公开(公告)号：CN105026625A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480007176.8

申请日：2014-02-06

Applicant: 并木精密宝石株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 会田英雄 ,  青田奈津子 ,  池尻宪次朗 ,  金圣祐 ,  小山浩司 ,  武田秀俊 ,  植木笃

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/18

CPC classification number: C30B25/186 ,  C30B29/406 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32

Abstract: 【课题】本发明提供无需复杂的工序便能够简单地以低成本且高成品率地制造由位错密度分布实质上均匀的GaN晶体构成的GaN衬底这一技术；【解决方法】对单晶衬底的内部照射激光而在单晶衬底的内部形成非晶质部分，接着，在单晶衬底的一面上形成GaN晶体，从而制造GaN衬底；所制造的GaN衬底的整个表面上的位错密度的分布呈实质上均匀；由相对于单晶衬底的平面方向呈直线状的多个图形形成非晶质部分，在各图形间的间距为0.5mm时，非晶质部分的总体积相对于单晶衬底的体积所占的体积比为0.10％或0.20％，在各图形间的间距为1.0mm时，非晶质部分的总体积相对于单晶衬底的体积所占的体积比为0.05％或0.10％。

公开(公告)号：CN110148572B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201910112611.8

申请日：2019-02-13

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 植木笃 ,  政田孝行

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/78

Abstract: 提供分割装置，在利用带扩展对晶片进行分割的装置中，在使带热收缩时将芯片间隔保持为均等。分割装置(1)使工件组(WS)的带(T)进行扩展而对晶片(W)进行分割，具有：工作台(30)，其对工件组的带(T)进行保持；框架保持部(4)，其在工作台的外侧对工件组的环状框架(F)进行保持；升降单元(43)，其使工作台和框架保持部在Z轴方向上接近或远离；加热器(50)，其使带(T)在晶片外周与框架内周之间的环状区域(Td)热收缩；加热器环绕单元(51)；销(46)，其使带(T)的环状区域(Td)隆起而接近加热器(50)；以及销升降单元(47)，销(46)以工作台的吸引面中心为中心沿周向隔开规定角度而配设，对销升降单元(47)进行控制，以使得在环绕的加热器(50)位于销(46)的正上方而使带(T)热收缩时，使销(46)稍微远离带(T)。

公开(公告)号：CN116779520A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310264958.0

申请日：2023-03-13

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 植木笃 ,  政田孝行

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供扩展方法，能够使扩展后的片加热收缩。扩展方法包含如下的步骤：扩展步骤，将晶片单元的晶片的外周与环状框架的内周之间的片进行扩展；以及加热步骤，在实施了扩展步骤之后，利用对片进行加热的加热单元对晶片的外侧与环状框架的内周之间的该片的区域进行加热而使在扩展步骤中产生的片的松弛收缩。该片的区域包含第1区域以及与该第1区域相比不容易通过加热而收缩的第2区域，利用从加热单元向片放射的热，在片上形成温度比周围的片高的热点，在加热步骤中按照至少在整个第2区域定位热点的方式使加热单元移动。

公开(公告)号：CN105280553B

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201510363748.2

申请日：2015-06-26

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 服部笃 ,  植木笃

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明提供芯片间隔维持装置，其能够抑制使芯片间隔维持在扩大状态时的芯片的污染。芯片间隔维持装置(2)使多个芯片(27)的间隔维持在扩张的状态，多个芯片(27)是将贴附在扩展片材(23)上的被加工物(11)分割而形成的多个芯片，芯片间隔维持装置(2)构成为具备：远红外线照射构件(42)，其朝向被加工物的外周缘与环状框架(25)的内周之间的被扩张的扩展片材照射远红外线(A)，使扩展片材收缩；以及空气层形成构件(44)，其与远红外线照射构件相邻地配设，具有喷射口(44a)，在被加工物的上方形成空气层，其中在远红外线照射构件向扩展片材照射远红外线时，该喷射口(44a)向被加工物喷射气体(B)。

公开(公告)号：CN110034066A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201811579344.7

申请日：2018-12-24

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 服部笃 ,  植木笃

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 提供被加工物的分割方法和分割装置，抑制分割后的器件彼此摩擦。被加工物的分割方法具有：固定步骤(ST1)，隔着扩展片将被加工物载置于保持工作台的保持面上，利用框架固定部对环状框架进行固定；片扩展步骤(ST2)，使保持工作台和框架固定部在与被加工物垂直的方向上相对移动，对扩展片的环状区域进行扩展；吸引保持步骤(ST3)，利用保持工作台的保持面隔着扩展片对被加工物进行吸引保持，维持扩展片的扩展；和加热步骤(ST4)，在实施了吸引保持步骤之后，对扩展后的扩展片的环状区域进行加热而使环状区域收缩。在加热步骤中，一边使在片扩展步骤中分离的保持工作台和框架固定部接近，一边利用加热单元对扩展片进行加热而使环状区域收缩。

公开(公告)号：CN107039261A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610827456.4

申请日：2016-09-14

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 植木笃

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/67 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67011 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/68 ,  H01L2221/67

Abstract: 提供分割装置以及晶片的分割方法，利用简易的装置结构将褶皱从带去除而适当地维持芯片间隔。该晶片的分割方法使用了分割装置，该分割装置将隔着带(T)被环状框架(F)支承的晶片(W)在沿着分割预定线的分割起点分割成各个芯片(C)，该晶片的分割方法具有如下的工序：保持工序，将环状框架保持在环状框架保持部(20)上，并将环状框架的内侧的晶片保持在保持工作台(10)上；分割工序，通过保持工作台与环状框架保持部的分离将带拉伸而在分割起点将晶片分割；以及芯片分离工序，在圆周方向或径向上按照规定的加热范围对使被拉伸的带热收缩的加热器(51)针对晶片的外周与环状框架的内周之间的加热范围进行加热而使芯片分离。

公开(公告)号：CN105280543A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510408612.9

申请日：2015-07-13

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 服部笃 ,  植木笃

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/78

Abstract: 提供晶片的加工方法，抑制扩展带因隆起而引起的从卡盘工作台的翻卷。晶片的加工方法具有：改质层形成步骤，在晶片(11)上形成改质层(25)；晶片单元准备步骤，准备借助于扩展带(21)利用框架(23)支承晶片的晶片单元(1)；扩张步骤，以将载置有晶片的卡盘工作台(14)相对于框架保持构件(32)顶起的方式扩张扩展带，以改质层为起点将晶片分割成芯片(27a、27b)并扩张芯片的间隔；顶起解除步骤，维持芯片的间隔并解除顶起状态；去除松弛的松弛去除步骤，在改质层形成步骤中，借助规定的分割预定线(17)以除了外周剩余区域(15)以外的方式形成改质层。

公开(公告)号：CN102024753B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201010277952.X

申请日：2010-09-08

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 植木笃

IPC: H01L21/78 ,  B23K26/57

CPC classification number: B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/50

Abstract: 本发明提供一种被加工物的激光加工方法，其能够沿着分割预定线高精度地分割被加工物。某一实施方式中的加工方法包括：第一改性区域形成工序，在被加工物(1)的表面附近形成沿着第一分割预定线和第二分割预定线的第一改性区域(111)；第二改性区域形成工序，在被加工物(1)的背面与在第一改性区域形成工序中形成于被加工物(1)内部的第一改性区域(111)之间的预定位置、且在第一分割预定线与第二分割预定线的交叉区域形成第二改性区域(113)；以及分割工序，对形成有第一改性区域(111)和第二改性区域(113)的被加工物(1)施加外力，从而将该被加工物(1)沿着第一分割预定线和第二分割预定线分割成一个个芯片。

公开(公告)号：CN110164810B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201910109804.8

申请日：2019-02-11

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 植木笃 ,  服部笃

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 提供分割装置和分割方法，能够以不使扩展后的芯片间隔变窄的方式使晶片的外周与环状框架的内周之间的带松弛并且热收缩，维持芯片间隔。在分割装置(1)中，工作台(10)具有：第1吸引部(11)，其对带(T)的中央进行吸引保持，具有第1吸引面(11a)；非吸引部(13)，其围绕第1吸引部的外侧面，具有环状的非吸引面；以及第2吸引部(12)，其围绕非吸引部的外侧面，具有环状的第2吸引面(12a)，因此能够利用工作台分别对带的中央和分割后的晶片(W)的外周与环状框架(F)的内周之间的环状的带(T1)进行吸引保持。由此，能够利用第2吸引面单独对环状的带进行吸引保持，以使得在芯片为小芯片的情况下也不会使扩展后的芯片间隔变窄，能够使环状的带可靠地热收缩而维持相邻的芯片间隔。

公开(公告)号：CN110034045B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN201811579664.2

申请日：2018-12-24

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 服部笃 ,  植木笃

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供分割装置，即使在扩展片的松弛方向和伸长方向中的任意一者不同的情况下，也能够适当地对扩展片松弛的部分进行加热。分割装置(10)具有框架固定部(40)、片扩展单元(50)以及加热单元(60)。加热单元(60)对扩展后的扩展片的环状区域进行加热而使扩展片的松弛部分收缩，加热单元(60)具有多个加热部(63)、转动部以及加热位置调整部。多个加热部(63)沿着环状区域设置在周向上。转动部使加热部(63)沿着扩展片的环状区域在周向上移动。加热位置调整部在被加工物的径向或与扩展片接近或远离的方向上对加热部(63)的位置进行调整。