公开(公告)号：CN105925958A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610284892.1

申请日：2014-02-13

申请人： 汉民科技股份有限公司

发明人： 黄灿华 ,  韩宗勋 ,  黄建宝 ,  伍苗展

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/44

CPC分类号： B05B15/50 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574

摘要： 本发明是有关一种沉积工艺系统及应用于半导体设备的喷射器与上盖板总成。该沉积工艺系统包含气体处理装置，而该气体处理装置包含喷射器与上盖板总成。该喷射器与上盖板总成包含上盖板、喷射器及顶板。上盖板包含多个流体冷却通道。喷射器设置于上盖板，包含气源分配器、流体冷却式气源通道、多个气源喷射板及导锥。气源分配器均匀分布多种气体及气源通道冷却流体，流体冷却式气源通道连接气源分配器，导入气源通道冷却流体形成多个流体墙，并导入第一气体及多种气体。多个气源喷射板及导锥依序设置于该流体冷却式气源通道下，顶板贴附于上盖板表面及邻近喷射器一侧。本发明可防止一般现有的工艺中堆积脏污物质附着于顶板的下表面，提高工艺正品率，同时具备可调变气源流速与流场特征，利于工艺开发，更具实用性。

公开(公告)号：CN105603390A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510621729.5

申请日：2015-09-25

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 艾夫林·安格洛夫 ,  瑟奇·科施

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： H01J37/3244 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109

摘要： 本发明涉及具有主动冷却型格栅的气体分配装置。用于衬底处理系统的格栅组件包括第一部分，该第一部分包括：第一主体，其限定中心开口；入口；出口；以及上歧管，其位于第一主体中，并且，与入口或出口流体连通。第二部分布置成与第一部分相邻，并且，包括限定中心开口的第二主体。多个管布置于第二主体的中心开口中。多个管中的第一管与上歧管流体连通。下歧管位于第二主体中，并且，与入口或出口中的另一个流体连通。多个管中的第二管与下歧管流体连通。格栅组件布置在远程等离子体源与衬底之间。

公开(公告)号：CN103649369B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201280033705.2

申请日：2012-07-05

申请人： 艾克斯特朗欧洲公司

发明人： H.席尔瓦 ,  N.朱奥尔特 ,  V.塞韦尔 ,  F.克劳利 ,  M.道尔斯伯格 ,  J.林德纳

IPC分类号： C23C16/455 ,  C30B25/14 ,  C23C16/30

CPC分类号： C23C16/45591 ,  C23C16/301 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45576 ,  C30B25/14

摘要： 本发明涉及一种CVD反应器的进气机构(2)，其具有进气壳体，进气壳体具有至少一个可由第一输送管(21)输送第一处理气体的第一气体分配腔(5)，第一气体分配腔(5)具有多个分别设计为管件的气体管道(8)，气体管道(8)伸入安置于进气壳体壁(10)前方的排气板(14)的第一开口(16)内，并且第一处理气体通过气体管道(8)进入设置于排气板(14)下方的处理室内，并且进气机构(2)还具有设置在进气壳体壁(10)和排气板(14)之间的间隔空间(20)。设置有与进气壳体壁(10)邻接的冷却剂室(7)，冷却剂可被送入冷却剂室(7)内，用于冷却进气壳体壁(10)以及与被冷却的进气壳体壁(10)传热连接的气体管道(8)的管口(8')，其中，排气板(14)与进气壳体壁(10)之间不传热，从而使得受到来自于处理室(22)的热辐射的排气板(14)相比于伸入到排气板(14)的开口(16)内的管口(8')被更大程度地加热。

公开(公告)号：CN102656665B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201180004990.0

申请日：2011-04-19

申请人： 夏普株式会社

发明人： 足立雄介 ,  坂上英和

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L21/02538 ,  C23C16/301 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C30B25/14 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

摘要： 在本气相生长方法中，通过使V族原料气体导入配管（42）的内径（W1）大于III族原料气体导入配管（44）的外径（W2），将III族原料气体导入配管（44）以1对1的方式插入到V族原料气体导入配管（42）的内部，从而可防止III族原料气体配管（44）被冷却机构冷却，抑制金属材料凝固到配管壁面。由此，可提供一种将易凝固的金属材料有效地导入反应炉而不会使其附着于喷淋头或配管的壁面、从而能进行有效掺杂的气相生长装置、气相生长方法及半导体元件的制造方法。

公开(公告)号：CN104025258A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201280065269.7

申请日：2012-11-23

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 梁日光 ,  宋炳奎 ,  金龙基 ,  金劲勋 ,  申良湜

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/45572

摘要： 根据本发明的一实施方案，所述基板处理装置包括：腔室主体，其上部打开，并提供实现对基板的工艺的内部空间；腔室盖，其设置在所述腔室主体的上部，并用于关闭所述腔室主体的上部；以及喷头，其设置在所述腔室盖的下部，并用于向所述内部空间供应反应气体，其中所述喷头具备：凸缘，其与所述腔室盖接触，并具有从上部表面凹陷的、且制冷剂在内部流动的通道；以及平板，其位于所述凸缘的内侧，并具有在其厚度方向形成的、用于喷射所述反应气体的一个以上的喷射孔。

公开(公告)号：CN102330072B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201110199158.2

申请日：2011-07-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 孟钟先 ,  金荣善 ,  沈炫旭 ,  金晟泰

IPC分类号： C23C16/455 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0075 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  H01L33/0066 ,  H01L2933/0016

摘要： 本发明公开了一种化学气相沉积设备及使用其形成半导体外延薄膜的方法，所述化学气相沉积设备包括：反应室，包括具有预定体积的内部空间的内管和紧密密封内管的外管；晶片夹持件，设置在内管中，多个晶片以预定间隔堆叠在晶片夹持件上；供气单元，包括将外部反应气体供应到反应室的至少一条气体管线以及与气体管线连通以将反应气体喷射至晶片的多个喷嘴，从而在晶片的表面上生长半导体外延薄膜，其中，生长在晶片的表面上的半导体外延薄膜包括发光结构，在所述发光结构中顺序地形成有第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。

公开(公告)号：CN101678497B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200880019034.8

申请日：2008-06-04

申请人： 艾克斯特朗股份公司

发明人： 维克托·塞维尔 ,  克里斯·亨贝 ,  弗雷德·克劳利

IPC分类号： B23K20/02 ,  B23K20/227 ,  H01J37/32 ,  C23C16/455

CPC分类号： B23K20/023 ,  B23K20/227 ,  B23K2101/045 ,  B23K2101/18 ,  B23K2103/05 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244

摘要： 本发明涉及一种用于CVD反应器的气体分布器(1，2)，包括两个或多个腔(8，9，14)，端部具有供给管线，其中，至少一个腔(8，9)形成气体容积并且借助多个与至少一个其他腔(9，14)交叉的小管(11，12，13)连接至与气体分布器(12)的底部(2’)相关联的气体出口开口(23)。为了简化生产并且改善技术，气体分布器(1，2)，至少在小管(11，12，13)的区域中，采用位于彼此上方的多个结构化盘制成，并且在压力和温度的作用下扩散焊接于彼此。

公开(公告)号：CN103290389A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310090757.X

申请日：2007-02-16

申请人： 韩国生产技术研究院 ,  派松尼克斯株式会社

发明人： 卞哲秀 ,  韩万哲

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/67069

摘要： 本发明涉及使用喷头的化学气相沉积(CVD)用设备和方法，通过所述喷头，将至少一种反应性气体和吹扫气体注入到衬底上，在所述衬底上生长膜。将多个反应性气体喷头组件布置在吹扫气体喷头组件上。每种反应性气体在独立地流经所述喷头后，从所述喷头的底部注入，从而防止所述反应性气体导致均一气相反应和在所述喷头的内部产生不需要的颗粒。并且吹扫气体从所述喷头的底表面注入，通过形成保护屏障，从而抑制注入的反应性气体向后扩散。每种反应性气体在所述喷头内部的混合区内与注入载气混合，所述注入载气是一种惰性气体，其中通过混合的注入载气的量，主动地调节每种反应性气体的注入速度。本发明进一步包括其中通过冷却夹套冷却所述喷头的设备和方法，所述冷却夹套将所述喷头的温度保持在适当水平，以防止所使用的反应性气体的冷凝和热分解。

公开(公告)号：CN102102194A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010602102.2

申请日：2010-12-20

申请人： 诺发系统有限公司

发明人： 克里斯托弗·M·巴特利特 ,  李明 ,  乔恩·亨利 ,  马歇尔·R·斯托厄尔 ,  默罕默德·萨布里

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

摘要： 一种用于化学气相沉积(CVD)腔室的温度受控莲蓬头组合件增强热耗散以提供对莲蓬头面板的准确温度控制，且维持大体上低于周围组件的温度。热通过经由莲蓬头杆的传导而耗散且由安装在真空环境外的热交换器移除。热由插入到所述莲蓬头的所述杆中的加热元件供应。使用由安装在所述杆中且与所述面板热接触的温度传感器供应的反馈来控制温度。

公开(公告)号：CN101985742A

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN201010278401.5

申请日：2010-07-28

申请人： 丽佳达普株式会社

发明人： 李在珷

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574

摘要： 本发明涉及一种用于化学气相沉积设备的气体喷射单元，该气体喷射单元通过使冷却剂流畅流动可以进行均匀地冷却，并且易于制造。该用于化学气相沉积设备的气体喷射单元尤其包括：气体分配壳体；冷却壳体，该冷却壳体位于所述气体分配壳体和执行沉积处理的处理室之间，并形成有用于引入冷却剂的冷却剂入口和用于排放冷却剂的冷却剂出口；处理气体管，该处理气体管的一端通向所述气体分配壳体，该处理气体管的另一端通向所述处理室，该处理气体管贯穿所述冷却壳体；以及第一壁部，该第一壁部位于所述冷却壳体内，并将所述冷却壳体的内部分隔为中央通路和外围通路，该第一壁部形成有使所述中央通路与所述外围通路连通的通孔。