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公开(公告)号：CN114402413B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202080064780.X
申请日：2020-06-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容涉及用于处理腔室及处理腔室部件的保护性多层涂层。在一个实施方式中，多层保护性涂层包括金属氮化层及设置于其上的氧化层。在一个实施方式中，多层保护性涂层进一步包括氮氧化夹层和/或氟氧化层。多层保护性涂层可形成于金属合金或陶瓷基板上，例如在电子装置制造的领域中，例如半导体装置制造使用的处理腔室或处理腔室部件。在一个实施方式中，金属氮化层及氧化层通过原子层沉积沉积于基板上。
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公开(公告)号：CN115734826A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202180046633.4
申请日：2021-06-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿布舍克·曼达尔 , 尼廷·迪帕克 , 尼哈·古普塔 , 普雷纳·桑塔利亚·戈拉迪亚 , 安库尔·凯达姆 , 大野贤一 , 大卫·亚历山大·布里兹 , 兰斯·A·斯卡德尔
IPC: B08B3/08
Abstract: 本公开内容的实施方式总体涉及通过去除腐蚀部和沉积保护涂层来翻新航空部件的方法。在一个或多个实施方式中，一种航空部件的翻新方法包括将包含腐蚀部的航空部件暴露于水性清洁溶液。所述航空部件包括镍超合金、设置在所述镍超合金上的铝化物层和设置在所述铝化物层上的氧化铝层。所述方法包括使用所述水性清洁溶液从氧化铝层的一部分去除腐蚀部以露出氧化铝层，然后将所述氧化铝层暴露于后冲洗液，以及在所述氧化铝层上形成保护涂层。
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公开(公告)号：CN114402413A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202080064780.X
申请日：2020-06-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容涉及用于处理腔室及处理腔室部件的保护性多层涂层。在一个实施方式中，多层保护性涂层包括金属氮化层及设置于其上的氧化层。在一个实施方式中，多层保护性涂层进一步包括氮氧化夹层和/或氟氧化层。多层保护性涂层可形成于金属合金或陶瓷基板上，例如在电子装置制造的领域中，例如半导体装置制造使用的处理腔室或处理腔室部件。在一个实施方式中，金属氮化层及氧化层通过原子层沉积沉积于基板上。
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公开(公告)号：CN116802338A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202180088967.8
申请日：2021-01-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乌代·派 , 薛原 , 阿比吉特·拉克斯曼·桑格尔 , 维杰·班·夏尔马 , 苏雷什·钱德·赛斯 , 巴拉特瓦·罗摩克里希南 , 桑德拉贾·吉姆布林甘姆 , 纳文·查纳拉亚帕特娜·普坦纳 , 安库尔·凯达姆 , 杨毅
IPC: C23C14/34
Abstract: 于此提供了用于使用改进的屏蔽件配置处理基板的方法及设备。例如，一种用于在物理气相沉积腔室中使用的处理配件包括：屏蔽件，包含具有最内径的内壁，内壁被配置成当设置在物理气相沉积腔室中时围绕靶材，其中屏蔽件的表面面积与内径的平面面积的比率为约3至约10。
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公开(公告)号：CN114375348A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202080062730.8
申请日：2020-07-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 吉蒂卡·巴贾 , 尤吉塔·巴瑞克 , 普莉娜·松特海利亚·古拉迪雅 , 安库尔·凯达姆
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , H01J37/32
Abstract: 本揭露内容的实施方式提供在工艺腔室表面和/或部件上制造或以其他方式形成包含氧化铈的保护涂层的方法，工艺腔室表面和/或部件例如是暴露于工艺腔室内的等离子体的表面。在一个或多个实施方式中，在工艺腔室内形成保护涂层的方法包括在原子层沉积(ALD)工艺期间将氧化铈层沉积在腔室表面或腔室部件上。ALD工艺包括在一个ALD周期中，将腔室表面或腔室部件依次暴露于铈前驱物、净化气体、氧化剂和净化气体，以及重复ALD周期以沉积氧化铈层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108779568B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201780016714.3
申请日：2017-02-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克什斯瓦尔·卡利塔 , 普莉娜·A·古拉迪雅 , 吉蒂卡·巴贾 , 尤吉塔·巴瑞克 , 宜兴·林 , 迪米特里·卢伯米尔斯基 , 安库尔·凯达姆 , 拜平·塔库尔 , 凯文·A·帕克 , 考希克·维迪亚
IPC: C25D5/50 , C25D3/54 , C25D9/12 , C23C16/455
Abstract: 此公开内容一般地涉及以电化学方式形成三氧化二钇或氧化钇的方法。所述方法可包括视情况地制备电化学浴、将钇电沉积至基板上、从基板的表面上去除溶剂，及后处理其上具有经电沉积的钇的基板。
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公开(公告)号：CN112853286A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201911100759.6
申请日：2019-11-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿比吉特·拉克斯曼·桑格尔 , 维杰·班·夏尔马 , 安库尔·凯达姆 , 巴拉特瓦·罗摩克里希南 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 , 薛元
Abstract: 一种制造压电层的方法，包括：在将基板保持在低于400℃的温度的同时，通过物理气相沉积将第一结晶相的压电材料沉积到基板上；和在高于500℃的温度下对基板进行热退火，以将压电材料转变为第二结晶相。所述物理气相沉积包括在等离子体沉积腔室中从靶材溅射。
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公开(公告)号：CN108779568A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780016714.3
申请日：2017-02-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克什斯瓦尔·卡利塔 , 普莉娜·A·古拉迪雅 , 吉蒂卡·巴贾 , 尤吉塔·巴瑞克 , 宜兴·林 , 迪米特里·卢伯米尔斯基 , 安库尔·凯达姆 , 拜平·塔库尔 , 凯文·A·帕克 , 考希克·维迪亚
IPC: C25D5/50 , C25D3/54 , C25D9/12 , C23C16/455
CPC classification number: C23C8/12 , C22F1/16 , C23C8/16 , C25D3/54 , C25D5/18 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D11/08 , C25D11/34
Abstract: 此公开内容一般地涉及以电化学方式形成三氧化二钇或氧化钇的方法。所述方法可包括视情况地制备电化学浴、将三氧化二钇或氧化钇电沉积至基板上、从基板的表面上去除溶剂，及后处理其上具有经电沉积的三氧化二钇或氧化钇的基板。
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公开(公告)号：CN108431934A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680075366.2
申请日：2016-12-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/56 , H01L21/02 , H01L21/288
CPC classification number: H01L21/68757 , H01L21/6719
Abstract: 本文提供一种半导体处理设备的耐腐蚀涂层与制造半导体处理设备的耐腐蚀涂层的方法。在某些实施方式中，一种处理半导体处理腔室部件的方法包括：在包含中性电解质与阻抗材料的阳极处理溶液中，阳极处理包含含铝主体的半导体处理腔室部件，以在含铝主体顶上形成耐腐蚀涂层。在某些实施方式中，一种处理半导体处理腔室部件的方法包括：在中性电解质溶液中，阳极处理包含含铝主体的半导体处理腔室部件，以在含铝主体的表面上形成氧化铝层；及将经阳极处理的半导体处理腔室部件浸入阻抗材料溶液中，以在氧化铝层顶上形成阻抗材料层。
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公开(公告)号：CN101720495B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200880022635.4
申请日：2008-07-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67236 , H01L21/67201
Abstract: 本发明提供在薄膜太阳能电池制造过程中控制基板温度的方法及设备。方法包括在第一腔室中于基板上执行温度稳定化工艺，以预热基材一段时间；计算第二腔室的等待时间，其中所述等待时间是依据所述第二腔室的可用率、用以将基板从第一腔室传送至第二腔室的真空传送机械手的可用率，或所述第二腔室与所述真空传送机械手两者的可用率所计算而得；以及，调整所述温度稳定化时间，以补偿在所述等待时间过程中基板损失的热量。
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