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公开(公告)号：CN108779568A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780016714.3
申请日：2017-02-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克什斯瓦尔·卡利塔 , 普莉娜·A·古拉迪雅 , 吉蒂卡·巴贾 , 尤吉塔·巴瑞克 , 宜兴·林 , 迪米特里·卢伯米尔斯基 , 安库尔·凯达姆 , 拜平·塔库尔 , 凯文·A·帕克 , 考希克·维迪亚
IPC: C25D5/50 , C25D3/54 , C25D9/12 , C23C16/455
CPC classification number: C23C8/12 , C22F1/16 , C23C8/16 , C25D3/54 , C25D5/18 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D11/08 , C25D11/34
Abstract: 此公开内容一般地涉及以电化学方式形成三氧化二钇或氧化钇的方法。所述方法可包括视情况地制备电化学浴、将三氧化二钇或氧化钇电沉积至基板上、从基板的表面上去除溶剂，及后处理其上具有经电沉积的三氧化二钇或氧化钇的基板。
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公开(公告)号：CN114402413B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202080064780.X
申请日：2020-06-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容涉及用于处理腔室及处理腔室部件的保护性多层涂层。在一个实施方式中，多层保护性涂层包括金属氮化层及设置于其上的氧化层。在一个实施方式中，多层保护性涂层进一步包括氮氧化夹层和/或氟氧化层。多层保护性涂层可形成于金属合金或陶瓷基板上，例如在电子装置制造的领域中，例如半导体装置制造使用的处理腔室或处理腔室部件。在一个实施方式中，金属氮化层及氧化层通过原子层沉积沉积于基板上。
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公开(公告)号：CN114402413A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202080064780.X
申请日：2020-06-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容涉及用于处理腔室及处理腔室部件的保护性多层涂层。在一个实施方式中，多层保护性涂层包括金属氮化层及设置于其上的氧化层。在一个实施方式中，多层保护性涂层进一步包括氮氧化夹层和/或氟氧化层。多层保护性涂层可形成于金属合金或陶瓷基板上，例如在电子装置制造的领域中，例如半导体装置制造使用的处理腔室或处理腔室部件。在一个实施方式中，金属氮化层及氧化层通过原子层沉积沉积于基板上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108885979B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201780016071.2
申请日：2017-02-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尤吉塔·巴瑞克 , 拉克什斯瓦尔·卡利塔 , 吉蒂卡·巴贾 , 凯文·A·帕克 , 安科尔·卡达姆 , 拜平·塔库尔 , 宜兴·林 , 迪米特里·卢伯米尔斯基 , 普莉娜·A·古拉迪雅
Abstract: 本公开内容一般地涉及以电化学方式形成铝或氧化铝的方法。所述方法可包括：视情况地制备电化学浴，将铝或氧化铝电沉积至基板上，从该基板的表面去除溶剂，及后处理上面有该电沉积的铝或氧化铝的该基板。
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公开(公告)号：CN108780768A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780016548.7
申请日：2017-03-22
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: B08B3/12 , G01N1/38 , G01N2001/028 , G01N2001/383 , G01N2015/1486
Abstract: 本文中所述的实施方式一般涉及30nm排队式液体颗粒计数测试装备，所述装备分析和清洁半导体处理装备。更具体而言，所述的实施方式涉及用于稀释、分析和调整流体以允许观察流体的成分的系统。稀释物取样工具与液体颗粒检测器耦合以读取包含来自清洁槽中的半导体处理装备(诸如衬垫、屏蔽物、面板或喷头)的颗粒的提取液的成分。如此，可获得减少颗粒检测器的过饱和的准确液体颗粒读数。
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公开(公告)号：CN108780768B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201780016548.7
申请日：2017-03-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文中所述的实施方式一般涉及30nm排队式液体颗粒计数测试装备，所述装备分析和清洁半导体处理装备。更具体而言，所述的实施方式涉及用于稀释、分析和调整流体以允许观察流体的成分的系统。稀释物取样工具与液体颗粒检测器耦合以读取包含来自清洁槽中的半导体处理装备(诸如衬垫、屏蔽物、面板或喷头)的颗粒的提取液的成分。如此，可获得减少颗粒检测器的过饱和的准确液体颗粒读数。
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公开(公告)号：CN108779568B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201780016714.3
申请日：2017-02-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克什斯瓦尔·卡利塔 , 普莉娜·A·古拉迪雅 , 吉蒂卡·巴贾 , 尤吉塔·巴瑞克 , 宜兴·林 , 迪米特里·卢伯米尔斯基 , 安库尔·凯达姆 , 拜平·塔库尔 , 凯文·A·帕克 , 考希克·维迪亚
IPC: C25D5/50 , C25D3/54 , C25D9/12 , C23C16/455
Abstract: 此公开内容一般地涉及以电化学方式形成三氧化二钇或氧化钇的方法。所述方法可包括视情况地制备电化学浴、将钇电沉积至基板上、从基板的表面上去除溶剂，及后处理其上具有经电沉积的钇的基板。
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公开(公告)号：CN108885979A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780016071.2
申请日：2017-02-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尤吉塔·巴瑞克 , 拉克什斯瓦尔·卡利塔 , 吉蒂卡·巴贾 , 凯文·A·帕克 , 安科尔·卡达姆 , 拜平·塔库尔 , 宜兴·林 , 迪米特里·卢伯米尔斯基 , 普莉娜·A·古拉迪雅
CPC classification number: C25D3/44 , C25D3/66 , C25D5/022 , C25D5/18 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D11/04 , H01L21/67023
Abstract: 本公开内容一般地涉及以电化学方式形成铝或氧化铝的方法。所述方法可包括：视情况地制备电化学浴，将铝或氧化铝电沉积至基板上，从该基板的表面去除溶剂，及后处理上面有该电沉积的铝或氧化铝的该基板。
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