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发明公开
一种晶体层叠结构体制造方法、晶体层叠结构体、层叠结构体及半导体元件审中-公开

公开(公告)号：CN117936361A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202211306646.3

申请日：2022-10-25

申请人： 广州华瑞升阳投资有限公司

发明人： 刘伟 , 尹向阳 , 薛勇 , 邓云 , 郭铭

IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/24 , H01L29/872

摘要： 本发明提供一种晶体层叠结构体制造方法、晶体层叠结构体、层叠结构体及半导体元件，其中晶体层叠结构体的制造方法包括：第一n型半导体层制作步骤，获得β‑Ga2O3系单晶的体晶体，对体晶体处理后形成半导体衬底层，半导体衬底层即为第一半导体层，第一半导体层电子载流子浓度＜1x1018cm‑3；第二n型半导体层制作步骤，在第一n型半导体层一侧的表面采用外延工艺形成Ga2O3系半导体层作为第二n型半导体层，或者在第一n型半导体一侧的表面采用掺杂工艺形成的浓度改性层作为第二n型半导体层，第二n型半导体层电子载流子浓度≥1x1018cm‑3。本发明在有较高耐压需求，需要较厚的具有较低电子载流子浓度的Ga2O3系半导体层的应用场景下具有较低成本的优势。