-
公开(公告)号：CN107109643A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580064621.9
申请日：2015-12-15
申请人： 应用材料公司
发明人： 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 埃莉卡·陈 , 卢多维克·戈代 , 薛君 , 怡利·Y·叶
摘要： 本文所述实施方式涉及用于形成流动式化学气相沉积(FCVD)膜的方法，该方法适于高深宽比缝隙填充应用。所述多种处理流程包括处理沉积的FCVD膜以改善介电膜密度与材料组成而使用的离子注入工艺。可用多种次序组合来应用离子注入工艺、固化工艺与退火工艺以在器件材料热收支内的温度下形成具有改良密度的介电膜。改善膜质量特性包括与传统FCVD膜形成工艺相比降低的膜应力与减少的膜收缩。
-
公开(公告)号：CN112136204A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201980031899.4
申请日：2019-05-03
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/311
摘要： 提供用于在选择性沉积工艺之后去除残留物的方法。在一个实施方式中，所述方法包括执行选择性沉积工艺以在基板的第一位置处形成含金属的介电材料，以及执行残留物去除工艺以从所述基板的第二位置去除残留物。
-
公开(公告)号：CN115087759A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202080096397.2
申请日：2020-12-14
申请人： 应用材料公司
发明人： 梁奇伟 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 陈秀·克里斯·莹 , 叶怡利 , 埃莉卡·陈 , 尼廷·托马斯·亚历克斯
IPC分类号： C23C16/505 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/26
摘要： 一种用于在基板上沉积碳化合物的方法和设备包括：使用具有腔室主体、盖、内部空间、泵设备和气体传输系统的电感耦合等离子体(ICP)腔室和用于支撑设置于ICP腔室的内部空间内的基板的基座，基座具有从氮化铝形成的具有上部表面的上部部分和具有从氮化铝形成的管状结构的下部部分，上部部分被构造成用以支撑基板和以嵌入的加热元件加热基板，下部部分被构造成用以支撑上部部分且装载用于给上部部分的嵌入的加热元件供应功率的电极，并且基座被构造成用以在碳化合物膜的沉积期间加热基板。
-
公开(公告)号：CN107109643B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201580064621.9
申请日：2015-12-15
申请人： 应用材料公司
发明人： 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 埃莉卡·陈 , 卢多维克·戈代 , 薛君 , 怡利·Y·叶
摘要： 本文所述实施方式涉及用于形成流动式化学气相沉积(FCVD)膜的方法，该方法适于高深宽比缝隙填充应用。所述多种处理流程包括处理沉积的FCVD膜以改善介电膜密度与材料组成而使用的离子注入工艺。可用多种次序组合来应用离子注入工艺、固化工艺与退火工艺以在器件材料热收支内的温度下形成具有改良密度的介电膜。改善膜质量特性包括与传统FCVD膜形成工艺相比降低的膜应力与减少的膜收缩。
-
公开(公告)号：CN114556544A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080071721.5
申请日：2020-08-14
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/762 , C23C16/04 , C23C16/08 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/56 , H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/30 , H01L21/3213 , H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/768
摘要： 提供用于在群集处理系统中的基板上形成互连结构以及热处理此互连结构的方法。在一个实施方式中，用于供半导体装置的装置结构的方法包括以下步骤：于设置在基板上的材料层中所形成的开口中形成阻挡层；于阻挡层上形成界面层；于界面层上形成间隙填充层；和于基板上执行退火工艺，其中在大于5巴的压力范围下执行退火工艺。
-
公开(公告)号：CN108352357A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680052233.3
申请日：2016-09-29
申请人： 应用材料公司
发明人： 埃莉卡·陈 , 卢多维克·戈代 , 斯里尼瓦斯·D·涅曼 , 怡利·Y·叶
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/304 , H01L21/762 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/76825 , H01L21/265 , H01L21/30625 , H01L21/31051 , H01L21/31155 , H01L21/3212 , H01L21/324 , H01L21/76224 , H01L21/76828
摘要： 本文描述的实施方案关于用于形成间隙填充材料的方法。在沉积间隙填充材料之后并在间隙填充材料上执行CMP工艺之前，利用一种或多种离子注入工艺来处理沉积的间隙填充材料。所述一种或多种离子注入工艺包括使用第一离子能量在所述间隙填充材料中注入第一离子物种，并且随后使用低于所述第一离子能量的第二离子能量在所述间隙填充材料中注入第二离子物种。所述一种或更多种离子注入工艺最小化CMP凹陷并改良凹槽的轮廓。
-
公开(公告)号：CN118804812A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202380022965.8
申请日：2023-02-23
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/402 , B23K26/60 , B23K26/70
摘要： 揭露了从光学元件基板切割光学元件的方法。这些方法包括仅在光学元件上方设置保护涂层。该光学元件基板包括设置在光学元件基板的表面上的光学元件，这些光学元件之间有区域。由保护涂层暴露光学元件基板的这些区域。该保护涂层包含聚合物、溶剂和添加剂。该方法进一步包括：经由固化工艺固化保护涂层，使得在通过该固化工艺移除溶剂之后该保护涂层是水溶性的；通过将激光束投射到光学元件之间的区域来从光学元件基板切割光学元件；以及将该保护涂层暴露于水以从经切割的光学元件移除该保护涂层。
-
公开(公告)号：CN112136204B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN201980031899.4
申请日：2019-05-03
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/311
摘要： 提供用于在选择性沉积工艺之后去除残留物的方法。在一个实施方式中，所述方法包括执行选择性沉积工艺以在基板的第一位置处形成含金属的介电材料，以及执行残留物去除工艺以从所述基板的第二位置去除残留物。
-
公开(公告)号：CN108352357B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201680052233.3
申请日：2016-09-29
申请人： 应用材料公司
发明人： 埃莉卡·陈 , 卢多维克·戈代 , 斯里尼瓦斯·D·涅曼 , 怡利·Y·叶
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/304 , H01L21/762 , H01L21/205
摘要： 本文描述的实施方案关于用于形成间隙填充材料的方法。在沉积间隙填充材料之后并在间隙填充材料上执行CMP工艺之前，利用一种或多种离子注入工艺来处理沉积的间隙填充材料。所述一种或多种离子注入工艺包括使用第一离子能量在所述间隙填充材料中注入第一离子物种，并且随后使用低于所述第一离子能量的第二离子能量在所述间隙填充材料中注入第二离子物种。所述一种或更多种离子注入工艺最小化CMP凹陷并改良凹槽的轮廓。
-
公开(公告)号：CN106716599A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580048959.5
申请日：2015-08-14
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/26506 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/02321 , H01L21/02323 , H01L21/0337 , H01L21/3065 , H01L21/31155 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L29/66795
摘要： 将物种供应到在基板上的可流动层。通过将所述物种注入到所述可流动层来修改所述可流动层的性质。所述性质包含密度、应力、薄膜收缩率、蚀刻选择性或上述的任意组合。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
10 条记录 (耗时 0.025 秒)
