带有硬涂层的高分子基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN108093628B

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN201680055280.3

    申请日:2016-09-23

    Abstract: 本发明实现一种兼具高的耐环境性、耐磨性的带有硬涂层的高分子基板。高分子基板(60)为厚度1~20mm,其表面上的硬涂层(70、80)具备基底固化层(70)和氧化硅层(80)而成,上述基底固化层(70)含有多官能丙烯酸酯10~90重量份、无机氧化物微粒和/或硅化合物水解缩合物90~10重量份且厚度为1~20μm,上述氧化硅层(80)与基底固化层直接接触,通过以有机硅化合物为原料的PE‑CVD法而形成,且满足下述(a)~(c)的全部条件:(a)氧化硅层的膜厚为3.5~9.0μm;(b)在最大负荷1mN条件利用纳米压痕测定的氧化硅层的表面的最大压入深度为150nm以下;以及(c)在给予将层叠有氧化硅层的面成为凹的压入位移的带有硬涂层的高分子基板的3点弯曲试验中,氧化硅层的临界压缩率K的值为0.975以下。

    带有硬涂层的高分子基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN108093628A

    公开(公告)日:2018-05-29

    申请号:CN201680055280.3

    申请日:2016-09-23

    Abstract: 本发明实现一种兼具高的耐环境性、耐磨性的带有硬涂层的高分子基板。高分子基板(60)为厚度1~20mm,其表面上的硬涂层(70、80)具备基底固化层(70)和氧化硅层(80)而成,上述基底固化层(70)含有多官能丙烯酸酯10~90重量份、无机氧化物微粒和/或硅化合物水解缩合物90~10重量份且厚度为1~20μm,上述氧化硅层(80)与基底固化层直接接触,通过以有机硅化合物为原料的PE-CVD法而形成,且满足下述(a)~(c)的全部条件:(a)氧化硅层的膜厚为3.5~9.0μm;(b)在最大负荷1mN条件利用纳米压痕测定的氧化硅层的表面的最大压入深度为150nm以下;以及(c)在给予将层叠有氧化硅层的面成为凹的压入位移的带有硬涂层的高分子基板的3点弯曲试验中,氧化硅层的临界压缩率K的值为0.975以下。

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