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公开(公告)号：CN102296270B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110252193.6
申请日：2011-08-30
申请人： 华南理工大学 , 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/34 , H01L29/786
摘要： 本发明公开了掺杂氧化锌半导体材料及其制备方法与应用。掺杂氧化锌半导体材料是在ZnO材料中同时掺入In、Sn以及Ni；其成份为NiaSnbIncZndO，其中，0.01≤a≤0.09、0.01≤b≤0.09、c＝0.3、d＝0.6且a+b+c+d＝1。应用掺杂氧化锌半导体材料制备的薄膜晶体管包括玻璃基板、栅极、绝缘层、沟道层、源极和漏极；栅极位于玻璃基板中心上部，绝缘层覆盖在栅极上端，沟道层设置在绝缘层中部上端，位于栅极正上方，沟道层左右两端伸出栅极；源极和漏极分别覆盖在沟道层的两端并且相互间隔；沟道层材料为掺杂氧化锌半导体材料。该薄膜晶体管具有载流子迁移率高、稳定性好以及开关比高等优点。
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公开(公告)号：CN102832235A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210342862.3
申请日：2012-09-14
申请人： 华南理工大学 , 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： H01L29/24 , H01L29/10 , H01L29/786 , H01L21/203 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/02631 , C23C14/08 , C23C14/3464 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L29/7869
摘要： 本发明实施例公开了一类可抑制过剩的本征载流子，且电学稳定性高氧化物半导体。本发明实施例的包括：AlxInyZnz氧化物和微量掺杂物；所述微量掺杂物包括：稀土元素，稀土元素的氧化物，4B族元素，4B族元素氧化物，5B族元素或5B族元素氧化物中的任意一种或两种以上的组合。
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公开(公告)号：CN102637591A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210135944.0
申请日：2012-05-03
申请人： 华南理工大学 , 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/3213
摘要： 本发明实施例公开了一种氧化物半导体上电极层的刻蚀方法，用于实现在氧化物半导体上使用湿刻蚀法直接刻蚀金属的电极。本发明实施例方法包括：在氧化物半导体层上制备含有钼的电极层；使用含有双氧水的刻蚀液对所述含有钼的电极层进行电极的刻蚀。
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公开(公告)号：CN102881697A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210326750.9
申请日：2012-09-06
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/12
摘要： 本发明公开了一种可提高TFT背板良率的布线结构，包括主氧化线、电源线、连接金属、行扫描线、电源线与行扫描线刻断图形、电源线接触刻蚀孔。本发明将TFT背板驱动阵列的主氧化线设计成网格状结构，电源线和行扫描线在阵列外围连接在一起，且连接至主氧化线，待阳极氧化处理后，利用刻蚀方法，将电源线、行扫描线以及主氧化线分割开，实现各自的功能。通过这种布线设计，可以大大提高TFT背板栅极金属阳极氧化效率和均匀性。待阳极氧化形成栅极绝缘层薄膜后，通过接触孔，金属Ⅱ与金属Ⅰ相互搭接，进而形成网格状的电源线结构；通过这种布线设计，可以减小背板像素阵列电源线断线造成的显示屏线缺陷，从而提高TFT背板的良率。
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公开(公告)号：CN102522429A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110451514.5
申请日：2011-12-28
申请人： 华南理工大学 , 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/441 , H01L21/445
摘要： 本发明公开了一种基于金属氧化物的薄膜晶体管及其制备方法和应用，包括以下步骤：(1)制作缓冲层；(2)在上述缓冲层上沉积栅极金属层；(3)使用阳极氧化的方法，在栅极金属层上制备栅绝缘层，其中栅极金属层中不需要沉积氧化膜的部分使用光刻胶进行保护；(4)将光刻胶去除；(5)将不需要的金属引线去除；(6)在栅绝缘层制备有源层；(7)根据所设计的薄膜晶体管结构，沉积并图形化源漏电极、像素电极和保护层或刻蚀阻挡层。该发明采用纯Al或Al合金作为栅极金属，使用阳极氧化的方法制备栅绝缘层。通过调整栅极金属成分，能改变栅绝缘层的性能，进而改善薄膜晶体管的电学特性。
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公开(公告)号：CN102332404A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110281888.7
申请日：2011-09-21
申请人： 华南理工大学 , 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/288
摘要： 本发明公开了基于阳极氧化绝缘层的薄膜晶体管的制备方法，其包括玻璃基板、栅极、单一氧化绝缘层、沟道层、源极和漏极的制备过程；栅极位于玻璃基板之上，单一氧化绝缘层覆盖在栅极之上，沟道层位于绝缘层之上，源极和漏极分别覆盖在沟道层的两端并且相互间隔。其中单一氧化绝缘层采用阳极氧化的方法制备，沟道层的材料为掺杂氧化锌半导体。该薄膜晶体管具有制备成本及温度低、阈值电压较低、载流子迁移率较高以及开关比高等优点。
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公开(公告)号：CN102881697B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201210326750.9
申请日：2012-09-06
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/12
摘要： 本发明公开了一种可提高TFT背板良率的布线结构，包括主氧化线、电源线、连接金属、行扫描线、电源线与行扫描线刻断图形、电源线接触刻蚀孔。本发明将TFT背板驱动阵列的主氧化线设计成网格状结构，电源线和行扫描线在阵列外围连接在一起，且连接至主氧化线，待阳极氧化处理后，利用刻蚀方法，将电源线、行扫描线以及主氧化线分割开，实现各自的功能。通过这种布线设计，可以大大提高TFT背板栅极金属阳极氧化效率和均匀性。待阳极氧化形成栅极绝缘层薄膜后，通过接触孔，金属Ⅱ与金属Ⅰ相互搭接，进而形成网格状的电源线结构；通过这种布线设计，可以减小背板像素阵列电源线断线造成的显示屏线缺陷，从而提高TFT背板的良率。
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公开(公告)号：CN102881357B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210326857.3
申请日：2012-09-06
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
CPC分类号： H01B1/08 , H01L31/022466 , H01L31/022475
摘要： 本发明公开了一种复合透明导电薄膜，其包括相互叠加的两层或两层以上的透明薄膜，相邻的两层透明薄膜之间设有一层插入层；所述的透明薄膜为ITO薄膜、AZO薄膜、IZO薄膜中的一种。本发明采用ITO/插入层/ITO的多层复合结构有效地抑制了ITO薄膜随着厚度的增加而呈结晶态，进而得到可使用弱酸对其刻蚀图案化的复合透明导电薄膜；通过增加ITO/插入层……插入层/ITO这样的多层结构的层数，能够有效的降低透明导电薄膜的方块电阻；作为插入层的氧化物薄膜通常对于可见光部分具有良好的透过率，因此，使用该结构并不会影响透明导电薄膜的透过率特性。
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公开(公告)号：CN102351528A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110295036.3
申请日：2011-09-28
申请人： 华南理工大学 , 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： C04B35/453 , H01L29/786 , H01L29/227
摘要： 本发明公开了一种硼化镧掺杂的氧化物半导体材料及应用。硼化镧掺杂的氧化物半导体材料是在通过氧化锌基材料中掺入硼化镧实现。应用硼化镧掺杂的氧化物半导体材料制备的薄膜晶体管包括基板、栅极、绝缘层、沟道层、源极和漏极；栅极位于基板上部，绝缘层覆盖在栅极上端，沟道层设置在绝缘层上端，源极和漏极分别覆盖在沟道层的两端并且相互间隔；沟道层材料为硼化镧掺杂的氧化物半导体材料。该薄膜晶体管具有载流子迁移率高、关态电流低及开关比高等优点。
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公开(公告)号：CN102351528B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110295036.3
申请日：2011-09-28
申请人： 华南理工大学 , 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： C04B35/453 , H01L29/786 , H01L29/227
摘要： 本发明公开了一种硼化镧掺杂的氧化物半导体材料及应用。硼化镧掺杂的氧化物半导体材料是在通过氧化锌基材料中掺入硼化镧实现。应用硼化镧掺杂的氧化物半导体材料制备的薄膜晶体管包括基板、栅极、绝缘层、沟道层、源极和漏极；栅极位于基板上部，绝缘层覆盖在栅极上端，沟道层设置在绝缘层上端，源极和漏极分别覆盖在沟道层的两端并且相互间隔；沟道层材料为硼化镧掺杂的氧化物半导体材料。该薄膜晶体管具有载流子迁移率高、关态电流低及开关比高等优点。
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