公开(公告)号：CN104638085A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510079764.9

申请日：2015-02-13

申请人： 常州乐迪电子科技有限公司

发明人： 高凯 ,  颜海灿

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0033

摘要： 本发明提供一种新型倒装芯片及其制作与封装方法，该倒装芯片包括透明衬底，在透明衬底上表面依次层叠有N型外延层、载流子复合层及P型外延层，所述N型外延层与P型外延层均为掺杂的氮化镓外延层。所述N型外延层下表面与所述透明衬底上表面面积相等，且所述载流子复合层上表面与所述P型外延层下表面面积相等且小于N型外延层下表面面积；所述N型外延层一端的上表面依次层叠设有N-GaN电极和第一锡球，所述P型外延层远离N-GaN电极的一端的上表面依次层叠设有P-GaN电极和第二锡球；所述N-GaN电极和P-GaN电极的间距约为300μm。该倒装芯片结构简单、成本较低且出光效率高，可实现全周角发光。

公开(公告)号：CN204424303U

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201520105140.5

申请日：2015-02-13

申请人： 常州乐迪电子科技有限公司

发明人： 高凯 ,  颜海灿

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/62

摘要： 本实用新型提供一种新型倒装芯片及其封装结构，该倒装芯片包括透明衬底，在透明衬底上表面依次层叠有N型外延层、载流子复合层及P型外延层，所述N型外延层与P型外延层均为掺杂的氮化镓外延层。所述N型外延层下表面与所述透明衬底上表面面积相等，且所述载流子复合层上表面与所述P型外延层下表面面积相等，二者的长度均小于所述N型外延层，并与所述N型外延层形成一台阶结构；所述N型外延层一端的上表面依次层叠设有N-GaN电极和第一锡球，所述P型外延层远离N-GaN电极的一端的上表面依次层叠设有P-GaN电极和第二锡球；所述N-GaN电极和P-GaN电极的间距约为300μm。该倒装芯片结构简单、成本较低且出光效率高，可实现全周角发光。