆盖的磁写极材料来形成写极。非磁材料例如氧化铝的层被沉积且被离子研磨从而暴露终点检测层。然后该终点检测层通过反应离子蚀刻被去除且沉积磁的环绕的尾屏蔽件。
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公开(公告)号：CN1648996A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200410082674.7
申请日：2004-09-27
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号： G11B5/1278 , G11B5/112 , Y10T29/49021 , Y10T29/49032 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052 , Y10T29/49067
摘要： 一种制造拖尾防护写入极的方法和材料，其解决了控制写入间隙和避免在后续结构的制造期间对写入间隙或极的损害的问题。此过程还介绍了移除再沉积和围层(增加产量)的CMP协助剥离过程，以及在写入极的顶端中创建凹坑的方法。此外，此公开中还包括可起到离子铣削转移层、CMP层、以及可RIE层的作用的适合材料。
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公开(公告)号：CN1045310A
公开(公告)日：1990-09-12
申请号：CN89109168.8
申请日：1989-12-05
申请人： 磁性外围设备有限公司
发明人： 马克·朱里什 , 斯科特·丹尼尔·多宾斯
IPC分类号： G11B5/31
CPC分类号： G11B5/112 , G11B5/3143
摘要： 一种读/写薄膜磁头(10)，包括一衬底(12)；一薄膜磁芯(14)，由所述衬底支撑着，包括一读/写间隙(24)，供读写信息之用；一隔离层(36)供隔离衬底(12)与磁芯(14)之用，和一线圈(32，34)，装在磁芯中，且通过磁芯延伸。有一个导电间柱(40)将衬底(12)电连接到磁芯(14)上。
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