公开(公告)号：CN103548158A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280024069.7

申请日：2012-04-03

Applicant: 并木精密宝石株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 会田英雄 ,  青田奈津子 ,  武田秀俊 ,  本庄庆司 ,  星野仁志

IPC: H01L33/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的发光元件的制造方法以及使用该方法制造的发光元件，在制造发光元件时，不会因为形成设置于单晶衬底上的纵孔而对发光元件层造成损坏；在该发光元件的制造方法中，经过下述工序来制造发光元件(80)，该工序是指：在发光元件用单晶衬底(30A)的一面(32T)上形成发光元件层(40)；接着，对发光元件用单晶衬底(30A)的另一面(32B)进行研磨，直到成为纵孔(34A)沿厚度方向贯穿发光元件用单晶衬底(30A)的状态为止；接着，通过从纵孔(34B)的另一面(32B)的开口部(36B)侧向纵孔(34B)内填充导电性材料，从而形成从发光元件层(40)侧延续至另一面(32B)的开口部(36B)为止的导电部(50)。

公开(公告)号：CN105026625A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480007176.8

申请日：2014-02-06

Applicant: 并木精密宝石株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 会田英雄 ,  青田奈津子 ,  池尻宪次朗 ,  金圣祐 ,  小山浩司 ,  武田秀俊 ,  植木笃

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/18

CPC classification number: C30B25/186 ,  C30B29/406 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32

Abstract: 【课题】本发明提供无需复杂的工序便能够简单地以低成本且高成品率地制造由位错密度分布实质上均匀的GaN晶体构成的GaN衬底这一技术；【解决方法】对单晶衬底的内部照射激光而在单晶衬底的内部形成非晶质部分，接着，在单晶衬底的一面上形成GaN晶体，从而制造GaN衬底；所制造的GaN衬底的整个表面上的位错密度的分布呈实质上均匀；由相对于单晶衬底的平面方向呈直线状的多个图形形成非晶质部分，在各图形间的间距为0.5mm时，非晶质部分的总体积相对于单晶衬底的体积所占的体积比为0.10％或0.20％，在各图形间的间距为1.0mm时，非晶质部分的总体积相对于单晶衬底的体积所占的体积比为0.05％或0.10％。

公开(公告)号：CN103548158B

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201280024069.7

申请日：2012-04-03

Applicant: 并木精密宝石株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 会田英雄 ,  青田奈津子 ,  武田秀俊 ,  本庄庆司 ,  星野仁志

IPC: H01L33/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的发光元件的制造方法以及使用该方法制造的发光元件，在制造发光元件时，不会因为形成设置于单晶衬底上的纵孔而对发光元件层造成损坏；在该发光元件的制造方法中，经过下述工序来制造发光元件(80)，该工序是指：在发光元件用单晶衬底(30A)的一面(32T)上形成发光元件层(40)；接着，对发光元件用单晶衬底(30A)的另一面(32B)进行研磨，直到成为纵孔(34A)沿厚度方向贯穿发光元件用单晶衬底(30A)的状态为止；接着，通过从纵孔(34B)的另一面(32B)的开口部(36B)侧向纵孔(34B)内填充导电性材料，从而形成从发光元件层(40)侧延续至另一面(32B)的开口部(36B)为止的导电部(50)。