公开(公告)号：CN102449771B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201080022733.5

申请日：2010-05-27

Applicant: 帝人株式会社

Inventor： 串田尚 ,  内藤裕义

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0529 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0562 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明提供能够获得具有优异的半导体特性的有机半导体膜的烷基硅烷层叠体。这样的层叠体能够用于有机薄膜晶体管。所述烷基硅烷层叠体含有表面具有羟基的基底层(Sub)、以及在该基底层上形成的烷基硅烷薄膜(AS)，烷基硅烷薄膜的临界表面能Ec和烷基硅烷的碳原子数x满足下述式(1)：Ec≤29.00-0.63x(mN/m)(1)。而且，本发明还提供具有这样的烷基硅烷层叠体(Sub、AS)的薄膜晶体管(10)。

公开(公告)号：CN102870202A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180023666.3

申请日：2011-04-27

Applicant: 帝人株式会社

Inventor： 串田尚 ,  内藤裕义

IPC: H01L21/368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0512 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

Abstract: 第1个本发明的有机半导体膜（10），相对的两个表面侧（11、12）的电荷迁移率之比｛（电荷迁移率大的表面侧的电荷迁移率）/（电荷迁移率小的表面侧的电荷迁移率）｝的值为1以上且小于10，而且将在硅晶片上通过旋涂制作的相同厚度及材料的有机半导体膜的峰高度作为基准时，相对X射线反射峰高度为2.0以上。第2个本发明的有机半导体膜（10），相对的两个表面侧（11、12）的电荷迁移率之比｛（电荷迁移率大的表面侧的电荷迁移率）/（电荷迁移率小的表面侧的电荷迁移率）｝的值为2以上。

公开(公告)号：CN102449771A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080022733.5

申请日：2010-05-27

Applicant: 帝人株式会社

Inventor： 串田尚 ,  内藤裕义

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0529 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0562 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明提供能够获得具有优异的半导体特性的有机半导体膜的烷基硅烷层叠体。这样的层叠体能够用于有机薄膜晶体管。所述烷基硅烷层叠体含有表面具有羟基的基底层(Sub)、以及在该基底层上形成的烷基硅烷薄膜(AS)，烷基硅烷薄膜的临界表面能Ec和烷基硅烷的碳原子数x满足下述式(1)：Ec≤29.00-0.63x(mN/m)(1)。而且，本发明还提供具有这样的烷基硅烷层叠体(Sub、AS)的薄膜晶体管(10)。