公开(公告)号：CN112136204A

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN201980031899.4

申请日：2019-05-03

申请人： 应用材料公司

发明人： 金正男 ,  刘彪 ,  潘成 ,  埃莉卡·陈 ,  殷正操 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  怡利·叶

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311

摘要： 提供用于在选择性沉积工艺之后去除残留物的方法。在一个实施方式中，所述方法包括执行选择性沉积工艺以在基板的第一位置处形成含金属的介电材料，以及执行残留物去除工艺以从所述基板的第二位置去除残留物。

公开(公告)号：CN112136204B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN201980031899.4

申请日：2019-05-03

申请人： 应用材料公司

发明人： 金正男 ,  刘彪 ,  潘成 ,  埃莉卡·陈 ,  殷正操 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  怡利·叶

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311

摘要： 提供用于在选择性沉积工艺之后去除残留物的方法。在一个实施方式中，所述方法包括执行选择性沉积工艺以在基板的第一位置处形成含金属的介电材料，以及执行残留物去除工艺以从所述基板的第二位置去除残留物。