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公开(公告)号：CN119347635A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411919906.3
申请日：2024-12-25
Applicant: 常州臻晶半导体有限公司
IPC: B24B37/005 , B24B49/00 , B24B49/12 , B24B57/02
Abstract: 本发明属于测量技术领域，具体涉及厚度测量，尤其涉及一种碳化硅晶片厚度量测控制装置及测量方法，包括：盖板、支撑盘和检测机构；盖板位于支撑盘上方；支撑盘的顶面上设置有至少一个承载机构，承载机构适于承载碳化硅晶片；检测机构包括：设置在盖板底面的第一测距模块和第二测距模块；所述控制模块被配置为在研磨过程中根据第一测距模块与表面沾满钻石液的碳化硅晶片的距离和第二测距模块与表面沾满钻石液的承载机构的距离获取碳化硅晶片厚度，进而实现了在碳化硅晶片研磨过程中对其厚度的精确检测，避免碳化硅晶片研磨过薄导致碳化硅晶片报废。
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公开(公告)号：CN119217259A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411744710.5
申请日：2024-12-02
Applicant: 常州臻晶半导体有限公司
Abstract: 本发明属于输送技术领域，尤其涉及晶元用清洁液供料装置及其供料方法；本发明提供了一种晶元用清洁液供料装置，包括：定位盘，其上等间距开设有若干下料孔；输送环，且各下料孔均布在内外圈之间；若干刮片组件，环绕所述输送环周向设置，且各刮片组件均分别对应相应下料孔，且包括适于在输送环内滑动的刮扫件；其中，所述刮扫件的底部包括收料槽，且所述收料槽与刮扫件内的下料气管连通；所述刮扫件滑动使输送环底壁沉积的颗粒物进入收料槽且向下料孔聚拢，在刮扫件移动至下料孔上方时，将收料槽内颗粒物推入下料孔;通过刮片组件的设置，避免了研磨液中的颗粒物沉积在输送环内，提高了研磨效率和钻石液的利用率。
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公开(公告)号：CN118357860B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410788594.0
申请日：2024-06-19
Applicant: 常州臻晶半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及清洗技术领域，具体涉及一种清洗设备及其清洗工艺；本发明提供了一种清洗设备，包括：保护壳，所述保护壳上端设置有一敞口；抛光盘，所述抛光盘转动设置在所述保护壳内；第一回流组件，所述第一回流组件可升降的套设在所述抛光盘外壁；第二回流组件，所述第二回流组件可升降的套设在第一回流组件外壁，且所述第二回流组件的水平高度大于所述第一回流组件；其中，第一回流组件与第二回流组件错位时，所述第一回流组件适于回收引导抛光液；第一回流组件和第二回流组件底壁水平高度一致时，所述第二回流组件适于回收引导清洗液。
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公开(公告)号：CN117684270B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410144922.3
申请日：2024-02-01
Applicant: 常州臻晶半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶生产领域，具体涉及一种液相法生长碳化硅单晶的装置和方法。本发明提供了一种液相法生长碳化硅单晶的装置，包括：坩埚内胆，坩埚内胆内部开设有流通孔；流通孔的底部可拆卸的安装有卸载堵头，坩埚内胆的底部还设置有卸料座；卸料座的内侧壁上开设有若干卸料槽，卸载堵头的侧壁开设有若干排放槽。通过设置卸载堵头和卸料座，并分别开设排放槽和卸料槽，使得控制卸载堵头转动即可控制流通孔开合以及坩埚内胆内的溶液流速。通过设置密封环的引导块，使得卸载堵头在转动时，可同步带动密封环密封卸料座与流通孔之间的间隙。通过转动卸载堵头控制流通孔开合，能够避免堵头需要频繁开合的状态导致堵头损坏，破坏密封。
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公开(公告)号：CN117626407A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202410112396.2
申请日：2024-01-26
Applicant: 常州臻晶半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种液相法高效生长碳化硅单晶系统及其工作方法；本发明提供了一种液相法高效生长碳化硅单晶系统，包括：坩埚、提拉杆、籽晶层和清理稳定部，所述提拉杆垂直固定在籽晶层上，所述提拉杆适于驱动籽晶层插入坩埚内；所述清理稳定部固定在坩埚上方，所述清理稳定部与提拉杆和子晶层联动；其中，清理稳定部的外活动端向下移动，清理稳定部的内活动端适于与籽晶层底壁抵接；清理稳定部的内活动端自内向外翻转的过程中，适于清理籽晶层下表面的灰尘；通过清理稳定部的设置，提高了籽晶层移动时的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115976626B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202211619875.0
申请日：2022-12-15
Applicant: 常州臻晶半导体有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅单晶生长设备技术领域，具体涉及一种液相法碳化硅单晶生长的连续加硅料装置及加料方法，本连续加硅料装置包括：副腔体打开且插板密封阀关闭时，在第一石墨坩埚中装入硅颗粒；副腔体关闭且保持真空状态时，插板密封阀打开将硅颗粒送入中转石英坩埚内，硅颗粒落入半融硅料化输送管道、外层硅料区域，硅颗粒在外层硅料区域中融化形成硅料溶液；外层硅料区域中硅料溶液溢出至第二石墨坩埚中内层生长区域，以补充第二石墨坩埚中内层生长区域在单晶生产过程中消耗的硅料溶液；本发明能够实现长时间稳定生长单晶，并在单晶生长期间分批次补充硅，结构简单、操作简单，且能多次少量的补充硅，不需要增加其他耗能电源，安全系数高。
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公开(公告)号：CN115821371B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202211550875.X
申请日：2022-12-05
Applicant: 常州臻晶半导体有限公司
Abstract: 本发明属于籽晶表面保护装置技术领域，具体涉及一种液相法碳化硅单晶生长化料时籽晶表面的保护装置及方法，本液相法碳化硅单晶生长化料时籽晶表面的保护装置包括：挂钩组件和熔化圆片；当物料装入石墨坩埚中处于化料过程，籽晶片通过挂钩组件带动熔化圆片移至液面的上方，以阻碍挥发物污染籽晶片；当石墨坩埚中物料化料完成，籽晶片通过挂钩组件带动熔化圆片朝向液面移动，直至熔化圆片浸入溶液中，以使熔化圆片及挂钩组件被溶液熔化且预热籽晶片；本发明通过采用溶液相同组分制作熔化圆片保护籽晶片表面在接触溶液前不被污染，同时熔化圆片熔化后也不会对溶液组成本身造成影响，提升了碳化硅单晶成晶率和单晶质量，结构简单、成本低且易于实现。
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公开(公告)号：CN118372175B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410803916.4
申请日：2024-06-20
Applicant: 常州臻晶半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及晶片加工技术领域，具体涉及一种碳化硅双面研磨机用检测装置及其工作方法；本发明提供了一种碳化硅双面研磨机用检测装置，包括：工作台，所述工作台水平设置，所述工作台上转动设置有一下研磨盘；上研磨盘，所述上研磨盘可升降的设置在所述下研磨盘上；定位套，所述定位套套设在两工件外壁；其中，两工件贴蜡固定后，所述定位套套设在两工件相交处外壁；通过定位套的设置，提高了两工件之间连接固定的稳定性，同时，定位套和检测工装的配合，能够检测两工件在连接固定时是否水平，提高了工作效率。
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公开(公告)号：CN118147756B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410587081.3
申请日：2024-05-13
Applicant: 常州臻晶半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种液相法生长过程中籽晶保护装置及其工作方法；本发明提供了一种液相法生长过程中籽晶保护装置，包括：坩埚主体，所述坩埚主体适于承载物料；石墨杆，所述石墨杆竖直设置，且所述石墨杆可升降的设置在所述坩埚主体上方；籽晶，所述籽晶固定在所述石墨杆的下端；保护件，所述保护件水平设置在所述坩埚主体上方，所述保护件适于隔绝坩埚主体内的挥发气体；其中，坩埚主体内的物料在熔化过程中，所述保护件内的多孔石墨板适于密封通道孔；完全化料后，两所述多孔石墨板向外滑动以打开所述通道孔，所述籽晶适于穿过所述通道孔与坩埚主体内的溶液接触。
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公开(公告)号：CN118127636B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410572211.6
申请日：2024-05-10
Applicant: 常州臻晶半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种晶体生长溶液表面除杂装置及其除杂方法；本发明提供了一种晶体生长溶液表面除杂装置，包括：坩埚主体，所述坩埚主体固定在单晶炉内；石墨腔体，所述石墨腔体固定在所述坩埚主体上方；清理部，所述清理部转动设置在所述坩埚主体上，所述清理部适于清除坩埚主体内的浮渣；其中，清理部向下移动时，清理部的除渣舟倾斜状插入坩埚主体内的溶液表面，通过将除渣舟设置的能够相对定位杆翻转，提高了除渣的效率。
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